求上海成都先进功率半导体半导体轮班津贴比例多少

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-05-24 05:15 标签： 上海先进半导体怎么样
上海先进半导体公司
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半导体器件具有效率高、控制性能好、体积小、重量轻、使用可靠等许多优点。因此，采用电力电子技术对电力稳压器进行升级换代，已是大功率电力稳压器的主要发展方向。上海潘登新电源公司于1999年起，针对市场对新一代大功率稳压电源的需求，投入大量研发经费和技术力量，结合自身十几年电力稳压器生产经验，对传统的大功率补偿式电力稳压器进行升级换代改造，终于研制成功DBW5/SBW5型系列大功率无触点补偿式电力稳压器...
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、操作系统等研发和应用取得重大突破。
“复盘看，我们取得的重要进展无不是自主研发的成果。”在上海兆芯副总裁傅城看来，并购可以帮助产业迅速打基础、完成转型；但基础核心领域的技术只能靠自主研发。“不管是北方微电子，还是中微半导体、江丰电子，都是自主研发的成果，并购是买不来这些技术和竞争力的，自主研发才是安全可控的出路。”
随着“可用”目标的达成，中国集成电路进入“创新”时代渐成业内共识，创新力成为整个...
，总部位于上海张江高科技园区，产品涵盖专用集成电路芯片（锂电池快充、LED背光/闪光灯驱动、移动电源主控、段式LCD驱动、ASK无线收发芯片等）和半导体功率器件（TVS、MOSFET、TSS 、Transistor、Diode等）。
芯导电子拥有先进的集成电路和功率器件的设计、工艺、测试技术和质量管理经验，历来十分重视研发投入，建立了先进的品质保证体系，秉承技术先进、质量可靠、持续改进的品质...
2017中国（上海）国际传感器技术与应用展览会 （Sensor China Expo 2017） 中国唯一以传感器为主题的展会！打造亚洲最大的传感器产业盛会！ 专注于新产品、新技术、新动态、以用户为导向的传感器专业展会！ 2017年 9月11-13日上海file:///C:/Users/star/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01...
，年产能大幅扩充将是营运的重心，中芯国际除宣布在上海厂区投资兴建新的12寸集成电路生产线共计新增总投资近千亿元人民币之外，同时也将扩充位于天津西青经济技术开发区8寸厂的产能，更将在深圳新设12寸晶圆生产线，显示采取产能充分扩张政策。
集群效应显现安徽大时代软件公司半导体产业黄金期...
时尚的外形、百公里加速3.2秒、续航440公里，这些都是特斯拉Model S作为一款纯电动汽车所展示给人们的数据。Model S之所以能够拥有不逊于传统燃油车的性能表现，除了电动机技术之外，还要得益于特斯拉先进的电池技术。近日，国外牛人将一辆特斯拉Model S的电池板给拆开了，一探究竟。想看拆解原文点这里：拆解特斯拉电池组，探究美帝黑科技！
特斯拉的ModelS用了7000多节...
中心坐落于美国的德州普拉诺市,另外 16 家设计中心坐落于欧洲和亚洲。公司在超过 20 个国家拥有共约 2,100 名员工,并于世界各地的重要市场（如北京、上海、东京、首尔、新加坡等地）设立了销售办事处。不过目前，艾迈斯在中国并没有设计中心。对于此，Alexander称，艾迈斯有65%的收入来自亚太区，其中中国是非常重要的一个市场，艾迈斯已经考虑到了这个问题，由于各地的设计中心都是通过收购而来的...
尤其关键。
产品详情请访问：SWLNA0012031超宽带低噪声放大器模块 盛铂科技发布0.1~20GHz超宽带低噪声放大器
盛铂科技（上海）有限公司成立于2013年3月，公司总部坐落于上海漕河泾新兴技术开发区。公司采用具有自主知识产权的技术（全球首创的one-box宽带矢量技术）并结合引进的国际先进的测试测量产品和技术，利用自身在数字信号处理、射频、高速信号完整性、功率电子和半导体测试领域...
高低温度变化的影响不大，这对于有严苛的使用环境且对频率源信号性能有较高要求的应用尤其关键。产品详情请访问：频率源模块
盛铂科技发布SWFS系列25MHz~12.5GHz超宽带低相噪小型频率源模块 盛铂科技（上海）有限公司成立于2013年3月，公司总部坐落于上海漕河泾新兴技术开发区。公司采用具有自主知识产权的技术（全球首创的one-box宽带矢量技术）并结合引进的国际先进的测试测量产品和技术...
