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抗干扰的双向可控硅过零触发原理讲解
来源：电源网综合
作者：铃铛
由于控制电路简单、并不存在反向耐压问题，双向可控硅得以大面积应用，并非常适合用来节能型交流无触点开关设计。由于其特性，双向可控硅电路大多被用在强电流网络上，因此抗干扰的能力就变得异常重要。在本文中，小编将为大家介绍双向可控硅的过零触发电路。
过零触发电路
图1 过零触发电路
电路如图1所示，图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR并且起到隔离的作用，R6为触发限流电阻，R7为BCR门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机80C51的P1.0引脚输出负脉冲信号时T2导通，MOC3061导通，触发BCR导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感性交流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。
虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图1中的C2、R8为RC阻容吸收电路。
本文介绍的这种基于双向可控硅的过零触发电路主要应用在交流负载控制电路当中。特备适用于电炉或交流电机这种大型交流电机设备，在经过实践之后也能够证明该电路确实简单、高效、可靠。对于本文中的知识感兴趣的朋友不妨亲自动手进行一下验证，既能起到熟悉知识的作用，又能加强实践能力。
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这个可控硅触发电路里的电阻作用是什么？
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本帖最后由 holddreamair 于
16:53 编辑
这个电路里的R3作用是什么？
满意回复+5
防止误触发。
光耦在初级没有输出时，其次级电流不会为绝对的0电流，必定会有漏电流，如果没有这个电阻，G，K之间为高阻，漏电流*高阻很有可能达到触发电平，会 ...
没有下拉电阻，无触发信号的时候，控制极电平不定，干扰信号耦合过来，可能会误导通；加上下拉电阻，无触发信号时，确保控制极电平为0，增强了抗干扰能力。。。
这是一个门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。可以参考网上的资料：
/app/control/033.htm
这是一个门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
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就没一个人回答一下吗？:(
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提供可控硅控制端的电平:lol
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是这样的吗？不是防止误导通的吗，谁能给解释一下
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很少接触可控硅，不了解
看上去好像是下拉，防止误触发，
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这是一个门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。可以参考网上的资料：
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trevor2011
这篇文章我看到了，不过还是不大理解什么原因会误触发，电阻又是怎样防止误触发的呢？
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这是一个门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
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能不能解释下怎样会误触发？
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holddreamair
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防止误触发。
光耦在初级没有输出时，其次级电流不会为绝对的0电流，必定会有漏电流，如果没有这个电阻，G，K之间为高阻，漏电流*高阻很有可能达到触发电平，会误触发电路。
加上R3之后，R3&&G,K极的输入阻抗，在初级没有输出时，要达到触发电平，其漏电流必须&触发电平/R3，这个漏电流就远远要大才能误触发了。
/tryit/&&智宇创意工作室，软件开发，电路设计及可靠性分析，单片机开发，算法研究。
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virtualtryon
谢谢大家！结贴了
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