基于等离子体色散效应色散效应的硅光调制器有哪些

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硅基集成化光调制器的研究
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摘要 摘要 现代光通信技术正在向单片集成高速大容量全光网络的目标发展，由于光学
回路的运算速度比电子回路快一万倍，光互连技术成为光通信信息处理的重点课
题。如何在同一个高密集芯片上产生光、传输光、探测光、控制光、应用光成为
国际学术界的研究热点，那么核心问题就是集成。Si是目前大规模用于电子集成
技术的材料，在光通信波长范围内具有很好的光透性，同时它具有高折射率，利
于实现高折射率差系统结构，适合制作各种结构紧凑的光波导器件，另外其工艺
与成熟的互补金属氧化物半导体 CMOS -V艺兼容，便于实现光子、光电子集成。
大规模集成光路要求器件的结构紧凑、性能优越、工艺成熟、成本低廉，那么绝
缘体上硅 soi 技术是合适的选择。为了能够实现硅基高密集集成光路，减小光波
导的尺寸是必然的趋势。研究亚微米SOI光波导的光传输特性以及基于亚微米SOI
光波导的各种器件成为国际学术界的难点、热点。微环谐振器是集成光路中最重
要的器件之一，单一器件能实现多种功能，例如滤波、开关和调制器等，是光分
插复用的基本单元；电光调制器和电光开关分别调制光信号和路由光信号，是全
光网络的关键器件。因此，硅基集成化电光调制器的研究为集成化光网络实现商
用提供了技术理论支持。 本文在以分析设计高性能SOI电光调制器为目的的基础上，使用三维全矢量
虚位移束传输法对亚微米SOI光波导的模式特性及偏振特性作了严格的计算，实
验结果证明本文的方法简单，结果准确，与现有文献相比更切合实验结果。同时，
本文采用散射矩阵法及时域有限差分算法对微环谐振腔各性能参数进行了系统的
分析推导和仿
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【doc】硅的等离子体色散效应及其应用
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3秒自动关闭窗口全硅集成光学——理论与工艺（Ⅹ）（续九）①第十讲干涉型硅波导电光调制开关赵策洲（博士，副教授）高勇②（西安电子科技大学，西安７１００７１）中图法分类号：ＴＮ２５１引言无间距定向耦合调制开关利用了最大的模色散（Δβ），而不要求特殊的制造长度，可以得到很低的串音度（理论上低于－４０ｄＢ）［１］。这种开关被提出后，人们对以ＬｉＮｂＯ３材料为主进行了广泛的研究。目前在ＧａＡｓ和Ｓｉ等半导体材料上研制成了这种光开关［２～８］。Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ（ＭＺ）干涉型调制开关是一种典型的通过相位差来调制强度的器件，ＬｉＮｂＯ３和化合物半导体等材料制作的ＭＺ干涉型调制器［９］（利用线性电光效应）已被广泛应用于光通信系统中进行光信号调制。硅ＭＺ电光调制器则主要利用硅的等离子体色散效应，通过改变折射率使导模相位发生变化进行调制。２无间距定向耦合开关在第六讲我们...
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