如何选择合适的闪存来进行设计?
打开微信“扫一扫”，打开网页后点击屏幕右上角分享按钮
1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
选择NAND还是NOR，这确实是个问题。不同的应用和功能应该选用不同类型的闪存。在寻找完美“通用存储器”的过程中，嵌入式系统设计师就象是戏剧《等待戈多》中的人物一样，他们一直等待舞台下的人物“戈多”走上舞台，同时又在猜测舞台上正在表演的人物或新人中哪个是戈多。正如大家所知的那样，从20世纪70年代开始，嵌入式系统产业样一直在等待“舞台下”出现一种叫作“通用存储器”的“半导体人物”，以便取代从大型机、迷你计算机和台式机传承下来的存储层次（memory hierarchy）体系：非易失性硬盘用于长期的海量存储和备份，动态RAM用于局部快速存储器访问，而SRAM和ROM则分别专门用于快速存取和代码存储。随着运算结构的嵌入、移动和便携特性越来越突出，这种需求也越来越强烈，作为“通用存储器”的候选产品开始陆续登场。有些产品，如EEPROM、EPROM、UV-EPROM、铁电RAM和各种伪RAM组合已经开始走下坡路，磁性RAM等其它产品虽开始受到瞩目，但由于众多经济和技术原因却受到质疑。不过，目前的一些“角色”特别是各种NAND和NOR闪速EPROM正在被它们的供应商吹捧为“舞台下人物”－通用存储器，或者至少是它的“亲戚”或“很近的朋友”，这其中包括了OneNAND、OrNAND、iNAND、GBNAND、moviNAND、ManagedNAND和NANDrive等。由于有众多“演员”急于要担当角色，因此选择正确的存储器子系统已变得越来越复杂，特别是在你既要给移动和嵌入式系统增加更多的多媒体功能，同时又要缩小物理尺寸和降低系统总成本的时候，系统中不仅代码和数据存储器需求会有所增加，而且你设计实现必须更加精简可靠。闪存是最实用的解决方案，但了解哪种闪存最适合系统使用是关键。、、可管理NAND和一些混合存储器中哪种才是最佳选择呢？NAND闪存是一种需要缺陷管理的高密度低价格非易失性存储器，用这种存储器来满足这些不断增长的代码和数据存储器需求会使存储器子系统更加复杂。再加上需要支持不同的存储器类型、接口、供应商和特殊供应商规范，因此存储器子系统将愈加复杂。一个完整、可管理的存储器子系统解决方案可以用工业标准的RAM(PSRAM或SDR/DDR SDRAM)接口来设计。这种可管理的存储器子系统可以与主芯片组/处理器实现无缝集成，并且主系统无需再要应对内嵌存储器件的复杂性和不足问题。与NAND闪存不同的是，NOR闪存是目前嵌入式系统中最老也是应用最广泛的存储器之一，它可以用于代码和数据存储。其主要优点是代码可以直接在NOR闪存中执行。另外，NOR闪存可以直接与主处理器接口，因此设计方便，可实现产品的快速上市。随着嵌入式系统中多媒体功能的增加，对代码和数据存储的需求也不断上升。对这些应用而言，与其它方案(如NAND闪存)相比，采用更高密度的NOR闪存做代码和数据存储将提升成本。另外，目前最高密度的NOR闪存只有1Gb。而且多媒体数据存储器需要较高的读写性能。因此在许多嵌入式应用(例如高端手机)中系统设计师转用NAND闪存来存储多媒体文件和应用代码。用于代码和数据存储的NANDNAND闪存非常适合需要大量代码存储(如操作系统和应用程序)以及大量数据存储的应用，因为NAND闪存不贵，而且可以提供较高的密度(一个裸片可高达16Gb)。与NOR不同的是，NAND闪存不支持芯片内执行()或随机存取。因此一些使用NAND闪存的系统需要一个低密度的NOR闪存用于系统启动和BIOS代码执行。在其它系统中，NAND闪存控制器或主处理器中的嵌入式启动ROM可提供启动功能。在系统启动后，基于NAND的系统将使用代码映射或需求分页功能执行代码。在代码映射模式下，整个操作系统和应用程序将从NAND闪存挎贝到系统RAM，而在需求分页模式时，将根据需要将部分操作系统和应用程序挎贝到系统RAM中执行。虽然NAND闪存与NOR相比价格便宜，而且有更高的密度，但NAND可靠性低，对许多应用而言需要辅以包括误差检测和纠正以及损耗均衡在内的缺陷管理手段才具有可用性。这些NAND闪存管理功能要求复杂的硬件和软件。图1显示了主芯片组与独立NAND闪存相接口的系统。在这样的系统中，缺陷管理功能必须由主芯片组来实现。在主处理器上运行这种闪存管理功能需要一定的软件开发，并且要耗用一些主机的CPU和存储器资源，因此容易降低系统总性能。图1：主芯片组与独立NAND闪存直接接口的系统框图。
