什么是ddr4 内存时序表？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-10-25 23:27 标签： ddr4 内存时序表

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ddr4ddr4 内存时序表调的步骤：

　　1、在BIOS中打开手动设置；

　　4、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后最初是tRAS；

　　5、预充电后，内存才真正开始初始化RAS一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址首先是行地址，然后初始化tRCD周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤也是内存参数中最重要的。

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ddr4 内存时序表的本质是延迟（latency）

內存的频率决定了内存运行的速度，比如DDR4-3200的等效频率是3200Mhz由DDR内存的工作模式可知实际的北桥内存控制器频率是1600Mhz，也就是时钟频率所以时鍾周期是0.625ns。

所谓内存延迟（CL-tRCD-tRP-tRAS）其实就是内存执行一条命令的不同情况下的等待时间单位为时钟周期。

（内存可以理解为由行和列定位数據的一个表格存取数据靠行列进行定位）

CL：CAS延迟时间（CAS Latency）是控制器发送一个列地址到内存中，开始读取这一列数据所需要的周期数

tRCD：荇地址到列地址延迟（RAS to CAS Delay）是内存收到行地址后在此列数据中定位到这一行数据所需要的周期数。

tRP：行预充电时间（RAS Precharge）是内存读取完一个行後到开始读取下一行所需要的周期数

当要写入/读取一个数据时，控制器先发送一个列地址（RAS信号）经过CL时间后，开始读取此列之后控制器发送一个行地址（CAS信号），经过tRCD时间后定位到此数据

内存的控制器对于一行地址的激活时间为tRAS。所以一个行周期（tRC）的计算公式為tRC=tRP+tRAS

在过去的三个月中我一直在接觸CPU，内存和图形卡方面的知识在与一些玩家交流的过程中，我发现他们和我一样在记忆超频的早期学习中遇到了很大的困难和障碍。峩只是想分享一下方面的经验同时，为了让更多的超频爱好体验超频的乐趣我有想法写这篇文章。

我希望我的个人经验对新手超频学習（安装B）有所帮助并且可以作为指南。文章中不可避免会有错误或遗漏请拍拍专家以寻求建议，并进一步改善我的姿势

一、内存超频的影响因素-为什么我不能继续增加内存频率？

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