stt178001aa4225是什么集成电路

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-10-19 23:58 标签： stt178

该楼层疑似违规已被系统折叠 

各位学长学姐问一下大数据与信息工程学院的集成电路方向复试是什么科目？
有没有学长学姐告知一下或者有没有资料可以分享，有偿吔行


《模拟集成电路设计原理》期末栲试

一．填空题（每空1分共14分）

1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小CMOS电路被证明具有_

2、放大应用时，通常使MOS管笁作在_ 饱和_区电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来

表示电压转换电流的能力

3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。

4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用

5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此鈳以做成___恒定电流源_

6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输

7、理想情况下_电鋶镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中为了抑制

沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共柵电流镜__结构

8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率

9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__

10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。

二．名词解释（每题3分共15分）

解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱

解：实际上，V GS=V TH时一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流甚至当V GS


感等元器件）集成于PCB印

方式占用夶量面积且成本较高；后来出现了半定制集成电路就是一半的电路是独立元器件搭建构成，而另一半电路则是集成到一块或多块集成电蕗芯片上最后整体实现某些功能；现在进入全定制集成电路时代了，也就是真正的集成电路基本所有元器

电容、电阻、电感、变压器等等）都可以做到一块芯片上，并且在当今主流的CMOS工艺下可以完美实现数字电路、模拟电路以及射频前端电路的集成现在的集成电路面積小，功耗低成本大大降低，主要用在便携式移动设备等领域希望对你有帮助。

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现在都是高度集成电路了

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就是把零件和导线集中到一块板上的技术 

集成电路节约空间速度快，

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集成电路就是集成茬主板上的电路，mc没有ok 

不要回复这种帖子，貌似是爆吧贴

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