随着NAND闪存供应商采用越来越小的工艺尺寸，单层单元(SLC)NAND闪存的ECC(纠错码)要求已经从每512字节扇区的1位增加到4位，而多层单元(MLC)NAND闪存也从每512字节扇区的4位增加到8位纠错编码。页面尺寸则从512字节增加到4096字节。一些较小尺寸的SLC NAND闪存的可用性则从10万次降低到5万次，MLC NAND闪存的可用性从1万次下降到5千次(某些情况下为3千次!)。为了减少系统中分立器件的数量，许多芯片组供应商开始在芯片组中集成NAND闪存控制器，这样芯片组就能直接接口独立的NAND闪存。不过由于芯片组设计周期长，芯片组供应商很难跟上NAND闪存技术的发展步伐。因此芯片组中的嵌入式NAND闪存控制器功能经常落后于NAND闪存技术。也有些解决方案与标准NAND闪存相似，但可以提供更好的性能和功能。例如，OneNAND就是NAND闪存的一个变种，它在同一器件中整合了RAM和独立SLC NAND闪存，因此可以提供启动功能和更快的读取速度。OneNAND要求每512字节扇区1位ECC，并且可以在主芯片组中或独立的控制器中实现NAND闪存管理功能。OrNAND则整合了MirrorBit NOR和NAND闪存接口，它可以比以前的NOR器件提供更快的写入速度。OrNAND同样在主芯片组中或独立控制器只要求执行1位的ECC便可确保可靠的系统启动。不过OrNAND支持的最大密度目前只有1Gb，低于现有NAND闪存的最大密度。用于数据存储的可管理NAND由于嵌入式NAND控制器的局限性，许多系统设计师在寻求可管理的NAND方案。有多家供应商已能提供可管理的NAND存储器产品，它们能降低嵌入式应用中传统存储子系统的复杂性。这些可管理NAND存储器产品包括了iNAND、GBNAND、moviNAND、可管理NAND和NANDrive，主要用于数据存储。通过有效管理带NAND控制器的内置NAND闪存和集成在相同器件中的闪存文件系统(FFS)，它们降低了系统复杂度，如图2所示。为了更加方便集成，这些产品采用标准的接口，如安全数据接口(SD)、多媒体卡(MMC)或先进技术附件规格(ATA)。例如，iNAND和GBNAND采用的是SD接口，moviNAND和可管理NAND采用的是MMC接口，NANDrive采用的则是ATA接口。这些接口不能提供XIP访问，因此采用这些器件的系统可能还需要一个NOR闪存用于启动功能。图2：可管理NAND存储器主要用于数据存储，它通过管理带NAND控制器的内置NAND闪存和集成在同一器件中的闪存文件系统降低了系统复杂性。
使用可管理NAND器件后，主芯片组就无需集成复杂的NAND管理功能。因此芯片供应商不再为要紧跟不断演变的NAND技术而忧心，从而让供应商能专注于提高他们的核心竞争力。可管理NAND混合产品因为可管理NAND闪存不提供启动功能，系统设计师仍必须使用较昂贵的NOR闪存器件来实现启动。不过包括mDOC H3在内的混合产品已经面世。这些混合器件在同一个器件中通过集成RAM和可管理NAND来简化传统的存储子系统，如图3所示。图3：一些混合解决方案将RAM和可管理NAND集成在同一个器件中。
