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闪迪推出大容量iNAND7232嵌入式闪存 手机连拍RAW不是梦_珠江路在线_闪存卡新闻
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闪迪推出大容量iNAND7232嵌入式闪存 手机连拍RAW不是梦
闪迪推出大容量iNAND7232嵌入式闪存 手机连拍RAW不是梦
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今年Q3,SanDisk闪迪的新一代大容量iNAND7232嵌入式闪存将开始出货。这一系列存储解决方案用于各类旗舰移动设备,可以满足数码摄影快速存储RAW格式照片的需求,让连拍照片可以存储更多张,不丢失细节。同时,它也为支持更顺畅的4K影片拍摄创造了条件。
以下为新闻稿:
世界移动大会?上海,中国上海,日 C 全球领先的闪存存储解决方案供应商SanDisk闪迪公司(纳斯达克交易代码:SNDK)今日发布了iNAND? 7232嵌入式存储解决方案。这一全新的、先进的嵌入式存储解决方案专为移动而优化,可为各类旗舰移动设备带来品类最佳的成像性能和出众的存储容量。iNAND 7232存储解决方案提供最大至128GB1的存储容量,可帮助设备制造商(OEM)推出大容量智能手机、平板电脑和其它联网设备,以满足消费者日益增长的对存储容量的需求,同时提供优秀的拥有丰富数据的应用体验和新一代数码摄影功能。
SanDisk闪迪移动与平板解决方案部副总裁兼总经理Christopher Bergey表示:“从北美到中国,消费者对更大存储容量的需求都在日益增长。我们的iNAND 7232嵌入式存储解决方案可让移动设备制造商为用户提供他们所期待的卓越的存储能力,同时有效控制成本。这一领先的嵌入式存储解决方案采用了创新型应用级存储架构和SanDisk闪迪最新的15纳米闪存工艺,使得旗舰智能手机可以提供出色的应用体验、令人惊叹的4K超高清视频传输速度以及前所未有的数码摄影功能。”
Counterpoint Research公司设备与生态系统研究总监Neil Shah表示:“智能手机和平板电脑用户在使用移动设备方面正日趋成熟,因此,他们在购买新的智能设备时,期望值也显著提高。这给移动设备制造商带来了巨大压力,迫使他们必须在创新和控制成本投入之间取得平衡,以便能在竞争高度激烈的市场中推出具有价格吸引力的旗舰设备。这一点在中国和其它高增长市场尤其显而易见。SanDisk闪迪的iNAND 7232嵌入式闪存是满足这种需求的理想解决方案,除了小巧之外,它还能帮助设备制造商推出消费者期待的产品:可靠稳定的超大容量、超越预期的数码摄影功能和优秀的应用体验。”
打造新一代移动体验
iNAND 7232存储解决方案采用了先进的应用级架构和创新存储技术,不仅增强了移动设备现有的拍照能力,更可助力于实现应用体验的突破。
iNAND 7232存储解决方案配备了SanDisk闪迪第二代SmartSLC技术。这是一种创新型存储架构,可快速且智能地即时响应移动用户不断变化的需求。iNAND 7232的速度超越了前几代iNAND存储解决方案。其顺序写入速度最高可达150MB/s,也称1.2Gbps,较上一代产品提升了25%2。在应用性能需要时,iNAND 7232智能存储解决方案甚至可达到更高的顺序写入速度。这有助于打造响应迅速的移动设备体验,其中包括:轻松捕获4K超高清视频、通过802.11ac/802.11ad快速以及在光线较暗的条件下捕获未压缩(RAW格式)影像。此外,它还能提升3D、虚拟现实等多摄像头和景深传感器的性能。
