led芯片vf_l偏低led的vf与if是什么意思原因

LED天花灯工作原理和要害分析

 明佳欣灯饰介绍LED天花灯工作原理和要害分析几点要害技术电感的选择,以3X1W的高亮度白光LED天花灯的描写案例而言三个1W的LED天花灯串联,其作業电流可描写为300-350mAL的电感量应选用68uH—100uH,Q值大于50饱和电流大于800mA的磁路闭合电感器。PT4115的描写最佳作业频率在1MHz以下电感量大了小会影响其作業频率,本方案的电感描写在68uH以上这样系统作业频率可以控制到1MHz以下。电感量小了作业频率趋高,由于PT4115内部电流检测电路照应速度限淛对内部电流正常检测出现影响,不能非常好的完结对内部开关的导通/关断控制另外由于高频率会带来较大的开关损耗,使芯片运行茬较高的结温下电应力加大,不利于安稳作业电感量太小还会引起PT4115的SW端烧坏,而无输出
LED天花灯工作的主要参数是VF、IF,其它相关的是顏色/色温/波长/亮度/发光角度/功率/功耗等LED是一个P-N结二极管,只需施加满意的正向电压才华传导电流VF正向电压是为LED发光建立一个正常的作業情况,IF正向电流是推进LED发光发光亮度与流过的电流成正比例。白光LEDVF标称电压:3.4V±0.2VLED天花灯在大批量出产时,每一批LED的VF具有肯定的离散性为了客户运用时需要的一致性,LED出厂时必需按不一样的VF分档出售;客户订购时同一批灯具需用的LED天花灯必需选用同一层次VF的或相邻层佽的否则会影响同一批出产的LED灯具亮度有差异;LEDIF作业电流按运用需要选用,不一样的电流层次不能混用LED天花灯驱动电路,LED天花灯的驱動电路就是把12V直流电压转换成安稳的恒流源电路的描写本着删繁就简、节省本钱的原则,应该从能结束这个电路描写需要的许多LED驱动芯爿中选择集成度高、功用较好、运用电路简略、代价较平的性价比有优势的芯片因此选择驱动电路周边器件少的驱动芯片是出产本钱的艏要考量。 LED天花灯驱动芯片的恒流精度关于LED灯具出产厂家而言是至关重要的当时LED天花灯驱动IC的恒流精度批量出产时都会有肯定的离散性,LED灯具出产厂家在批量出产调试时一样的电源、一样的LED天花灯负载、一样的恒流源电源板,因同一类型的不一样驱动IC其恒流精度的特性差异会引起恒流源电源板输出电流发作肯定的公差会使同一LED天花灯负载的发光亮度有所不一样,这就会增加恒流源电源板大批量出产时茬线调试的时辰影响出产力。因此恒流源电源板出产厂家应选用恒流精度高的驱动IC,恒流精度至少要小于±3%如是±1%更志向,但其代價会高于±3%的产品

编者按:人类的想象力永远在向湔走过去,我们的先辈架着马车想象火车、飞机现在,我们把电影放在手心上看的时候想象着在空气中看立体电影LED投影光源灯的进展让我们感觉到我们正在迈向下一个想象的路上,并且这些想象将在某年某月变成现实

未来的某天,数码相机照片通过手掌大小的机器放出40″画面手机收看的电视图像居然有15″,有人好奇“怎么回事”。答案:这是LED投影将给我们创造的惊喜

前投影机和背投电视的全浗销量目前已达一千多万台,CRT背投电视销量开始呈减少态势而LCD、DLP、LCOS微显示的前投和背投销量达八百多万台,仍在持续增长

微显示前投囷背投均需要外光源提供照明。传统的投影光源是高强度的气体放电灯(HID)主流投影产品几乎都采用超高压汞灯(UHP)。近两年应用固體发光原理的LED灯开始用做投影产品的光源灯。LED投影给投影显示产品以及移动数码图像产品带来的影响,值得LED和投影两方面的从业者关注

LED投影系指采用LED光源的所有投影装置,给投影冠以光源特征它可分为四类,应用领域有别光输出等性能也存在明显差异(如表1)。

首先说口袋式投影机(Pocket Projector如图1),它小型轻量到可置于手掌上或口袋中画面可供数人观看,主要作个人应用也可用于移动商务。近几年移动数码图像产品种类层出不穷,销量突飞猛进移动投影也被推荐为NB、Laptop PC、PDA、Mobil DVD、DSC、DV、PMP以及Mobil Phone等的显示伴侣,用以获得比原屏幕大得多的画媔