混合产品解决了与可管理NAND相关的启动问题。它们可以直接从NAND闪存启动，无需较昂贵的启动用NOR闪存器件，从而有效降低了系统总成本。可管理NAND混合产品也有助于减少元器件数量，节省电路板面积，这使它们非常适合于诸如手机等空间较敏感的应用。因为使用NAND闪存来实现非易失性存储，因此这种解决方案可以提供更高的密度。NAND混合器件的缺点是启动时间较长，因为它们在上电后必须将启动代码从NAND挎贝进启动RAM。另外，NAND混合器件非常复杂，很难集成，并且要求先进的操作系统支持主芯片组上的需求分页。mDOC H3通过NOR类总线连接主处理器，相比NAND闪存能提供更快的读取性能，也可以比NOR提供更快的写入性能。由于具有更快的写入速度，这些器件非常适合用来存储多媒体数据。使用可管理的NAND或者具有启动功能的可管理NAND混合产品不会显著降低存储子系统的总体复杂性。因此系统设计师仍然要处理与不同存储器类型、接口、供应商、特殊供应商规范等有关的复杂问题。这类存储子系统要求更多元器件、更多引脚和复杂的软硬件开发，因此将增加系统成本、电路板面积、开发时间和功耗。同时，它们还将提升主处理器中的外部存储器控制器的复杂度。因此，这些混合器件还不够成熟。当前系统需要一种易用、单标准总线、完整的可管理存储子系统实现代码和数据存储以及系统RAM，并且所有功能都集中在一个器件中。系统设计师需要的是一个完整的存储子系统，它能提供数百兆XIP代码存储，且能满足目前多媒体应用不断增长的数据存储需求。理想解决方案应充分整合NOR(快速读取)、NAND(较低成本和较高密度)和RAM(简单总线操作)的优势，而且必须易用、易设计，并有完善的可管理性。因而，这样的解决方案需要很少甚至不需要额外的硬件或软件开发，可提供标准接口，无需任何胶合逻辑就能实现与主芯片组/处理器的无缝集成，从而使得存储子系统的访问象SRAM一样简单方便。这种存储子系统解决方案中的内置控制器必须实现ECC、坏块管理和损耗均衡功能，以便应对内置NAND闪存的缺陷。这个控制器还必须能应对所有内置存储器(NOR、NAND和RAM)的复杂性和不足，从而代替主系统完成这些复杂的管理功能。另外，这种解决方案还必须通过降低材料、开发和制造成本来满足系统总成本要求。而且还必须通过提供方便集成、可扩展的解决方案来满足移动和消费电子设备系统设计师对缩短面市时间的要求。下一代存储子系统目前面市的可管理存储子系统可以提供上述所有性能和好处。如图4所示的这种配置由一个带内置启动NOR闪存的存储器控制器、NAND闪存和RAM组成，并且全部集成在一个封装内。在NAND闪存前使用了RAM缓存，这样有助于控制器处理需求分页和其它存储器管理功能。另外，RAM缓存使存储子系统线性可寻址，变得象SRAM一样简单。 图4：全功能存储器是可管理存储子系统的一个示例，它在同一个封装内同时集成了带内置启动NOR闪存的存储器控制器、NAND闪存和RAM(a)。控制器可以处理需求分页和其它存储器管理功能(b)。
RAM块划分成两个主处理器可访问、用户可配置的部分：一个是用于伪NOR(PNOR)的缓存部分，一个是用于主处理器的系统RAM部分。NAND块用于PNOR区域和存储器映射的ATA NAND磁盘区的非易失存储器。可配置PNOR块通过使用RAM缓存和NAND闪存模拟NOR功能。因为NAND是用于主要的非易失存储介质，因此这种解决方案可以提供较大的XIP代码存储，可有效地代替传统高成本、高密度NOR闪存。通过在标准RAM(PSRAM或SDR/DDR SDRAM)总线上使用工业标准ATA数据存储协议，该解决方案可以为日趋增长的多媒体应用提供强大的ATA类数据存储功能。另外，PNOR块中的RAM缓存还能减少对NAND闪存的直接读写访问，从而有助于提高代码和数据存储区的耐用性和可靠性。因为这种可管理存储子系统采用了很小的封装，因此可以简化主处理器接口、减少系统复杂性、缩短设计时间、降低系统总成本并提高系统质量和可靠性。其它好处还包括用户可配置的XIP PNOR区、用于MLC和SLC NAND的超强硬件检错和纠错以及向更高密度的可扩展性等。由于不需要复杂的软硬件开发，这种可管理的存储子系统也许就是大家盼望已久的“戈多”。Vijay K. DevadigaSST公司NAND与智能卡模块业务部高级产品营销工程师
您的昵称：
美国的游客
(您将以游客身份发表，请 | )
什么是闪存？
断电后里面的数据不会消失的存储设备。闪存作为一种非挥发性的半导体存储芯片，闪存有许多种类型，从结构上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最为常见的类型。
可管理NAND是什么?
