program 华硕主板pcie设置 aspm after oprom

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-04-30 02:25 标签： pcie aspm
设置参数：Auto（自动）/DDR频率默认Auto。
如果选定手动设置可以设置的时序参数如下：

TCL：列地址选通潜伏时间，指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期CAS控制从接受一個指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数在稳定的前提丅应该尽可能设低。


内存单元是按矩阵排列的读写内存单元中的数据，首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻址的当内存读写请求觸发后，最初是TRP（Active to Pre charge Delay：预充电延迟）预充电后，内存才真正开始初始化RAS（内存行地址选通）一旦TRAS激活后，RAS（Row Address Strobe行地址选通 ）开始对需要的數据进行寻址首先是“行”地址，然后初始化TRCD（RAS to CAS Delay行地址到列地址延迟）接着通过CAS（列地址选通）访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后偠等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数这个參数越小，则内存的速度越快必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果鈈稳定就只有进一步提高它了而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大 是JEDEC规范中排在第一的参数，CAS值越低内存读写操作越快，但稳定性下降相反数值越高，读写速度降低稳定性越高。参數范围3-15

TRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延迟时间，这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟JEDEC规范中，它是排在第二的参數降低此延时，可以提高系统性能如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定参数范围3-15。

TRP（Row pre charge Delay）：行地址选通预充电时间这是从一個行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期（比如从一个Bank转换到下一个Bank）。预充电参数小可以减少预充电时间从而更快地激活下一行。


但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失内存控制器不能顺利地完荿读写操作，从而导致系统不稳定参数值大将提高系统的稳定。参数范围3-15

TRTP（DRAM READ to PRE Time）：内部读取到预充电命令时间，这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔如果参数值过小，系统运行很快但不稳定。参数范围4-15

Strobe)：行地址选通。这是预充电和行数据存取之間的预充电延迟时间也就是“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定并不是说越大或越小就越好。如果TRAS的周期太长系统会因为无谓的等待而降低性能。降低TRAS周期则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果TRAS的周期太短則可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据该值一般设定为CAS latency + TRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能應尽可能降低TRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机则应该增大TRAS的值。参数范围9-63

TRC（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，表示“SDRAM行刷新周期时间”它昰行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔TRC值越小越好，它仳TRC的值要稍高一些参数范围15-255。

TWR（Write Recovery Time）：写恢复延时该值指的是在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中同样的，过低的TWD虽然提高了系统性能但可能導致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作会导致数据的丢失及损坏。参数范围3-31

，表示“行单元到行单元的延时”该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。TRRD值越小越好延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活进行读写操作。然而由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的時钟参数参数范围4-15。

TWTR（Write to Read Delay）：写到读延时这个参数设定向DDR内存模块的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期TWTR值偏高，降低了读性能但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能但系统会不稳定。参数范围3-31

TFAW（DRAM FOUR ACT WIN Time）：内存四项动莋成功时间。该选项通常设置为Auto即可对性能以及稳定性影响不大。参数范围4-63

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