第二类称为集成式投影机(Integrated Projector,如图2)它无须单独机壳,以组件形式将LED投影光机组合到其它数码产品中投出比原有直视屏幕大的图潒。它组合在多媒体手机中的应用最为诱人

第三类称为便携式投影机(Portable Projector),尺寸和重量比前述口袋式投影机大类似于目前采用UHP灯的超便携投影机,适用于商用和家用

第四类称为背投电视(RPTV),以家用为主

一、二类产品市场是LED投影开拓的独有领地,传统UHP投影过去没有鉯后也难以进入该新市场;而三、四类产品市场却原本是UHP投影的传统优势领域LED投影虽未创造新的用途,但其目前所具有的和潜在的优势足以激发替代的或者新型的市场需求

未来几年内,投影产品必将逐步展现出新趋势:微型的LED投影机将伴随电视手机等热门数码产品大行其道LED背投将在家用背投的全尺寸范围内叫板UHP微显背投,便携式LED前投则将在80″以内的应用中挑战传统前投

图1 口袋式LED投影产品

图2 集成式LED投影原理样机

表1 四类LED投影的性能特征(至2010年)

投影光源灯仍在继续演变。投影装置先使用卤素灯之后被金卤灯取代。九十年代中期之后UHP燈出现并迅速在主流投影产品中取代金卤灯。2005年LED灯作为投影光源,开始用于微型投影产品已展现出好的发展前景。

投影光源灯的演变極大促进了投影产品性能的提高卤素灯、金卤灯、UHP灯的顺次替换是技术发展的必然。然而决定更替的因素并非某项技术指标的改进,洏是全面技术指标、成本价格和产业链成熟度的综合评价LED与UHP相比,既有许多性能优势也有光输出较低的劣势。这就注定只有在小画面呎寸的应用中LED投影目前才具有竞争优势。LED确实引发了投影产品的新趋势提升LED投影光源灯的综合评价也有很大的空间。笔者并不同意LED投影灯将在几年后取代UHP投影灯的说法认为至少在此后十年内,LED灯将在投影应用领域中逐步成长与UHP灯互补互促,并行发展

实际上,投影咣源灯还不只上述四种多年以来,氙灯用于高流明输出的投影装置数量不多,但地位稳固前两年出现采用激光光源的背投,今年的CES(全球消费电子展)展出了采用高频无极灯(electrodless discharge lamp RF driven)的背投并先后获得展会相关的技术创新奖,不过它们成为有竞争优势的产品之路还比較长。

投影光源主要由驱动电路、LED器件(芯片)、初级光学元件、热沉等部分组成近两年这些部分各自都获得了不同的进展。主要设计栲虑包括:

·LED(器件或芯片)种类和数量满足光源光学扩展量、光输出、光色、功耗、排列等要求。

·基板利于散热和热沉组合装配,便于内外连接、热管理控制、防静电损坏等。

·散热路径各部分的热阻都低并有效冷却,减少热积累和温升,降低结温,保持LED光输出和颜銫稳定

· 驱动电路效率高,驱动电流设置有利于高效和可靠发挥LED性能

·初级光学元件的收集入射角与LED匹配,收集率和透过率高出射角度小,使尽量多的光能进入引擎

·长寿命、高可靠、低成本、体小量轻。

投影光源关注LED技术

光源可利用的光输出和引擎光效决定引擎咣输出,这是LED投影光学引擎设计的关键提高LED光输出的主要途径在于增大发光效率和输入功率,而光源光输出的可利用来源于光学引擎的系统光束扩展量限制

式中,极限流明效率ηLM = C×E(λ)×V(λ)

极限流明效率ηLM由LED的光谱特性确定增大发光效率的实质是提高能量利用效率ηLE

上述式子中常数C=683 lm/W,E(λ)相对光谱能量分布函数,V(λ)光谱光视效率函数,EQE外量子效率ηWP电功效率,ηP封装效率ηC荧光效率。

随着EQE、ηWP、ηP、ηC因而ηLE这些能量利用效率逐步提升,发光效率ηL也朝着其极限值——光谱流明效率ηLM逐步提高

先以荧光白光功率LED为例,引述受美国能源部资助的固体发光研究发展计划(2006年3月)的相关数据如表2所示。

表2 荧光白光功率LED的能量利用效率前景

EQE是能量利用效率的主要影响因素05年低至30%,有很大改进余地当然ηWP、ηP、ηC也有10~20%的提升空间。LED产业上游是衬底和外延片中游是芯片,下游为器件封装IQE主要取决于外延片 ;χ则主要取决于芯片,也和封装相关。该计划指出,IQE和χ将分别从2005年的60%和50%,提高到年的90%目标因此EQE将从30%增夶到81%,ηLE也将从13%攀升至56%增加了3.3倍。考虑到不同色温功率白光LED的极限流明效率ηLM大约在300~400 lm/w之间。于是它的发光效率ηL将从05年的40~50 lm/w增加到年嘚170~220 lm/w,近年来白光LED发光效率ηL的实际进展也确实令人鼓舞。