可管理NAND,可管理NAND是什么? 通过电子工程专辑网站专业编辑提供可管理NAND的最新相关信息,掌握最新的可管理NAND的最新行业动态资讯、技术文萃、电子资料,帮助电子工程师自我提升的电子技术平台.
存储器子系统是什么?
存储器子系统,存储器子系统是什么? 通过电子工程专辑网站专业编辑提供存储器子系统的最新相关信息,掌握最新的存储器子系统的最新行业动态资讯、技术文萃、电子资料,帮助电子工程师自我提升的电子技术平台.
闪存是什么?
闪存,闪存是什么? 通过电子工程专辑网站专业编辑提供闪存的最新相关信息,掌握最新的闪存的最新行业动态资讯、技术文萃、电子资料,帮助电子工程师自我提升的电子技术平台.
新添订阅功能，提供全面快捷的资讯服务！
关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”
访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态，请扫描以下二维码
5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途， 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低，同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展，以及在4G网络上有怎样的进步。
新版社区已上线，旧版论坛、博客将停用
1、为防数据丢失，旧版论坛、博客不再接受发帖；
2、老用户只需重设密码，即可直接登录新平台；
3、新版博客将于8月底完美归来，敬请期待；
4、全新论坛、问答，体验升级、手机阅读更方便。
推荐到论坛，赢取4积分您的位置： >
NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对N AN D芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。
2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；N AND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。
3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。
4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与NAND的速度。比如一块NOR芯片通 常写一个字需要10微秒，那么在32位总线上写512字节需要1280毫秒；而NAND闪存写512字节需要的时间包括：512×每字节50纳秒+10微秒的寻页时间+200微秒的片擦写时间＝234微秒。
5）NAND闪存的容量比较大，目前最大容量己经达到8G字节。为了方便管理，NAND的存储空间使用了块和页两级存储体系，也就是说闪存的存储空间是二维的，比如K9F5608UOA闪存块的大小为16K，每页的大小是512字节，每页还16字节空闲区用来存放错误校验码空间(有时也称为out-of-band，OOB空间)；在进行写操作的时候NAND闪存每次将一个字节的数据放入内部的缓存区，然后再发出“写指令”进行写操作。由于对NAND闪存的操作都是以块和页为单位的，所以在向NAND闪存进行大量数据的读写时，NAND的速度要快于NOR闪存。
6）NOR闪存的可靠性要高于NAND闪存，这主要是因为NOR型闪存的接口简单，数据操作少，位交换操作少，因此可靠性高，极少出现坏区块，因而一般用在对可靠性要求高的地方。相反的，NAND型闪存接口和操作均相对复杂，位交换操作也很多，关键性数据更是需安错误探测/错误更正〔EDC/ECC)算法来确保数据的完整性，因此出现问题的几率要大得多，坏区块也是不可避免的，而且由于坏区块是随机分布的，连纠错也无法做到。
7）NAND Flash一般地址线和数据线共用，对读写速度有一定影响；而NOR Flash闪存数据线和地址线分开，所以相对而言读写速度快一些。