公司登台领奖↑
[img]/uploads/FCKeditor/images/%E8%8E%B7%E5%A5%96.gif[/img]
第五届中国创新创业大赛获奖证书↑
盛铂科技（上海）有限公司成立于2013年3月，公司总部坐落于上海漕河泾新兴技术开发区。公司采用具有自主知识产权的技术（全球首创的one-box宽带矢量技术）并结合引进的国际先进的...
。公司采用具有自主知识产权的技术（全球首创的one-box宽带矢量技术）并结合引进的国际先进的测试测量产品和技术，利用自身在数字信号处理、射频、高速信号完整性、功率电子和半导体测试领域的专业优势，向客户提供高质量的硬件和软件解决方案。
盛铂科技致力于成为行业中最专业的电子测试测量供应商，因此我们只在自己最擅长的领域提供最优秀的方案组合，并结合我们自身的研发能力为您提供超出预期的增值服务。盛铂科技...
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上海先进半导体制造股份有限公司
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资讯科技业 - 半导体 - 半导体
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安永会计师事务所
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生产和销售五寸、六寸及八寸半导体晶圆。
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上海先进MEMS特有工艺发展路线图
Thinner and thinner vs. Deeper and deeper
上海先进前道MEMS工艺（不允许可动离子沾污）　　光刻　　　　可提供组合曝光（MEMS领域特殊需求）　　　　1X扫描式整片曝光（CD&2.5μm）　　　　1X接近式单面/双面曝光（CD&2.5μm）　　　　5X步进式曝光机（CD&0.6μm）　　　　常规和特殊工艺的涂胶和显影（双面、非常厚光刻胶、键合面光刻胶等）　　刻蚀　　　　深反应离子刻蚀（深宽比为1%~99%，刻穿，高深/宽比刻蚀，无底切，底部倾角良好，scallop量小等）　　　　硅湿法腐蚀　　　　二氧化硅/氮化硅刻蚀　　　　多晶硅刻蚀　　　　灰化　　　　金属刻蚀（干法/湿法）　　　　DLC刻蚀（LAM RAINBOW 4520)　　　　其他（BOE, DHF, 49% HF, H2O2+H2SO4, H3PO4, 清洗工艺）　　炉管　　　　N型炉管（1200℃）　　　　P型炉管（1200℃）　　　　低压化学气相淀积二氧化硅　　　　低压化学气相淀积氮化硅　　　　低压化学气相淀积多晶硅（N+/P+/非掺杂，510℃ to 620℃）　　　　金属合金　　薄膜　　　　金属溅射（VARIAN, MRC, ENDURA, VAPORATE for Ti, TiN, TiW, AlCu, AlSiCu, Ta, Pt, TiNiAg, Au etc.）　　　　非金属（oxide，低应力SiN，DLC）　　　　外延（桶式/单片式）　　键合　　　　SOI和C-SOI能力上海先进后道MEMS工艺（允许可动离子沾污）　　光刻　　　　1X扫描式整片曝光（CD&2.5μm）　　　　1X接近式单面/双面曝光（CD&2.5μm）　　　　常规和特殊工艺的涂胶和显影（WEE、高台阶喷胶等）　　刻蚀　　　　深反应离子刻蚀（专门的后道设备）　　　　硅湿法腐蚀　　　　金属湿法腐蚀（Ti, TiN, TiW, AlCu, Cu）　　　　二氧化硅刻蚀　　　　氮化硅刻蚀　　　　灰化　　　　DLC刻蚀　　　　其他（BOE, DHF, 49% HF, H2O2+H2SO4, 清洗工艺）　　键合　　　　阳极键合　　　　共晶键合　　　　BCB键合　　炉管　　　　低压化学气相淀积多晶硅（非掺杂，510℃~620℃）　　　　合金　　薄膜　　　　金属溅射（Ti, TiW, AlCu, Cu）　　　　非金属（SiO2, SiN, DLC）　　　　铜电镀　　减薄　　　　磨片　　　　边缘处理　　　　划片
上海先进MEMS专用设备
　　上海先进拥有超过10年的MEMS喷墨头加工经验　　上海先进工艺能力可以满足3轴陀螺仪、加速度计、流量传感器、压力传感器及光学MEMS等代工要求　　当前产能：3000片/月（计算基于20次光刻、6次DRIE和2次键合工艺）　　与多家在MEMS领域有较强实力的科研院所建立战略合作伙伴关系　　MEMS产线分为前道和后道，前道不允许可动离子沾污并与5"/6"IC线混合，后道允许Na+、K+的存在　　5"/6"厂面积4300m2，MEMS fab面积300m2
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