iNAND 7232存储解决方案基于e.MMC 5.1+ HS400规范,包含命令队列(Command Queue)功能。这进一步提高了随机读取速度,加快了数据密集型应用的响应速度。
先进的级技术
iNAND 7232基于SanDisk闪迪先进的15纳米(nm)3位元型(X3)NAND闪存技术。
现已向客户提供iNAND 7232存储解决方案样品,容量从32GB至128GB。
具体功能和规格包括:
最新的e.MMC规范:基于e.MMC 5.1+ HS400规范,包含命令队列功能。
专为新的Wi-Fi标准而设计:传输速度快,支持GB级无线传输;遵从802.11ad;支持802.11ac 2X2速率。
速度比上一代产品显著提升:顺序读取速度最高可达280 MB/s,顺序写入速度最高可达150 MB/s2
超薄外形便于集成到超薄主机设备中:封装尺寸仅为11.5mm x 13mm,薄至0.9 mm。
便于集成,为缩短移动设备的产品研发周期而优化:iNAND 7232存储解决方案拥有领先的模拟、故障处理和设计工具的支持,移动设备制造商可方便快速地将其集成到移动设备设计中,从而能够缩短产品研发到上市的时间。
参展世界移动大会?上海
SanDisk闪迪今日还宣布,自十年前开始批量发售至今,公司已售出超过20亿张microSD?卡。microSD存储卡格式于2004年由SanDisk闪迪公司创造,最初以Trans?命名。2005年,SanDisk闪迪将这一技术提交至SD协会,SD协会于日重新命名并发布了microSD卡格式的最终审定规格。这一格式自此成为了SanDisk闪迪历史上最受欢迎的可更换式存储卡。SanDisk闪迪售出的20亿张microSD卡统计可以提供约111, 030亿MB的存储容量,相当于为每一位曾经和正生活在地球上的男女、小孩提供超过100MB的闪存。
此外,SanDisk闪迪还将在2015世界移动大会?上海的展位(第五展厅W5 G.90号展位)上展示其全线的嵌入式与可更换式移动存储解决方案组合,包括最新推出的iNAND 7232存储解决方案。
关于SanDisk闪迪iNAND系列产品
SanDisk 闪迪iNAND存储解决方案已为全球数千万移动设备带来卓越的用户体验。SanDisk闪迪iNAND产品系列可为性能各异的设备提供嵌入式存储解决方案,并提供4GB至128GB的容量选择。SanDisk 闪迪iNAND EFD产品系列包括iNAND 7132、iNAND 7232、iNAND 3120、iNAND 和iNAND 7030 EFD。SanDisk闪迪的iNAND存储解决方案提供EFD(Embedded Flash Drive-嵌入式闪存器)和MCP(Multi-Chip Package-多芯片封装)两种存储形式,并可为平板电脑、智能手机、电子书阅读器、个人媒体播放器和导航设备提供快速响应能力、更强的多任务处理及浏览能力、更长的续航时间及更好的用户体验。
SanDisk闪迪与全球所有主流智能手机和平板电脑厂商均有合作。SanDisk闪迪优化了其iNAND解决方案组合,使其能够支持业内领先的各款应用,帮助提升基于Android?、Chrome和Windows?系统的智能手机、平板电脑和其它联网设备的性能。
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 |  | 我妈买了个三星手机 里面怎么有个闪存卡 干嘛用的?_百度知道
我妈买了个三星手机 里面怎么有个闪存卡 干嘛用的?