NAND和NOR芯片的共性首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空，然后再写入，也就是通常说的“先擦后写”。只不过NOR芯片只用擦写一个字，而NAND需要擦写整个块。其次，闪存擦写的次数都是有限的.当闪存的使用接近使用寿命的时候，经常会出现写操作失败；到达使用寿命时，闪存内部存放的数据虽然可以读，但是不能再进行写操作了所以为了防止上面问题的发生，不能对某个特定的区域反复进行写操作。通常NAND的可擦写次数高于NOR芯片，但是由于NAND通常是整块擦写，块内的页面中如果有一位失效整个块就会失效，而且由于擦写过程复杂，失败的概率相对较高，所以从整体上来说NOR的寿命较长。
另一个共性是闪存的读写操作不仅仅是一个物理操作，实际上在闪存上存放数据必须使用算法实现，这个模块一般在驱动程序的MTD' (Memory Technology Drivers)模块中或者在FTLZ (Flash Translation Layer)层内实现，具体算法和芯片的生产厂商以及芯片型号有关系。
通过比较可以发现，NAND更适用于复杂的文件应用，但是由于NAND芯片的使用相对复杂，所以对文件系统有较高的要求。
非常好我支持^.^
不好我反对
相关阅读：
( 发表人：admin )
评价:好评中评差评
技术交流、我要发言
发表评论，获取积分！ 请遵守相关规定！提 交
Copyright &
.All Rights Reserved从对比最新芯片入手，解读NAND闪存领域两强争霸-消费电子-与非网
&&&&&&& 三星与东芝这两家闪存制造商长期统治着快速增长的NAND闪存市场。其中三星属于最大的玩家，不断采用先进工艺尺寸，以维持竞争优势。本期设计揭密将主要对这两家公司的最新闪存进行比较，同时也兼顾与Hynix、美光和英特尔等公司的比照。
&&&&&&& 从历史来看，三星将研发重点集中在了单层单元()上。SLC架构中每个闪存单元只能存储1个比特的信息。而东芝在转向先进工艺技术方面同样积极，不过其竞争优势在于多层单元()NAND闪存方面的设计经验和能力。MLC闪存在每个存储单元存储2个比特的信息，使得东芝可在给定面积的硅片上存储更多的比特信息，并在存储器尺寸既定的情况下降低生产成本。因此，尽管东芝在工艺技术上可能落后于三星，但在裸片密度上仍是领跑者。
&&&&&&& 东芝的MLC闪存已经历经数代，其中包括新近发布的采用70nm工艺的8Gb闪存。2005年，东芝曾采用90nm技术与三星的73nm技术展开肉搏。东芝90nm MLC闪存的比特密度为29Mb/mm2，远远高于三星73nm闪存的25.8Mb/mm2的比特密度。
&&&&&&& 在存储密度固定时，东芝甚至拥有比三星更小的裸片尺寸。例如，东芝90nm工艺生产的4Gb NAND闪存的裸片尺寸为138mmsup&2，与之相比，三星73nm工艺生产的4Gb NAND闪存尺寸则为156mmsup&2。这使得东芝在成本方面更具竞争力。在用于文件存储方面，NAND闪存不可避免地面临价格战，我们也常常听到，只有价格领导者才会赢得iPod设计中标。
&&&&&&& 虽然MLC在某些方面获得相当的认可，但如今对闪存芯片的狂热需求模糊了业界的视线。存储卡制造商需要价格低廉的芯片，但他们也需要稳定的供货。正是基于这个原因，据报道，去年Kingston已就购买SLC芯片作为第二货源与三星进行了商谈。他们商讨该协议时，全然不顾MLC方案的成本比SLC要低30%。
&&&&&&& 长期以来，都在鼓吹SLC而非MLC型NAND闪存，不过2004年和2005年该公司提交给国际固态电路大会(ISSCC)上提交的MLC技术论文，标志着该公司的观点发生了变化。虽然在三星的网站上仍旧没有任何有关MLC闪存的营销信息，但该公司的确已生产出了4Gb MLC NAND闪存芯片。虽然我们已对该芯片的样品进行了分析，但要在市场中找到其样品仍旧非常困难。其裸片尺寸是156mm2，同东芝采用90nm工艺的MLC型4Gb NAND闪存相比，还是大了18mm2，因此要能与东芝相匹敌，三星在其下一代NAND MLC技术上还需要改进。