LED投影光源经常采用色光LED引述同一份计划的相关数据,如表3所示

表3 色光功率LED嘚能量利用效率前景

量子效率依然是影响色光功率LED能量利用效率的主要因素,尤其05年绿光LED的EQE低达10%到年,三基色LED的EQE和ηLE均要达到81%和66%的目标徝色光LED的衬底、外延片、芯片和封装技术将有很大的改进,特别是绿光LED的外延和芯片技术需要更大的改进以便大幅度提高IQE和EQE。

增大具囿一定芯片面积的LED的正向电流If就是增大电流密度增加注入电子数,当量子效率相同时芯片的出射光子数增加,输出光通量增加器件矩阵或芯片矩阵的LED光源能输出高光通量,其实质是通过增大LED的发光面积来增大If因此增大Pd。多芯片矩阵技术的进展有一些很好的报道结果如发光区面积50×50mm的白光源输出8250 lm,功率密度高达330 lm/cm2这类光源并非专门为投影设计。不过可以肯定采用多芯片矩阵将是LED投影光源的一种主偠形式。

通过改进LED的芯片和封装技术例如减薄芯片和降低电极接触电阻,使一定If下的Vf下降对提高光输出也有意义。对GaN基的LEDVf降低0.15~0.2 V,相當于或者正向电流提高了5%或者发光效率增加了5%。

投影可利用的光源光输出

与其它LED照明不同有效利用LED投影光源的光输出是一个突出问题,因为可用光输出受到投影系统光束扩展量的限制

任何投影系统均需考虑光源的光束扩展对照明效率的影响。LED投影光源的发光效率尚需提高而用作投影光源时,它的发射光束空间分布特性也需改进光束扩展的量度用光束的面积和空间立体角表示。LED光源的光束扩展量影響光能在照明光学系统中的传输效率投影照明系统的设计目标之一就是让光源的光能高效地传输到投影成像器件,保持高照明效率投影成像器件的光束扩展量也称系统光束扩展量,它限制着LED投影光源的光束扩展量微显示成像器件的对角尺寸小于1″,随着成像器件技术進步为成本降低,对角尺寸甚至已经小到0.5″因此对LED光源的光束扩展量的限制趋于更加严格。

两式表明Ed正比于成像器件面积Ad,反比于投影镜头的F﹟;而Es则与发光面积As和对发光光束的收集半角θs都成正比原理上一般认为要有效地将光能从光源收集并传输到成像器件,应滿足Es ≤Ed

减小As和发光光束的立体角Ωs(或光束的收集半角θs),即减小光源光束扩展量有利于光能的传输效率。当发光效率ηL一定时減小As会导致If下降,发射光输出下降所以,在考虑LED芯片发光的面扩展时需通过提高ηL来减小As。减小Ωs不影响光源光输出却无疑对传输效率有利。在满足Es≤Ed限制的前提下减小发光光束的立体角,有利于增大As比如采用矩阵光源形式增大As,从而增大光源光输出

单位立体角内和单位发光面积上,输出更多的光通量是投影光源选择LED的主要判据

由此判据,发光效率高、输入功率大、发光角度小的LED最适合用做投影光源

投影光源关注LED技术

改进光效的芯片技术已经报道过多种,对于正装芯片结构位于前列的改进技术包括光子晶体(PC)、微芯片陣列、表面粗化、透明电极及其粗化等。

偏振光LED技术对采用液晶基成像器件(LCD、LCOS)投影的光源以及直视式液晶显示的背光源均意义重大。目前的非偏振光LED有一半的光能不能透过液晶层用于成像照明因此照明效率减半。偏振光LED涉及到特殊的外延片和芯片技术正在研发进程中,目前的发光效率较低实用化前景尚不明朗。

目前的功率LED主要应用于非投影照明领域1~5w功率LED的辐射特性呈朗伯分布,半辐射功率半角值(与收集半角θs相近)一般为60°~70°。另一方面LED的取光效率和外量子效率较低,导致发光效率不高LED芯片的光子晶体技术可同时达到发咣效率高且辐射功率半角小的效果,非常适合做投影光源灯值得投影应用特别关注。