提问者采纳
这受到相机闪存卡接口性能差异的影响、读卡器优略:内存卡其实真正的含义为外部存储器,其所能正常工作的电压是不同的。即便如此仍旧建议,存储文件使用磁盘,也可能表现出速度的差异,录相存储视频  简介  人们照相要使用胶卷。即便是同种类型的存储卡。SD卡数据传送和物理规范是由MMC发展而来,在实际也表现出不同的存取速度,也受到各厂商制造水平,乃至被连接到的主机性能等因素的干扰。外存卡的叫法可能更加准确,但SD卡却不可以被MMC设备存取,听歌要有磁带,科技的发展,兼容性则取决于应用软件,以避免不必要的错误,录相要用录相带,MMC可以被新的SD设备存取。因此不会出现因插错接口。  编辑本段工作电压  不同类型的闪存卡具有不同的规范。 内存卡  不同类型的闪存卡采用的接口规范各不相同,不存在插错接口的可能,尤其是数码产品的发展,什么类型的闪存卡对应什么类型的接口,促使闪存卡的诞生,自然各自的存取速度也不相同,尺寸大小和MMC差不多,工作电压不同而损坏闪存卡的情况。SD卡与MMC卡保持着向上兼容。   注。目前闪存卡的应用领域范围广泛。不过不同的闪存卡接口也各不相同。  编辑本段存取速度  存取速度是指闪存卡在被写入数据或读取数据时的数据传输速度 ,听歌存储音乐。同一块卡应用于不同的相机,及其它数据都可由闪存卡来代替,也就是说,使得闪存卡迅猛发展,现在照相存储照片
提问者评价
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其他2条回答
单说就是类似于手机内存的扩展、音乐等需求内存较大的文件放进去。一般手机容量出厂比如是8G,系统文件就要占了2~3G甚至更多,留给用户自己使用的很少、看电影,需要大容量的储存空间。平时可以设定将拍好的照片直接存储进卡内、听歌。现在大家都用手机拍照。也可以将电影,不占手机内部空间,用的时候导出就好了。与其花高价买一个大容量手机不如买一张便宜的内存卡、看书什么的
有点类似于U盘,其实差不多就是U盘,只不过只有手机能用而已
三星手机的相关知识
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选择合适的存储卡
选择何种存储卡取决于你希望存储的内容及价格因素。例如,全高清视频需要较大的存储容量。左侧表格清楚显示了不同容量存储卡可以保存多少照片,视频,您可以选择最合适您的存储卡。
近似值:实际数字视文件大小,解像度,压缩率,比特率,内容,主机设备,预载文件及其它因素而有所不同。1gigabyte(GB)=10亿字节。 列出的容量并非全部可供数据储存。需兼容设备,全高清视频(fps),高清视频支持内容有所不同,请浏览/HD。
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闪迪高性能存储卡全家福--必有一款适合您
闪迪提供了一系列不同性能的存储卡,满足不同的消费需要。如果闪迪至尊高速TMCompactFlash&存储卡不是适合的一款,那么请选择闪迪其他的存储卡,总有一款适合您。
为什么选择闪迪?
SanDisk闪迪公司(NASDAQ:SNDK)是全球专业的闪存存储解决方案提供商,从研究开发、产品设计制造和生产制造,到OEM和零售渠道的贴牌生产和经销零售。自1988年以来,SanDisk 闪迪公司在闪存和存储系统技术方面的不断创新为用户提供了革命性的新型数字体验。SanDisk 闪迪公司的多元化产品组合包括闪存卡和嵌入式解决方案,广泛用于智能手机、平板电脑、数码相机、摄像机、数字媒体播放器和其他消费电子设备,以及计算市场的USB闪存盘和固态硬盘(SSD)。
财富500强公司
产品日出货量超过2,000,000件
超过4,900项发明专利
超过260,000家零售店销售闪迪产品
品牌SanDisk/闪迪
型号闪迪(SanDisk) CF卡 至尊高速存储卡
产品类别CF
存储容量16GB
速度等级UHS-I
颜色至尊高速-50MB/S
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<input type=&“神经猫”制造者:如何零费用搞定1亿人?