&&&&&&& 除了三星，等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术积累而在MLC技术上占据优势，但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存，从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。
&&&&&&& MLC闪存技术并非没有不足，实际上，在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。随着闪存技术的演进，在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了，使得检测存储的信息变得更加困难，尤其是对芯片而言，它需要识别四个电压值，而非两个。尽管如此，据报道，东芝在70nm工艺中能够保证采用与90nm技术相同的代码纠错方案。这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐，最少是就现在而言。
&&&&&&& 此外，与SLC闪存相比，MLC闪存在可靠性方面存在不足。虽然对于消费者而言，可靠性不是他们关注的核心问题，但在其它消费市场却显然是一个弊端。　　
&&&&&&& 三星正准备推出采用65nm工艺的4Gb SLC NAND闪存，其尺寸比采用73nm工艺的器件稍为紧凑。由此引发的问题是：在工艺缩放方面是否已经无计可施了？　　　
&&&&&&& 如果实际情况真的如此，那么情况显得对东芝更为有利，因为目前它已经生产出70nm工艺的MLC闪存。作为权宜之计，三星转向65nm工艺的芯片或许能够立马同东芝的90nm MLC竞争。但是东芝的70nm工艺8Gb MLC技术已取得重大成就，实现了56.5Mb/mm2的比特密度，比三星65nm工艺31.3Mb/mm2的额定比特密度要高出80%。一些并非出自东芝公司的报告暗示，该公司将会跨过65nm工艺，直接转到50-60nm线宽的16Gb闪存。当然，在成功实现低于65nm线宽的工艺，仍有一些技术障碍有待克服。
图：东芝在90nm工艺中采用自校准单元架构
&&&&&&& 闪存器件的工艺缩放并非易事，过去业界曾多次出现过闪存走向终结的预言。然而国际半导体技术路线图(ITRS)显示，在32nm工艺节点出现之前，在所有赌注似乎仍然都压在闪存而非任何新型替换品上。
&&&&&&& 有必要使在每个单元中所存储的比特数翻番，使得浮动栅技术继续前进，而这很可能推动闪存首个替代物面市，诸如相变存储器()。但是目前闪存供应商首先必须克服现有的缩放挑战，其中包括这样一些关键领域：单元校准(cell alignment)、隧道氧化层、多晶硅层间介电质(interpoly dielectirc)、相邻单元耦合和高压晶体管设计。
&&&&&&& 随着芯片尺寸缩小，改进图层之间的校准颇受关注。更小的芯片需要更低的操作电压，反过来也推动了更薄隧道电介质的需求，以将电荷传输至浮动栅或传输出浮动栅，但问题是，电介层较薄的话，可靠性就较低。
&&&&&&& 在先进的工艺尺寸中，一个浮动栅的活动区域对存储单元晶体管的影响较小，但从控制到浮动栅的耦合比例需要保持恒定。所以，需要更薄的多晶硅层间介电质(IPD)。
&&&&&&& 在有两种介电质情况下，介电常数更高(higher-k)的材料能减少有效电荷厚度，同时具有更大的物理厚度，并能维护更高的可靠性。然而，采用新型材料会给自身带来挑战，存储单元封装得更加紧密，会增加风险，导致一个浮动栅上的电荷会影响相邻存储单元的操作。
&&&&&&& 最后，闪存的操作依赖于较高电压来写入或擦除存储单元。需要在给定硅片面积条件且无损存储单元效率的条件下，设计和应用能够转换电压的控制晶体管。
&&&&&&& 东芝的新型芯片集成了很多有趣的特性。当然，基本的存储单元结构已经缩降至90nm以下。东芝在90nm工艺上引入了完全自校准存储单元，并且继续用于70nm工艺。隧道和多晶硅层间介电质同样降低了。为了减少干扰，对浮动栅的高度也作了优化。MLC技术在这方面需要更多关注，因为要从存储单元中读出4个状态，所以感应(sensing)边界更小。
