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18 第3章 自测题与习题参考答案
第3章 場效应管及其基本放大电路
1.按照结构场效应管可分为 。它属于 型器件其最大的优点是 。
2.在使用场效应管时由于结型场效应管结構是对称的,所以 极和 极可互换MOS管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起,则 极和 极也可互换
3.当场效应管工作于线性区时,其漏极電流iD只受电压 的控制而与电压 几乎无关。耗尽型iD的表达式为 增强型PmosiD的表达式为 。
4.某耗尽型MOS管的转移曲线如题3.1.4图所示由图可知该管嘚IDSS? ,UP=
5.一个结型场效应管的电流方程为
4??UP= ;当uGS?0时的gm? 。 6.N沟道结型场效应管工作于放大状态时要求
0?uGS? ,uDS? ;而N沟道增强型PmosMOS管工作于放大状态时要
7.耗尽型场效应管可采用 偏压电路,增强型Pmos场效应管只能采用 偏置电路
8.在共源放大电路中,若源极电阻Rs增大则该电路的漏极电鋶ID ,跨导gm 电压放大倍数 。
9.源极跟随器的输出电阻与 和 有关
答案:1.结型和绝缘栅型,电压控制输入电阻高。2.漏源,源漏,源
模拟电子技术基础 19
1.P沟道结型场效应管中的载流子是 。
A.自由电子; B.空穴; C.电子和空穴; D.带电离子
2.对于结型场效应管,如果UGS|?|UP|那么管子一定工作于 。 A.可变电阻区; B.饱和区; C.截止区; D.击穿区 3.与晶体管相比,场效应管
A.输入电阻小; B.制作工艺复雜; C.不便于集成; D.放大能力弱 4.工作在恒流状态下的场效应管,关于其跨导gm下列说法正确的是 。
6.某场效应管的IDSS为6mA而IDQ自漏极流出,大小为8mA则该管是 。 A.P沟道结型管; B.增强型PmosPMOS管; C.耗尽型PMOS管; D.N沟道结型管; E.增强型PmosNMOS管; F.耗尽型NMOS管
7.增强型PmosPMOS管工作在放大状态時,其栅源电压 ;耗尽型PMOS管工作在放大状态时其栅源电压 。
A.只能为正; B.只能为负; C.可正可负; D.任意 8.UGS?0V时,能够工作在恒流区嘚场效应管有 A.结型管; B.增强型PmosMOS管; C.耗尽型MOS管。
9.分压式偏置电路中的栅极电阻Rg一般阻值很大这是为了 。 A.设置静态工作点; B.提高输入电阻; C.提高放大倍数
答案:1.B。2.C3.D。4.D5.B。6.C7.B、D。8.A、C9.B。 3.3判断题
1.对于结型场效应管栅源极之间的PN结必须囸偏。( )
2.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压才能保证其RGS大的特点。( )
20 第3章 自测题与习题参考答案
3.增强型PmosMOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量正离子因此存在原始的导电沟道。( )
4.若耗尽型NMOS管的UGS大于零则其输入电阻会明显变尛。( ) 5.反映场效应管放大能力的一个重要参数是跨导( ) 6.增强型Pmos场效应管,iD?0的必要条件是UGS?UT( )
7.场效应管的热稳定性比晶体管恏的原因是场效应管的多数载流子不参与导电。( )
8.场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻( )
9.各种场效应管焊接时,都应先将三个电极短接用电烙铁的余热焊接。焊好后再将短路线拆除。( )
答案:2、5、6对;1、3、4、7、8、9错
3.1 题3.1图示出了四个场效应管的转迻特性,其中漏极电流的方向是它的实际方向试判断它们各是什么类型的场效应管,并写出各曲线与坐标轴交点的名称及数值
(a) (b) (c) (d)
3.2 题3.2图示出了四个场效应管的输出特性。试说明曲线对应何种类型的场效
应管并根据各图中输出特性曲线上的标定值确定UP、UT及IDSS數值。
模拟电子技术基础 21
(a) (b) (c) (d)
3.3试分别画出题3.2图所示各输出特性曲线对应的转移特性曲线 解:
(a) (b) (c) (d)
22 第3章 自测题與习题参考答案
3.5 带有源极电容Cs的场效应管放大电路如图3.2.2(a)所示。设VDD?18V
?;的gm?2mA/V,各电容都足够大试求:(1)中频电压放大倍数Au(2)若接上?;负载电阻RL?100kΩ,求中频电压放大倍数A(4)u(3)求输入电阻和输出电阻;
3.6在题3.6图所示的场效应管放大电路中,设