神经猫是一个很奇葩的故事,一直看到很多人在刷朋友圈,一直没太在意,直到看到神经猫的一个神经数据:一名美工及一名程序员,用1.5天开发完成。神经猫上线一天后获得了23.4万个用户和86.3万次访问,三天后,围住神经猫已经获得了超过一亿次访问,而独立用户数已经超过500万。
关于神经猫不得不关注的3个关键点:
1、HTML5是一个大风口。几乎0费用搞定1亿用户,必须拼风口。
2、神经猫游戏的背后也是用户的贪嗔痴。
3、朋友圈已经成为爆点营销的第一平台,最大挑战是不像微博那样好操控。
===神经猫的分割线:
口述:Egret engine (白鹭引擎)创始人陈书艺
乔布斯的预言:HTML5是趋势
我的经历比较丰富,算是连环创业者。
大二那年在英国读了4个月就辍学创业了。到现在创立的Egret算是第三次创业。我从小对编程就特别感兴趣,是个技术控。还记得那是初二的时候,我就从我家邻居开的网吧那边学编程,算是半自学成才,在大学的时候做个人站长,那时候认识了戴志康。辍学后,我就和几个小伙伴给别人搭网站,给政府做一些专用的软件等外包的技术工作。但是很快,我就发现了问题,我一点管理经验都没有,每天应对着管理的工作,晚上还得维护自己的论坛,后来我就给戴志康打电话,去戴志康的discuz工作了。
在 discuz的两三年工作经历让我锻炼了社交、演讲、管理等各个方面的能力,从一个见到女孩子就脸红的技术宅,变成了可以到处演讲的创业者。后来 discuz卖给了腾讯,我又是一个有着创业理想的一个人,于是就出来了。和几个小伙伴创立了奇矩互动,做社交游戏。这个公司从08年成立,一直做到 2013年。之所以想到要做社交游戏,源于我之前在discuz的经历。运营discuz社区让我对社交社区有了很深的了解,我本身又非常热爱游戏,就想将二者结合起来。后来校内网、开心网都做了平台,他们平台上排在前十名的大约一半的游戏都是我们做的。奇矩互动B轮估值的时候就已经达到了四五千万。但是由于后来我决策上的失误,以及不想再随波逐流去做市场上火爆的游戏。我就退出了。
之所以选择游戏引擎这个领域,一方面源于在discuz学到的开放性思维,开发一个东西,让大家免费用。另一方面是我在奇矩互动的积累。这和我的性格有关,在奇矩互动时候,我主抓了两件事情。第一是建设原创游戏文化,第二是花了最大精力去做技术。我们做原创游戏都是用的自己的引擎,后来马鉴加入我们之后,引擎方面的技术如虎添翼,又由于马鉴这个名人,追随他的技术大牛纷纷来到我们公司,理所当然的我们就想做一个引擎致胜的公司。
乔布斯曾预言,&虽然现阶段原生应用给了用户很好的体验,但基于网页的应用才能代表未来。&HTML5是备受乔布斯推崇的,他曾预言具有开放标准的HTML5将取代Adobe的Flash。三方面原因导致之前HTML5被捧杀。
首先,硬件不成熟。2011年9月份之前生产的手机都没有CPU,没有图形处理的芯片。用HTML5做游戏的话,画面不会很好。而且会很卡,很耗电。
第二,技术标准不统一。每个浏览器技术标准都不同。
第三,网络支持差。没有普及现在的3G、4G。
《围住神经猫》的火爆,让HTML5名声大增
神经猫在微信上的爆红,一时间让无数人关注到了HTML5,也关注到白鹭引擎。这些日子,我们官网的访问量提高了30倍,我的开发群也爆满,新开了两个群,也都快满了。不是技术人员,全部都拒绝入群。万万没想到这样一款游戏可以如此火爆,我理解的《围住神经猫》爆红的原因有三个:
首先,简单,谁点进去都能玩儿。
其次,那只猫的形象是亮点,它太贱了,谁都想扁它一顿。
再次,利用了微信朋友圈。很多游戏都想利用朋友圈,但是用不好,而你用了几步围住神经猫的链接,让大家有PK的欲望。
《围住神经猫》这款游戏写了我们公司的引擎,这几天,好多人给我打电话,有想给我们投资的,有想了解《神经猫》那边的情况的。
其实南京泥巴怪游戏选择Egret,是想验证一下它的性能。因此,就两名普通员工用一天半的时间进行游戏开发。之所以能这么快就开发出来,这源于Egret 框架核心使用Typescript(JavaScript超集)编写,透过它,可以很容易的在iOS和安卓平台的各种浏览器中轻松的运行你的HTML5游戏,并在不同平台浏览器里提供近乎一致的用户体验。同时,Egret提供高效的JS-C Binding编译机制,可以轻松将游戏编译为原生格式。
这套引擎我们沿袭了Adobe Flash的精神,但是所有代码都是我们自己开发的,开发引擎范围内的高手前10名有7名现在在我们公司,所以在全球范围内,我们的引擎是首屈一指的。
作为技术控,我的愿望就是开发出一款最好用的引擎,供游戏开发者使用。我想过HTML5会火,没想到一款神经猫会将我们引爆。但是从这一点可以看出,移动端的页游会像端游像PC端页游方向发展一样,成为大势所趋。而且移动端用户是PC端无法比拟的,随着移动端硬件的不断提升,移动端页游一定会成为下一个游戏风口。
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if (data.status == 1) {
var _this = $('#favorite').find('span');
$.getJSON('/?app=favorite&controller=favorite&action=add&jsoncallback=?&contentid='+contentid, function(json){
if(json.state){
_this.html('求nor flash 和nand flash 的区别2?_内存_百科问答
求nor flash 和nand flash 的区别2?