&&&&&&& 在存储列阵方面，东芝转而采用新型的沟槽蚀刻工艺处理来实现浅槽隔离(STI)。70nm工艺中更小的间距要求东芝使用两个沟槽深度。存储阵列深度对隔离性能的要求较低，以便闪存单元能够排列得更加密集。控制晶体管&&特别是那些用于控制写入/删除电压的晶体管，需要更好的电压隔离特性。 所以，他们要更深一些。
&&&&&&& 沟槽填充方式也发生了改变；现在使用一种新型沉积材料进行两步处理。在90nm工艺中，采用钨(tungsten)触点来代替多晶硅。也许最显著的一个创新是采用了一种新颖的电容器结构。
&&&&&&& 所有这些改进加在一起，相当于一个大小仅为0.020&m2的物理单元，换言之，保存1个比特信息仅需0.010&m2。相比较而言，三星的73nm技术保存1个比特信息则需要0.021&m2，而三星的65nm 4Gb器件保存1比特信息预计要0.017&m2。　　
体系架构上的改进
&&&&&&& 东芝的70nm NAND闪存还包括一些架构上的改变，包括焊盘布局和排列结构的调整，旨在减小裸片面积。东芝的焊盘设计是单面的，也就是说所有的焊盘都位于芯片的一边。 这与其它大多数NAND闪存大相径庭，后者上下两面都分布着焊盘。
&&&&&&& 焊盘全部移到裸片的一边就不再需要两面都设计焊盘条，芯片尺寸随之减小。为了获得单面布局的最大好处，对阵列结构作一些变动，从而能有效地访问芯片的上部或在芯片的边上远离焊盘的存储单元，并为其供电。为了更大程度地减小芯片尺寸，东芝还将改变了其冗余管理方案。
&&&&&&& 在单个存储地址存储2个比特的信息，要求感应电路能够分辨出四个电压等级的差别。自然地，要读取存储单元信息的感应放大器需要进行优化，从而为与单层感应相比所存在的较低的噪声裕量提供补偿。接下来的事情，就是为四个不同等级的电荷编程。
&&&&&&& 东芝选择了步步为营的方法，其中包括运行一系列&即编程即验证&的循环，直到获得期望的程序状态。 我们的分析检查了用来写入四个状态的时序和电压。
&&&&&&& 实际上，该方法是东芝的闪存合作伙伴Sandisk所开发出来的，并授权东芝采用其专利编程方法。东芝与Sandisk在MLC芯片的研发和生产上已经合作多年。毫不奇怪，两家公司都积极申请与MLC技术相关的方法、电路和结构方面的专利。
&&&&&&& 然而，我们却惊奇地发现，三星在MLC领域的专利申请也相当积极。2002年三星和Sandisk之间达成了一项交叉授权协议，双方在2009年之前不会提起任何专利争端。不过，如果三星被卷入MLC价格战，问题也许会再次提上日程。
&&&&&&& 也许仅是巧合，ITRS计划转向每单元4比特存储的时间也是2009年。既然有关MLC知识产权的争端还没有最后掀起，那么现在还很难说谁更强。
&&&&&&& 尽管有这些比较，三星始终还是NAND闪存市场的佼佼者，并且极具竞争力。虽然东芝依靠在MLC技术上的积累，东芝获得了些许优势，但三星已被证明是一个斗志顽强、勇往直前的对手。让我们拭目以待：在未来几年中，为了追赶MLC技术，三星会不懈努力。
&&&&&&& 三星和东芝还承受着后来者的压力，如Hynix公司，后者于2004年2月开始发售其首批NAND产品，就非常成功地从转向到闪存。2005年Hynix利润增加了525%，并且与两个领军公司争夺市场份额。同时，英特尔与美光的合资又诞生了一个强有力的市场竞争者，而英飞凌也开始显示出令人鼓舞的利润增长。
&&&&&&& 这些公司使得NAND市场的竞争更加激烈；但是至少在目前，三星和东芝仍然是市场和技术的领先者。
作者：Geoff MacGillivray
存储技术经理
Don Scansen
Semiconductor Insights公司
关注与非网微信 ( ee-focus )
限量版产业观察、行业动态、技术大餐每日推荐
享受快时代的精品慢阅读
市场调研机构IC Insights表示，2017年DRAM和NAND型闪存销售额都将创出历史新高，而DRAM和NAND闪存创新高的原因都是由于价格疯涨。该机构预计，2017年DRAM出货量同比下降，而NAND闪存也仅增长2%，闪存出货量增长对存储器销售额创新高虽然是正面作用，但并非主要原因。
