为什么杂质半导体中载流子的扩散少数载流子的浓度比本征半导体中载流子的扩散

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-06-13 21:40 标签： 半导体载流子浓度计算
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杂质半导体中的少数载流子浓度（)奉征半导体中载流子浓度。
D．大于等于
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杂质半导体中的少数载流子浓度(&&)奉征半导体中载流子浓度。&&A．大于&&B．小于&&C．等于&&D．大于等于
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3秒自动关闭窗口半导体的导电特性-购线网
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半导体的导电特性
&& 具有独特的导电性能。当环境温度升髙或有光照时，它们的导电能力&会显著增加，所以利用这些特性可以做成各种温敏元件（如热敏电阻）和各种光&敏元件（如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等）。更重要的是，如果在纯诤&的半导体中加入适量的微量杂质后，可使其导电能力增加至数十万倍以上。利用&这一特性，已经做成各种不同用途的半导体器件（如二极管、三极管、场效应管&和晶闸管等）。
&& 温度、光照和适量掺入杂质这三种因素对半导体导电性能的强弱影响很大，&所以半导体的导电特性可以概括如下。
&& 热敏性：当环境温度升髙时，导电能力显著增强。
&& 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。
&& 掺杂性：当纯诤的半导体中摻入某些适量杂质，导电能力明显改变。
&& 2. 本征半导体
&& 制作半导体器件时用得最多的半导体材料是硅和锗，它们原子核的最外层都&有4个价电子。将硅或锗材料提纯（去掉杂质）并形成单晶体后，所有原子在空间&便基本上整齐排列。半导体一般都具有这种晶体结构，所以半导体也称为晶体。&本征半导体就是完全纯诤的、具有晶体结构的半导体。
&& (1)本征半导体的原子结构及共价键
&& 在本征半导体中，相邻的两个原子的一对最外层电子成为共用电子，这样的&组合称为共价键结构，如图1-1所示。共价键内的两个电子是由相邻的原子各用一个价电子组成，称为束缚电子。这样每个原子核最外层等效有8个价电子，由于价电子不易挣脱原子核束缚而成为自由电子，因此本征半导体导电能力较差：
&&& (2)本征激发现象
&& 在热力学温度oK(-273°C)时，本征半导体中的每个价电子都被束缚在共&价键中，不存在自由运动的电子，本征半导体相当于绝缘体。当温度升高或受到&光的照射时，价电子能量増高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，&成为自由电子。与此同时，在该共价键上留下了一个空位，这个空位称为空穴。&这种现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同&时成对出现的，称为电子一空穴对，如图1-2所示。温度越高，产生的电子一空&穴对数目就越多，这就使得游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复&合。
&& 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时自由电子和空六的浓度&一定，且自由电子数和空六数相等。
&& (3)半导体的导电原理
&& 当半导体两端加上外施电压后，半导体中有两类作相反运动的导电粒子形成&的电流：一类是自由电子作定向运动形成的电子电流，另一类是被原子核束缚的&价电子填补空穴而形成的空六电流。因此，在半导体中有自由电子和空六两种承&载电流的粒子（即载流子），这是半导体导电方式的最大特点，也是半导体与金&属导体在导电机理上的本质差别。
&& 空穴导电的实质是相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空&穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空六的运动方向相反，因此认&为空穴带正电。
温度越高，产生的电子一空穴对数量就越多，导电能力增强，所以溫度对半&导体器件有很大影响。
&& 3.杂质半导体
&& 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导体器件的基本材&料。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和&空穴型（P型）半导体。
&& (1) P型半导体
&& 在本征半导体中掺入微量的三价元素（如硼）就形成P型半导体，结构示意如图1-3所示。
可见每掺入一个三价原子，就能提供一个空穴，所以在P型半导体中，空穴&浓度远大于自由电子浓度，空穴为多数载流子，自由电子是少数载流子。此时，&杂质半导体仍然呈现电中性。
&& (2) N型半导体
&& 在本征半导体中掺入微量的五价元素（如磷）就形成N型半导体，结构示意图如图1-4所示。
&& 可见每掺入一个五价原子，就能提供一个自由电子，所以在N型半导体中，
&& 自由电子浓度远大于空穴浓度，自由电子为多数载流子，空穴是少数载流子。此&时，杂质半导体仍然呈现电中性。
&& 注意：杂质半导体中的多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度；而少数载流子是因本征激发产生，因而其浓度与掺杂无关，只与温度等激发因素有关。
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本征半导体与杂质半导体的载流子有何异同啊?
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