提问者:钱文诚
6、软件支持:  当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。  在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。  使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被WindRiversystem、Microsoft、QNXSoftwaresystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。NORFLASH的主要供应商是INTEL,MICRO等厂商,曾经是FLASH的主流产品,但现在被NANDFLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。NANDFLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH,由于工艺上的不同,它比NORFLASH拥有更大存储容量,而且便宜。但也有缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NANDFLASH非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。在掌上电脑里要使用NANDFLASH存储数据和程序,但是必须有NORFLASH来启动。除了SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NANDFLASH启动程序。因此,必须先用一片小的NORFLASH启动机器,在把OS等软件从NANDFLASH载入SDRAM中运行才行,挺麻烦的。DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息,一旦掉电信息会全部的丢失,由于栅极会漏电,所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷,并且每读出一次数据之后也需要补充电荷,这个就叫动态刷新,所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息,所以集成度可以很高,容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。SRAM利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器。以上主要用于系统内存储器,容量大,不需要断电后仍保存数据的。FlashROM是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息,因为浮置栅不会漏电,所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高,容量可以很大。Flashrom写入前需要用电进行擦除,而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进行,flashrom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。flashrom主要用于bios,U盘,Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。PSRAM,假静态随机存储器背景:PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格,与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-loadresistorSRAM储存格大不相同,但它具有类似SRAM的稳定接口,内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power6TSRAM优异的长处,例如体积更为轻巧,售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中,有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年,市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。基本原理:PSRAM就是伪SRAM,内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似,但外部的接口跟SRAM相似,不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制,PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等,容量没有SDRAM那样密度高,但肯定是比SRAM的容量要高很多的,速度支持突发模式,并不是很慢,Hynix,Coremagic,WINBOND.MICRON.CY等厂家都有供应,价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点,比SRAM便宜很多。PSRAM主要应用于手机,电子词典,掌上电脑,PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。各种Flash卡:数码闪存卡:主流数码存储介质数码相机、MP3播放器、掌上电脑、手机等数字设备是闪存最主要的市场。前面提到,手机领域以NOR型闪存为主、闪存芯片被直接做在内部的电路板上,但数码相机、MP3播放器、掌上电脑等设备要求存储介质具备可更换性,这就必须制定出接口标准来实现连接,闪存卡技术应运而生。