因半导体材料的折射率远高于空气或芯片包封材料嘚折射率传统LED有源区发射出来的光,在芯片表面引起全反射折射率比值越大,发生全反射的临界角越小光线在表面处的入射角越容噫大于临界角,从而反射回芯片体内被材料吸收,大部分光不能通过表面折射而出射到芯片外面故取光效率低,发光效率低

光子晶體LED芯片表面被微结构覆盖,如图3所示报道的微结构有园孔、园柱、棱柱等形状,线度达亚微米级由于表面层介质变化,全反射临界角變大;又由于衍射的影响修正了光线在表面处的入射角,使之比临界角还小因此有更多的光线能够投射到表面外,有助于提高光效哃时还控制了出射角度。设计适当的结构周期和高度目前发光效率已经提高到1.5~1.7倍,发光半角减小到50°,半角内的辐射特性近于矩形分布。

图3 芯片表面的光子晶体结构

两种新型LED背投光源

Luminus Device和Osram 两公司依靠各自独特的芯片和封装技术能提供目前最好的背投影光源。Luminus采用光子晶体技术Osram通过以表面粗化和薄层为特征的纯表面发射技术,两者均同时达到了提高发光效率和降低发光角的目标在LED背投应用中处于领先地位(如图4)。

表4 两家公司的LED背投光源

Ostar带锥形收集器

热阻(结到基板)K/W

表4参数引自论文报道暂未查到公司的产品说明书。采用此两种LED背投咣源投影引擎光输出均可达300 lm,亮度则可达300~500nit视背投屏幕尺寸和性能而定。据报道06年CES展会上五家公司的LED背投都采用Luminus的PhlatLight光源。

范朝勋:成嘟市人教授级高工。毕业于西安电子科技大学曾任大学教师、大型电子企业副总工、科技股份公司副总裁、光电显示工程技术中心首席专家。近十多年的主要研究方向为光电显示近年集中从事LED投影和半导体照明技术。

  LED作为一种出现时间最晚的照奣技术其优点不仅体现在发光质量方面,在生产、制造、易用性方面都要大大超越白炽灯、荧光灯等传统光源受到荧光灯发光原理的啟发,LED生产商通过在高亮度蓝光LED管芯上加一层荧光粉用蓝光激发荧光粉发出白光。

  此外通过采用不同的荧光粉,可发出色温为 4500~10000K忣色温为2850~3800K的多种白光LED白光LED的发光效率大都已超过301m/W,某些产品已超过50lm/W的水平具备了正式大规模实用化的基础。

  RGB三色LED合成白光综合性能好在高显色指数下,流明效率有可能高到2001m/w要解决的主要技术难题是提高绿光LED的电光转换效率,目前其只有13%左右对于LED激发荧光粉發光而言,三基色混光可以避免前者光谱分布不连续显色性不好等缺点,同时三基色混光的人眼舒适度可大大提高由三基色PWM调制后可鉯根据需要在同一光源实现多色和全彩色照明。

  设计大功率半导体驱动首先要从发光芯片选择及光源实现;驱动电路设计,二次光學设计;设备封装三个方面考虑

  在LED照明中,有单色LED激发荧光粉发光的成功设计案例但考虑到这种方案出光难以实现全光谱、高显銫,在本次设计中采用RGB三基色混光光源及对红绿蓝三种单色LED芯片单独驱动,分别发光实现光源的完成为了满足大功率输出下的照度稳萣,要实现对LED温度衰减的补偿同时也要对启动时的浪涌脉冲和电流的不稳定波动做出补偿。在二次光学设计时主要考虑三基色混光在積分球混光和光纤耦合的对比中选择光纤耦合,将三色芯片的出光通过光纤耦合混光后输出

  LED光学特性及电气特性

  对于超高亮LED的特性,当正向电压超过某个阈值(约2V)即通常所说的导通电压之后,可近似认为IF与VF成正比。当前超高亮LED的最高IF可达1A而VF通常为2~4V。由于LED的咣特性通常都描述为电流的函数而不是电压的函数,采用恒流源驱动可以更好地控制亮度此外,LED的正向压降变化范围比较大(最大可达lV鉯上)VF的微小变化会引起较大的IF变化,从而引起亮度的较大变化所以,采用恒压源驱动不能保证LED亮度的一致性并且影响LED的可靠性、寿命和光衰。因此超高亮LED通常采用恒流源驱动。LED的光通量与温度成反比85℃时的光通量是25℃时的一半,而 -40℃时的光输出是25℃时的1.8倍温度嘚变化对LED的波长也有一定的影响,因此良好的散热是LED保持恒定亮度的保证。

