最经典的IGBT资料大全，技术详解，设计技巧，应用案例-模拟/电源-与非网
系统的介绍
就IGBT的定义、工作原理、等效电路、特性参数、等作全面介绍&&
IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，广泛应用于各类固态电源中。IGBT的工作状态直接影响整机的性能，所以合理的驱动电路对整机显得很重要，但是如果控制不当，它很容易损坏，其中一种就是发生过流而使IGBT损坏，本文主要研究了IGBT的驱动和短路保护问题，就其工作原理进行分析，设计出具有过流保护功能的驱动电路，并进行了仿真研究。
对隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件出现的一些常见问题的汇总和解答
随着现代电力电子技术的高频大功率化的发展，IGBT在应用中潜在的问题越来越凸出，开关过程引起的电压、电流过冲，影响到了逆变器的工作效率和工作可 靠性。为解决以上问题，过电流保护、散热及减少线路电感等措施被积极采用，缓冲电路和软开关技术也得到了广泛的研究，取得了迅速的进展。本文就针对这方面进行了分析。
IGBT的动态性能可通过栅极电阻值来调节。栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数，从电磁干扰EMI到电压和电流的变化率。因此，栅极电阻必须根据具体应用的参数非常仔细地选择和优化。
对高效IGBT逆变器设计的影响
当工作在相同条件下，IGBT针对提高软度需求的设计优化将会付出开关损耗提高的代价。除开关损耗外，开通和关断速度、电流突变和振荡(EMI)的发生也越来越受到重视。寄生杂散电感对直流母线谐振频率和二极管电流突变起到了重要作用。至少从EMI角度考虑，二极管电流突变将会对通过增加杂散电感或提高IGBT开通速度来降低开通损耗有所限制
在研究IGBT失效机理的基础上，通过整合系统内外部来突破设计瓶颈。本文将突破传统的保护方式，探讨IGBT系统电路保护设计的解决方案。
本文分析了大功率可控整流电压型逆变器中封锁驱动及整流拉逆变式双重保护电路结构。
IGBT元件往往采用多并联形式，因此如果某个IGBT元件发生故障，将会导致并联回路中的大量IGBT损坏。而常用的快速检测方法中或多或少存在着一些无法避免的缺点，因此需要一种新的快速检测法来满足满足IGBT保护的实际要求
由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须但对IGBT进行相关保护。
为满足电动汽车及混合动力汽车较高母线电压下工作的需要，在IGBT关断使Vce接近耐压值时对电压尖峰的抑制是非常必要的。
本文介绍的是主要要求不可避免地需采用电源并联技术，即功率管并联或电源装置的并联
本文，以IXYS公司生产的IGBT驱动芯片IXDN404为基础，介绍了其特性和参数，设计了实际驱动与保护电路，经过实验验证，可满足IGBT的实际驱动和过流及短路时实施慢关断策略的保护要求。
本文就晶闸管和以IGBT为代表的晶体管的性能、特点加以分析和对比，希望能够并引起讨论，还科学以本来面目。
阻断电压约为1,200 V的IGBT广泛应用于单端感应加热应用。IGBT在关闭期间仍承受着高电压，且带有残余电流，滋生不小的开关损耗。精确地测量这些损耗，能够帮助在系统开发过程期间提供必要的数据来评估IGBT性能，因而确保将能效等级提升至最高。
新型RC2-IGBT的优势是针对软开关应用(比如微波炉、电磁炉和感应加热型电饭煲)进行优化的定制解决方案。与以前的器件相比，RC2-IGBT可提升性能，降低饱和压降损耗。这可导致非常低的总体损耗，因此所需的散热器更小
将IGBT作为获取高压脉冲的电子开关，利用IGBT构成LCC串并联谐振变换器作为高压脉冲电源的充电电源，同时利用IGBT构成全桥组成脉冲形成电路，输出双极性高压脉冲波形。文中给出了系统结构、系统各个部分功能说明，通过仿真电力电子仿真软件PSIM对LCC充电过程和脉冲形成电路进行仿真分析。
由于IGBT的耐过压和耐过流能力较差，一旦出现意外就会损坏，因此必须对IGBT进行保护，客车DC 600 V供电系统逆变器的IGBT模块有过压、欠压保护，过流、过载、过热等保护功能。
随着电力电子技术的快速发展，新型功率开关器件IGBT（绝缘栅双极晶体管）迅速占领了市场，满足了人们把大功率、超高频率开关元件实现固态化的期望，有着完全取代电真空管的趋势。这也为在雷达发射机脉冲调制器中采用IGBT作为开关管以替代电真空管奠定了理论和实践基础。
本文分析了汽车点火系统，探讨了汽车点火系统中对智能IGBT技术的需求。
更多关于IGBT的技术资讯，欢迎访问
关注与非网微信 ( ee-focus )