闪存卡是以闪存作为核心存储部件,此外它还具备接口控制电路和外在的封装,从逻辑层面来说可以和闪盘归为一类,只是闪存卡具有更浓的专用化色彩、而闪盘则使用通行的USB接口。由于历史原因,闪存卡技术未能形成业界统一的工业标准,许多厂商都开发出自己的闪存卡方案。目前比较常见的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的MemoryStick记忆棒。CF卡(CompactFlash)CF卡是美国SanDisk公司于1994引入的闪存卡,可以说是最早的大容量便携式存储设备。它的大小只有43mm×36mm×3.3mm,相当于笔记本电脑的PCMCIA卡体积的四分之一。CF卡内部拥有独立的控制器芯片、具有完全的PCMCIA-ATA功能,它与设备的连接方式同PCMCIA卡的连接方式类似,只是CF卡的针脚数多达五十针。这种连接方式稳定而可靠,并不会因为频繁插拔而影响其稳定性。CF卡没有任何活动的部件,不存在物理坏道之类的问题,而且拥有优秀的抗震性能,CF卡比软盘、硬盘之类的设备要安全可靠。CF卡的功耗很低,它可以自适应3.3伏和5伏两种电压,耗电量大约相当于桌面硬盘的百分之五。这样的特性是出类拔萃的,CF卡出现之后便成为数码相机的首选存储设备。经过多年的发展,CF卡技术已经非常成熟,容量从最初的4MB飙升到如今的3GB,价格也越来越平实,受到各数码相机制造商的普遍喜爱,CF卡目前在数码相机存储卡领域的市场占有率排在第二位。MMC卡(MultiMediaCard)MMC卡是SanDisk公司和德国西门子公司于1997年合作推出的新型存储卡,它的尺寸只有32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚邮票差不多;其重量也多在2克以下,并且具有耐冲击、可反复读写30万次以上等特点。从本质上看,MMC与CF其实属于同一技术体系,两者结构都包括快闪存芯片和控制器芯片,功能也完全一样,只是MMC卡的尺寸超小,而连接器也必须做在狭小的卡里面,导致生产难度和制造成本都很高、价格较为昂贵。MMC主要应用与移动电话和MP3播放器等体积小的设备DDR2SDRAM  DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。  此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。  DDR2与DDR的区别:  在了解DDR2内存诸多新技术前,先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。  1、延迟问题:  从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。  这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。  2、封装和发热量:  DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。  DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。  DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。  DDR2采用的新技术:  除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和PostCAS。  OCD(Off-ChipDriver):也就是所谓的离线驱动调整,DDRII通过OCD可以提高信号的完整性。DDRII通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。  ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。  PostCAS:它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(AdditiveLatency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(AdditiveLatency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进新版低延迟DDR2  因此与DDR相比,DDR2存在一个缺点,那就是基于DDR2系统由于受高延迟的影响,性能要略逊色于同频的DDR系统。因此目前支持DDR2SDRAM的内存厂商一些努力解决这个问题,现在他们取得了一定的成绩。  在基于i925和i915芯片组的平台上,早期DDR2-533SDRAM模块仅能工作在4-4-4timings(CASLatency-RAStoCASDelay-RASPrechargeTime)模式下。不过这种情况目前已经有所改观,许多内存制造商,特别象Corsair或OCZ此类为PC发烧友推出先进内存模块的内商,已经推出了支持3-3-3timings规格、工作频率为533MHz的DDR2SDRAM内存模块。  必须强调的是这些模块不是通过超频获得的,而完全符合JEDEC标准(官方文件中DDR2-533修正版的规格:支持3-3-3timings并且电压增加到1.9v)。  英特尔也在最新LGA775系统中对3-3-3timings的DDR2-533SDRAM提供了支持。英特尔公司目前已经正式证实它的新芯片组将支持此类规格内存,并且强调此类的内存将是超级玩家们的最佳选择。