后使用快捷导航没有帐号？
查看: 1525|回复: 2
关于silvaco软件仿真LED外延的问题
在线时间5 小时
TA的帖子TA的资源
一粒金砂（中级）, 积分 66, 距离下一级还需 134 积分
一粒金砂（中级）, 积分 66, 距离下一级还需 134 积分
请问群里有高手用silvaco TCAD仿真分立器件吗，为什么我用该软件仿真GaN基LED，跑了几次代码，复合效率分布图的数量级居然不一样！代码是我自己写的，如果用库里自带的GaAs基LED模型跑出的数据就会很稳定，是我自己设置的LED结构有问题吗,求高手不吝赐教。
在线时间6 小时
TA的帖子TA的资源
一粒金砂（中级）, 积分 36, 距离下一级还需 164 积分
一粒金砂（中级）, 积分 36, 距离下一级还需 164 积分
有可能是你设计的外延层有问题，导致性能不稳定。比如每一层的厚度、掺杂类型、是不是引入量子阱结构啊什么的。
在线时间5 小时
TA的帖子TA的资源
一粒金砂（中级）, 积分 66, 距离下一级还需 134 积分
一粒金砂（中级）, 积分 66, 距离下一级还需 134 积分
那您帮我分析一下，单量子阱的模型如下：　　其中，蓝宝石衬底0.397μm；省略GaN缓冲层，其上生长n-GaN,厚度为3μm，其掺杂浓度为5×1018cm-3;其上生长InGaN薄膜厚3nm，未掺杂；其上生长p-AlGaN,厚度为100nm，其掺杂浓度为1×1019cm-3;其上生长p-GaN层,厚度为200nm,其掺杂浓度为1×1019cm-3；最后P型电极，无厚度。省略n区电极。
Powered by
逛了这许久，何不进去瞧瞧？Silvaco Joins SIP Next Generation Power Electronics Project &Research and Development on Fundamental Technologies of Gallium Oxide Power Devices&
Silvaco中国SILAN-IC选用SILVACO TCAD工艺和器件仿真软件开发电源装置
3D TCAD仿真在大型公共建筑电力装置的设计和优化中起关键作用
SANTA CLARA, Calif., - 日 - Silvaco宣布中国杭州士兰微集成电路有限公司(Silan-IC)采用TCAD工艺和器件仿真软件开发电源器件和相关的应用。该软件包包括Silvaco 的Victory Process (3D) 和 Athena (2D)工艺仿真、Victory Device (3D) and Atlas (2D)、以及Virtual Wafer Fab（VWF）用于高级分析任务，如实验设计（DOE），和用于工艺或器件的优化
“二维和三维TCAD仿真帮助设计人员更好地了解新的和现有器件的行为和属性和，提供了更好的可靠性和可扩展性，同时也有助于提高开发速度、降低风险和不确定性” 士兰微公司的设计服务部经理Huiyong Liu说。 “经过密集的评估，我们特别选择了Silvaco的2D和3D工艺和器件仿真工具，因为他们有能力帮助我们快速分析大量复杂的3D电源器件结构，同时因为Silvaco团队对客户的盛名积极响应支持。”
“Silvaco的3D TCAD工艺和器件仿真软件的速度与精度能帮助我们的客户降低成本并缩短上市时间，同时实现优化和可靠的设计”， Silvaco的首席执行官David L. Dutton说， “Silvaco是一个为电力电子设计师和制造商提供从TCAD至签收的前端工具的领先供应商。上海Silvaco软件科技有限公司（Shanghai Silvaco Software Technology Co.）正在扩大不断增长的中国市场，我们非常高兴与像士兰微电子这样的创新电力电子公司合作。”
Silan-IC公司简介
杭州士兰微电子成立于2001年1月，坐落于杭州下沙经济技术开发区。本公司专门从事晶圆制造和特殊工艺的研发以及开发增值集成产品。2002年年底，士兰微电子的第一个晶圆生产线 (Fab 1) 投入运营，生产的晶圆用于双极性产品和双极型工艺为基础的分立器件，如肖特基势垒二极管、开关二极管、和齐纳二极管。该公司的第二晶圆生产线(Fab 2) 在2005年3月开始运营，生产0.8um BiCMOS工艺、BCD和功率MOS-FET产品。欲了解关于士兰微电子的更多信息，请访问：
Silvaco公司简介
Silvaco, Inc. 是一家专为工艺和器件开发以及模拟/混合信号、功率集成电路和存储器设计提供软件工具的EDA领先供应商。 Silvaco为纵向市场提供了从TCAD到签收的完整流程，包括：显示器、功率电子、光学器件、辐射和软错误可靠性和先进的CMOS工艺和IP开发。 30多年来，Silvaco 使其客户能够降低成本并在最短的时间内向市场推出优秀的产品。该公司总部位于美国加州圣克拉拉，并在北美、欧洲、日本和亚洲均设有办事处。网址：
新闻/媒体联系:SiC SBD的工艺研究及利用Silvaco模拟特性_硕士论文_学位论文
> 优秀研究生学位论文题录展示
SiC SBD的工艺研究及利用Silvaco模拟特性
关键词: &&&&
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
下　载: 91次
引　用: 0次