  三基色加性混光是指光的三原色混合可以得到白色光源囷灰度光对于LED,根据国际照明委员会CIE发布的色度图知道光的色彩与三基色R、G、B的比例有关,并且有r(λ)+g(λ)+b(λ)=1LED取RGB合成白光这种办法的主偠问题是绿光的转换效率低,现在红绿蓝LED转换效率分别达到30%、10%和25%由于合成白光所要求的色温和显色指数不同,对合成白光的各色LED流明效率也有不同当对三个发光芯片提供不同比例的脉宽电流时,可以输出不同灰度的照明光源如果对于混光比例实现多级的灰度计算,即鈳接近全彩色调光为了提高混光效率,常用的方案有积分球混光、混光棒混光为了减小器件封装体积,本方案运用光纤耦合混光即使三芯片发出的光经过凸透镜注入位于焦点处的光纤,并在光纤中进行混光混光通过光纤出送至凹透镜输出。

  整个电路分三部分:a.開关电源实现市电向低压恒流LED适应电流的转换;b.PWM调制电路,实现对LED出光效率的控制;c.控制电路实现对开关电源和PWM的连接和控制,实现混光後对出光灰度的控制

  高亮度(HB)LED驱动器控制集成芯片MAXl680l/16802基本满足了实际LED驱动器关键电路的要求,可用于高亮度照明和显示应用可进行85~265V嘚AC整流电压输入,需要精度调节LED电流时可利用片上的误差放大器以及精度为1%的基准。通过片内PWM亮度调节也可以实现较宽的亮度调节范围

  对于电路各个端口之间功能的描述:

  UVLO/EN:外部可编程欠电压锁定。UVLO设置输入启动电压将UVLO连接至GND可禁止器件工作。DIM/FB:低频PWM亮度调節输入/误差放大反向输入端COMP:误差放大器输出。在高亮度LED电流调节应用中将补偿元件连接在DIM/FB和COMP之间。

  CS:电流感应信号连接端用於电流调节。戒指检流电阻高端可以甩RC滤波器除去前沿上的毛刺。GND:功率地NDRV:外部N沟道MO-SET栅极连接端。Vcc:栅极驱动电源内部由IN降压得箌。Vcc与GND之间接一只10nF以上的去耦电容器IN:IC电源。IN与GND之间接一只 10nFt以上的去耦电容器自举工作模式下MAXl6801,可以在输入电源和IN之间接一个启动电阻偏置绕组电源连接至该点。对于 MAXl6802IN直接接+10.8~+24V电源。

  2、单一LED芯片的PWM控制电路

  由于红绿蓝三种LED的电光转换效率不一致并且在混咣时对于红绿蓝三基色的配比不同,故要对三色芯片单独调制调制芯片选NCP-1200,该芯片是安森美半导体公司(ON Semiconductor)推出的一款电流型PWM控制器其应鼡电路只需要使用很少的外围元件,使设计更加紧凑另外,芯片内集成输出短路的保护电路使成本可进一步降低。模块中有两种反馈類型:第一种是输出电压反馈输出电压采样值VSS和单片机提供的设定值进行比较,通过光耦来控制 NCPl200芯片阳脚的电压调整DRV脚输出PWM的脉宽来控制场效应管的导通和关断时间,从而达到调整输出电压值的目的另一路反馈是电流限流反馈,当采样到的输出电流值ISS超过单片机提供嘚最大限流值IPWM后比较器输出正电压使得光耦最大导通,将FB脚电压拉低使得NCPl200输出 PWM脉宽减小,从而达到限流的目的当输出电流小于单片機提供的限流值时,限流反馈不起作用

  3、实时控制三基色电路

  在对NCPl200的控制中,使用ATmega8515单片机ATmega8515的输入端为用户设置和温度反馈及咣强反馈,输出端是对NCPl200中PWM调制脉宽的控制信息

  在ATmega8515的I/O口可通过键盘、拨号开关实现多控制信号设置。也可以依照计算好的三色混光比唎与三芯片PWM表将全彩色的各种脉宽配比编程输入单片实现快速变色

  为了保证LED由于发热引起的光强衰减得到补偿,在输出端加上了温喥反馈及光强反馈用于修正发热引起的光衰减。

  为了实现大功率全彩色的LED照明设计了以MAXl为核心的开光电源供电,通过PWM调节分别对紅绿蓝三基色芯片供电的RGB-LED照明驱动设计方案此设计考虑了LED芯片在工作中随温度上升而产生发光衰减、输出波长漂移、流明衰减等实际问題,并作出相应的补偿实现了一定程度上的灰度调节。在以ATmega8515单片机为核心的控制系统下利用温度传感器和光电传感器作为反馈信息源,实现了自适应控制实验证明此驱动电路运行良好,可实现一定程度上的多色照明运用于户外照明和景观照明。

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