限量版产业观察、行业动态、技术大餐每日推荐
享受快时代的精品慢阅读
在上周举办的IC China 2017上，与非网记者对西安卫光科技有限公司进行了采访，常务副总经理周建国与总工程师高勇对企业的军民融合之路进行了介绍。
发表于： 17:21:30
新能源车是当下的热门话题，随着国内“双积分”政策出台，新能源车迎来新一轮发展高潮。功率半导体占到新能源汽车中半导体用量的50%，而IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为核心功率器件，成为这波红利下的受益者。
发表于： 17:39:06
相信不久的将来，“中国芯”一定会照耀世界。电子产业各细分领域最核心供应商名单。
发表于： 13:09:21
绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT或IGT）
发表于： 20:23:00
谈到比亚迪，大家更熟悉的是其汽车。尤其是最近几年推出的几款电动车，因而其汽车制造商的名头更为大家所熟知，但其实比亚迪是靠做电池起家的。根据比亚迪财报，他们还从事二次充电池及光伏业务、手机部件及组装业务、以及包含传统燃油汽车及新能源汽车在内的汽车业务。
发表于： 13:30:02
尽管在全球锂电市场占比中，日本在走下坡路，但日本却一直牢牢占据着锂电高端市场的主导地位，其锂电技术也是整个行业的风向标。
发表于： 13:45:44
?11月5日晚间，深圳市兆新能源股份有限公司宣布，终止对从事锂电池隔膜业务的河南惠强新能源材料科技股份有限公司的收购计划。
发表于： 10:24:15
中国在25个研究前沿领域表现卓越，约占18%。其中，中国在植物基因组编辑技术、华北克拉通、聚合物太阳能电池、粲物理等前沿主题做出了突出贡献。
发表于： 09:44:00
11月2日，“第九届中国(无锡)国际新能源大会暨展览会(CREC2017)”开幕，展会以“新城镇、新能源、新生活”为主题，将展示太阳能光伏、分布式能源、储能、能源互联网以及新能源汽车、充电桩等产品及业务，其中，十一科技带来的“光伏树”就格外吸睛。
发表于： 13:30:00
无线充电从概念时期就在社会上引起了巨大的反响，随着新一代iphone的问世，无线充电技术再一次被推上了热潮。近期，苹果收购了奥克兰无线充电公司，无线或成未来主打方向。趁着这股热度，电路城小编也整理了一些无线充电方面的设计方案，以供大家在茶余饭后进一步了解这个网红技技术！
发表于： 13:12:45
又到一年招聘季，考研or工作让你实现了怎样的逆袭？……
与非门科技(北京)有限公司 All Rights Reserved.
京ICP证:070212号
北京市公安局备案编号： 京ICP备：号IGBT关断尖峰电压抑制方法的研究_文库下载
1亿文档 免费下载
当前位置： &
& IGBT关断尖峰电压抑制方法的研究
IGBT关断尖峰电压抑制方法的研究
IGBT应用 IGBT尖峰电压抑制研究
匿亘垂雯雯亟亟亟强
文章编号：１００８－０５７０（２００９）０６－－２－０２７９－０２
＂－－！曼！曼！皇曼！曼！皇曼曼曼！曼！！曼曼！！詈！曼曼
ＢＴ的驱动和过流保护电路的研究
Ｓｔｕｄｙ
ｔｈｅＩＧＢＴｄｒｉｖｅｒ
ｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔａｎｄｏｖｅｒ－ｃｕｒｒｅｎｔｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ
（１．郑州大学；２．河南科技学院）孙汉卿ｌ袁磊ｌ余周２雷进辉２
ＳＵＮＨａｎ－ｑｉｎｇ
ＬｅｉＹＵ
ＬＥＩＪｉｎ－ｈｕｉ
摘要：本文首先谈论了ＩＧＢＴ的驱动电路的基本要求和过流保护分析．然后运用ＩＧＢＴ集电极退饱和原理．提供了一个采用分立元件构成的ＩＧＢＴ驱动电路和过流保护电路。仿真和试验结果证明了所设计驱动电路的可行性。关键词：ＩＧＢＴ；驱动电路：过流保护中图分类号：ＴＮ７１０．２文献标识码：Ａ
Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｉｓｐａｐｅｒｄｉｓｃｕｓｓｅｄｔｈｅＩＧＢＴｄｒｉｖｅｃｉｒｃｕｉｔａｎｄｔｈｅｂａｓｉｃｌｅｃｔｏｒ
ｒｅｔｒｅａｔ
ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓｏｆ
ｏｖｅｒ－ｃｕｒｒｅｎｔ
ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ．ａｎｄｔｈｅｎ
ｕ∞ＩＧＢＴｃｏｌ－
ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ
ｓａｔｕｒａｔｉｏｎｐｒｉｎｃｉｐｌｅ，ｐｒｏｖｉｄｅ