SiC半导体材料是继第一代半导体材料Si和第二代化合物半导体材料之后发展起来的第三代宽带隙（WBS）半导体材料,宽禁带半导体是指禁带宽度大于2.6eV的半导体材料。SiC材料由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。肖特基势垒二极管作为金属半导体整流结,可以忽略少子存贮效应,使其具有良好的频率特性,较低的开态电阻,低功耗,而且没有扩散电容,所以较快的开关速度,这些优点决定了它在高频、大功率整流器中的应用。常规的Si SBD的反向击穿电压一般都小于100V,且不适合在150℃以上工作,而弥补了Si SBD的不足,它是高压快速与低功率损耗、耐高温等优点相结合的理想器件。理论表明,制作低开启电压,击穿电压超过5kV,并目能在600℃以上的高温下正常工作。目前国际上相继研制成功了水平较高多种类型的SiC器件,但大部分仍处于实验室研究阶段。国内在SiC器件的研制上起步较晚,与国外的差距很大。SiC材料在高温,大功率和高频半导体器件领域应用的关键工艺之一是制备高稳定性和低电阻的欧姆接触。欧姆接触质量的好坏、接触电阻的大小直接影响器件的效率、增益和开关速度等性能指标。本文从SiC SBD的现实研究意义出发,论述了SiC半导体材料的性质及其工艺,结合金属半导体的接触理论,提出了基于Ni基SiC SBD的相关工艺改进的研究:首先利用Ni硅化物优化了欧姆接触,通过理论上的研究我们得出Ti/Ni-n型SiC的比接触电阻更低;其次基于结终端的研究,引入了p+环并且提高了反向击穿电压,P+环从效果上来说,相当于PN结型二极管与肖特基二极管并联,在反偏情况下,P+环结构增大了边缘耗尽层的曲率半径,从而使边缘电场显著减弱,使SBD的反向特性明显地获得改善,还可以引用二级或三级保护环来提高反向击穿电压;再次,引入超结来平衡了反向击穿电压和正向导通特性之间的矛盾,SJ最大的特点就是降低了导通电阻,同时也改善了器件的阻断特性,为VB和Ron的矛盾关系找到了有效的解决方法,超结的相关理论将会在第四章做详细的介绍。最后,利用Silvaco-TCAD对4H-SiC SBD进行了模拟仿真的研究,仿真结果包括以下两个方面:工艺结构,正向特性,根据预先要得到正向导通电压值来设定相关的工艺条件,编写了仿真程序代码得到了预设范围内的正向导通电压,在仿真过程中引入了p+环有效的提高了反向击穿特性。论文以上述的设计理念为引导,结合了在中国电子科技集团第四十七研究所的工艺生产线Si基肖特基流片经验,从整流理论和肖特基势垒理论出发,同时利用Silvaco软件开展了大功率4H-SiC SBD器件结构模拟和正向特性仿真的研究,以降低器件的比导通电阻和提高反向击穿电压为主要研究目标,通过P+环和超结的引用对SiC SBD的工艺改进从理论上进行分析,采用结构参数优化,引用结终端技术及新的器件结构理论等方法,在保持确定击穿电压条件下,尽量减小比导通电阻,实现了输出功率最大化。
摘要&&4-6Abstract&&6-11第1章 绪论&&11-18&&1.1 本文研究的现实意义&&11-12&&1.2
国内外的研究现状&&12-18第2章 SiC 半导体材料的性质及制备工艺的研究&&18-28&&2.1 SiC 材料的结构和所具备性质&&19-23&&&&2.1.1 SiC 晶体的结构&&19-20&&&&2.1.2 SiC 材料具有的基本性质&&20-23&&2.2 SiC 宽禁带材料的制备&&23-24&&&&2.2.1 SiC 单晶生长&&23&&&&2.2.2 SiC 薄膜的生长&&23-24&&2.3 SiC 器件制作过程中的相关工艺&&24-28&&&&2.3.1 氧化&&24-25&&&&2.3.2 掺杂及退火&&25-26&&&&2.3.3 欧姆接触&&26-28第3章 金属与半导体的接触理论&&28-40&&3.1 金属半导体接触所涉及的基本参数&&28-29&&3.2 肖特基势垒形成的主要模型&&29-34&&&&3.2.1 利用肖特基一莫特模型解释肖特基势垒的存在&&30&&&&3.2.2 肖特基-巴丁模型&&30-31&&&&3.2.3 适合解释SiC 肖特基势垒的模型&&31-32&&&&3.2.4 势垒高度的主要影响因素&&32-34&&3.3 欧姆接触形成原理和获得较低比接触电阻的研究&&34-40&&&&3.3.1 SiC 材料形成欧姆接触原理&&34-35&&&&3.3.2 为获得较低的比接触电阻的研究&&35-37&&&&3.3.3 n 型 SiC 材料形成欧姆接触的金属材料的选择&&37-40第4章 基于 Ni 基 SiC SBD 工艺改进方法的研究&&40-55&&4.1 SiC SBD 欧姆接触及其改进方法&&40-42&&4.2 基于结终端扩展的 SiC SBD 的工艺改进&&42-45&&4.3 引入超结优化 SiC SBD 正反向特性&&45-50&&&&4.3.1 SJ 的特点&&46&&&&4.3.2 SJ SBD 正反向特性的改善&&46-50&&4.4 Ni 基 4H-N 型 SiC 的结构及正向特性的模拟&&50-55&&&&4.4.1 编写仿真程序代码&&50-52&&&&4.4.2 仿真结果分析&&52-55致谢&&55-56参考文献&&56-59
> 工业技术 >&&&&半导体工艺和器件仿真工具-SILVACO TCAD
半导体工艺和器件仿真工具-SILVACO TCAD
SILVACO TCAD软件包被遍布全球的半导体厂家用于半导体器件和集成电路的研究、开发、测试和生产中。 SILVACO TCAD软件处于业界领导地位。
嵌到我的页面
<input type="text" readonly="true" value="">
若举报审核通过，可奖励20下载分
被举报人：
举报的资源分：
请选择类型
资源无法下载
资源无法使用
标题与实际内容不符
含有危害国家安全内容
含有反动色情等内容
含广告内容
版权问题，侵犯个人或公司的版权
*详细原因：
VIP下载&&免积分60元/年（1200次）
您可能还需要
行业下载排行