理论上,DDR2-533的CAS延迟减小了3个时钟周期是新版DDR2SDRAM的参数最大改进之处:MemoryTimingsLatencyBandwidthindual-channelmodeDDR400SDRAM2.5C3C312.5ns6.4GB/secDDR400SDRAM2C3C210ns6.4GB/secDDR533SDRAM3C4C411.2ns8.5GB/secDDR533SDRAM2.5C3C39.4ns8.5GB/secDDR2-533SDRAM5C5C518.8ns8.5GB/secDDR2-533SDRAM4C4C415ns8.5GB/secDDR2-533SDRAM3C3C311.2ns8.5GB/secDDR2-600SDRAM5C5C516.6ns9.6GB/secDDR2-600SDRAM4C4C413.3ns9.6GB/sec  从上表你可以看到,在4-4-4timings下DDR2-533SDRAM的延迟比普通DDR400SDRAM还要高,虽然带宽高了30%但仍无法弥补高延迟所带来的性能损失。在3-3-3timings下DDR2-533的延迟有所改进,然而仍比2-3-2DDR400SDRAM的延迟高了12%。不过考虑到DDR2-533SDRAM拥有更高的带宽,我们希望基于新版DDR2的系统性能可以与DDR系统相当。  需要说明的是,提升到3-3-3timings规格并不是DDR2-533改良之路的终点。例如,OCZ已经推出了拥有更高timings规格、并且已经进入量产阶段的DDR2内存模块:PC24200EnhancedBandwidthPlatinum,拥有3-2-2timings的规格!配备这样内存的LGA775平台将比普通的DDR系统拥有更高的性能。  除此之外,主板厂商也已经加快推出支持LGA775的主板,比如像ASUS、ABIT及其它厂商为超频玩家推出的i915/i925主板可以允许DDR2运行在600MHz频率下,而不是533MHz。尽管在JEDEC标准中并没有DDR2-600,但这种内存模式能增加内存子系统的内存,延迟在4-4-4timings下也要比旧版DDR2-533低一些。  除了内存厂商针对发烧者推出了timings更低的DDR2-533内存模块之外,同时DDR2-667模块可以工作在600MHz和667MHz下,因此在LGA775系统上使用600MHz内存将可能在应用中带来一定的实质性影响。因此,今天我们这里将拿基于最新改良的内存的平台与此前的测试平台进行性能测试,看看改良后的新版DDR2是否能为我们带来希望,能否真正终结DDR时代。  需要强调的是,我们在谈论厂商在改进DDR2SDRAM的速度和延迟方面所取得的成绩同时,我们也不要忘记主板和内存厂商目前也努力改良基于DDR平台的性能。当然,在这个领域的进展并没有象DDR2领域那样抢眼,因为JEDEC的DDRSDRAM标准已经推出很长时间、已经没有改动的余地。  DDR400SDRAM的发展之路在达到2-2-2timings规格时就已经画上了句号,因此现有的i865和875平台的内存子系统似乎已经达到最大性能规格并且似乎已经没有改进的潜力。但是事实并不如此,在成功推出2-2-2timings规格的DDR400SDRAM内存模块后,内存厂商已经换到了开发可以运行在比400MHz更高频率下的内存模块。例如,甚至DDR600SDRAM内存目前已经在市场上出现,即它可以运行在600MHz频率下。因为目前所有芯片组的在标准工作模式下都不支持400MHz频率以上的内存,因此只有超频玩家才会对如此高速的DDR内存模块感兴趣。  值得庆幸的是,主板制造者已经解决了这个问题。目前一些主板厂商的工程师可以让基于i865PE芯片组的主板在标准工作模式---即在200MHzFSB下支持533MHz内存。比如ASUSP4P800-EDeluxe就是拥有如此功能的Socket748主板之一,而且基于i865PE芯片组、支持LGA775处理器的ASUSP5P800主板也拥有如此功能。这样,基于i865PE芯片组的系统在处理器的标准工作模式已经可以与更快DDR533SDRAM内存相兼容。  尽管如此,在我们所接触过的最快Pentium4平台(如支持DDR2-533,DDR2-400的i925,i915及配备DDR533和DDR400SDRAM的i875、i865)中,这些平台配备的DDR533SDRAM并没有为系统带来多大的性能提升。从我们此前的测试结果来看,配备DDR533SDRAM的i865PE系统并不比基于2-2-2timingsDDR400SDRAM内存规格的系统快。不过,现在情况已经有所变化。  此前,拥有3-4-4timings规格的DDR533SDRAM内存的地位已经被更高规格的DDR533SDRAM所代替,目前内存模块厂商已经推出了可以在2.5-3-3、3-4-4timings、533MHz模式下工作的DDR533SDRAM内存模块。如此高速的内存模块显然将会把i865PE平台性能提升到一个更高水准。其中出自Corsair之手的TWINX内存模式就是这样的超级DDR内存,它们主要是针对超频玩家制定的超频利器。  这些CorsairTWINX的工作频率为550MHz频率,拥有2.5-4-4timings和2.75v的工作电压,因此它们可以将可以完美工作在2.5-3-3timings、533MHz频率下。因此,我们使用ASUSP4P800-EDeluxe和CorsairTWINX组建成I865PE平台,处理器运行在800MHzFSB下,而内存工作在533MHz(2.5-3-3timings)模式下。行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。  总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。
回答者:葛军扬
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