存储器价格上涨始于2016年
发表于： 17:22:46
据报道，记者福建省晋江科技和知识产权局获悉，福建省晋华集成电路有限公司的“DRAM制程技术开发”重大技术合同通过评审，相关技术将填补国内空白。
发表于： 09:24:39
国际研究暨顾问机构Gartner昨(17)日指出，初步统计结果显示，今(2017)年第二季全球个人电脑(PC)出货量总计6110万台，较去(2016)年第二季下滑4.3%。PC产业已持续5年处在低潮期，同时出货量已见连续11季下滑，而上季也是自2007年以来出货量最低的一季。
发表于： 09:25:27
三星作为全球最大的智能手机企业，不仅智能手机出货全球第一，更重要的是在手机关键器件的市占率方面，也几成垄断之势。在手机用小尺寸AMOLED面板方面，三星的产能占到了全球95%的份额，连苹果即将发布的iPhone 8都要大批量采购三星的OLED屏幕。
发表于： 16:46:41
存储器缺货和涨价问题一直是电子产品企业的心头病，而最近东芝存储器要延期供货，美光晶圆半数报废，再一次吹响存储器缺货大战的号角。尽管每次缺货潮都让三星、海士力等上游厂家赚得盆满钵盈，但实际上这也是下游企业的灾难。
发表于： 13:31:01
iPhone发布的时候，人们不再纠结该买一个PDA办公还是买一个手机来娱乐（听歌和拍照）；Note发布的时候，人们开始摒弃“大屏幕手机是个累赘”的定式思维。
发表于： 17:31:33
美国专利商标局公开了苹果申请的一个专利。在传统拨电话方式无效的场景下，苹果准备用全新的方式，让用户悄悄拨打报警电话。
发表于： 17:18:39
也正是电子产业链这几年消费电子的属性越来越强，研究公司就变得更加有趣。跟踪手机功能上大的趋势和功能变化，远远比跟踪单一厂商的订单要重要。进入2017年，消费电子在一些新功能的带领下，也继续催生了一批表现优异的A股公司。
发表于： 16:46:03
Jawbone之死是可穿戴设备领域的里程碑事件，该领域的另一巨头Fitbit日子也不好过，虽然在2016年底以2300万美元收购了智能手表制造商Pebble，但这一举措并不明智。该公司2015年中期股价高达近48美元，后来暴跌至每股5美元。
发表于： 14:03:02
按照微软CEO纳德拉的说法，微软的手机业务没有放弃，而他们正在开发的是一款革命性的产品。关于“革命性”的理解，普遍传言是基于ARM芯片运行exe程序，和桌面系统无异。
发表于： 13:27:05
16:00:00关键词：FPGA万人大赛（想想就心潮澎湃）柒月，蝉声缭绕，数以万计FPGA工程师和爱好者摩拳擦掌，掀起一场FPGA的热浪。在这个夏天，一切都将改变！让学生利用FPGA平台学习数字电路设计，就像写代码看
以前，嵌入式MCU功能简单、种类较少，软件开发起来相对容易，而今天，MCU功能强大、种类繁多，软件中实现的功能也要比以前更多更复杂。
该系列课程，针对基于ARM的STM32 MCU，将利用STM
15:00:00Altium Designer是一款比较受大家喜欢的PCB制作软件，在我们做些项目已经做毕业设计的时候都会用到。这两天本专业在做生产实习，主要就如何使用Altium Designer制作电路板进行学习
20:00:00机器人是一个由执行机构、驱动装置、感测装置和控制系统和复杂机械等组成的闭环装置。当前工业革命（工业4.0）面临的突出需求——感测装置（传感器），工业界希望把各种传感器引入工业生产中，利用它独有的数据采
15:00:00Altium Designer是一款比较受大家喜欢的PCB制作软件，在我们做些项目已经做毕业设计的时候都会用到。这两天本专业在做生产实习，主要就如何使用Altium Designer制作电路板进行学习
最近见了我的朋友白东，他们公司要扩大规模，招很多程序员……
旗下网站：
与非门科技(北京)有限公司 All Rights Reserved.
京ICP证:070212号
北京市公安局备案编号： 京ICP备：号