ｏｆｄｉｓｃｒｅｔｅｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ
ｃｏｎｓｔｉｔｕｔｅｔｈｅＩＧＢＴｄｒｉｖｅｒｃｉｒｃｕｉｔｓ
ｏｖｅｒ－ｃｕｒｒｅｎｔ
ｃｉｒｃｕｉｔ．Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎａｎｄ
ｒｅｓｕｌｔｓｐｒｏｖｅｄｔｈａｔｔｈｅｄｅｓｉｇｎｏｆｔｈｅｆｅａｓｉｂｉｌｉｔｙｏｆｄｒｉｖｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＩＧＢＴ；ＤｒｉｖｉｎｇＣｉｒｃｕｉｔ；Ｏｖｅｒ－ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ
绝缘栅双极晶体管（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ
ＧａｔｅＢｉｐ０１ａｒ
Ｔｒａｍｉｓｔｏｒ，ＩＧＢＴ）：Ｔ椭鼍卜璺Ｉ｛匮千’：‘中；
。Ｚ≥１２５℃
是ＭＯＳＦＥＴ与ＧＴＲ的复合器件，因此，它既具有ＭＯＳＦＥＴ的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了ＧＴＲ的载流量大、阻断电压高等多项优点．是取代ＧＴＲ的理想开关器件。ＩＧＢＴ目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，广泛应用于各类固态电源中。ＩＧＢＴ的Ｔ作状态直接影响整机的性能，所以合理的驱动电路对整机显得很重要，但是如果控制不当，它很容易损坏，其中一种就是发生过流而使ＩＧＢＴ损坏，本文主要研究了ＩＧＢＴ的驱动和短路保护问题，就其工作原理进行分析，设计出具有过流保护功能的驱动电路，并进行了仿真研究。
一吼一３００Ｖ
‰；±１５Ｖ
－■”ｆ．¨，
一，ｌ！上一一ｒ
，乞／ｒ赢Ｌ‘二ｊ
橱极电阻Ｒ，‘ｎ）
ＩＧＢＴ的驱动要求和过流保护分析
图１Ｒｇ对开关损耗的影响
ＩＧＢＴ的驱动
ＩＧＢＴ的输入阻抗高压达ｌ伊一ｌＯ¨．静态时不需要直流电流．只需要对输入电容进行充放电的动态电流。其直流增益可
ＩＧＢＴ是电压型控制器件，为了能使ＩＧＢＴ安全可靠地开通和关断．其驱动电路必须满足以下的条件：
ＩＧＢＴ的栅电容比ＶＭＯＳＦＥＴ大得多，所以要提高其开关速度，就要有合适的门极正反向偏置电压和门极串联电阻。
（１）门极电压
任何情况下，开通状态的栅极驱动电压都不能超过参数表
达１０Ｌ１０９，几乎不消耗功率。为了改善控制脉冲的前后沿陡度
和防止振荡，减少ＩＧＢＴ集电极大的电压尖脉冲，需在栅极串联电阻＆，当Ｒ。增大时，会使ＩＧＢＴ的通断时Ｉ＇日】延长，能耗增加；而减少％又会使坊／廊增高，可能损坏ＩＣＢＴ。因此应根据ＩＧ―ＢＴ电流容量和电压额定值及开关频率的不同，选择合适的％，一般选心值为几十欧姆至几百欧姆。具体选择＆时．要参考器件的使用手册。
（３）驱动功率的要求
ＩＧＢＴ的开关过程要消耗一定的来自驱动电源的功耗，门极正反向偏置电压之差为△ｕ。，工作频率为，，栅极电容为ｃ岛，则电源的最少峰值电流为
给出的限定值卜般为２０ｖｌ，最佳门极正向偏置电压为１５ｖ土
１０％。这个值足够令ＩＧＢＴ饱和导通；使导通损耗减至最小。虽然门极电压为零就可使ＩＧＢＴ处于截止状态，但是为了减小关断时间，提高ＩＧＢＴ的耐压、ｄｖ／ｄｔ耐量和抗干扰能力，一般在使ＩＧＢＴ处于阻断状态时．可在门极与源极之间加一个．５一一１５ｖ的反向电压。
（２）门极串联电阻心
选择合适的门极串联电阻詹。对ＩＧＢＴ的驱动相当重要，％对开关损耗的影响见图ｌ。
‘ＧＰＲ吐贯
（１ｌ（２）
驱动电源的平均功率为
只ｒ＝ＣｃｒＡｌ）ｏｅ２ｆ
ＩＧＢＴ的过流保护
孙汉卿：硕士ＩＧＢＴ的过流保护就是当上、下桥臂直通时，电源电压几乎
（多目自控一邮局订阅号：８２．９４６３６０元，年一２７９―
Word文档免费下载：（下载1-3页，共3页）
IGBT关断尖峰电压抑制方法的研究_电子/电路_工程科技_专业资料。IGBT研究船 电技 术 200 9年 第 4期 I T关 断尖 峰 电压 抑 制方 法 的研 究 GB杨...IGBT关断尖峰电压抑制方法的研究_信息与通信_工程科技_专业资料。IGBT关断尖峰电压抑制方法Vol.29 No.4 2009.4 船电技术 2009 年 第4期 IGBT 关断尖峰电压...IGBT关断尖峰电压抑制方法的研究_能源/化工_工程科技_专业资料。此文讲述IGBT关断的特性山西科技 2002 年第 2 期 □ 实用技术 YJ S S 驱动与吸收电路对 I...( SRM) 功率变换器中的 IGBT 在关断时出现的尖峰电压进行了分析,就如何 抑制 IGBT 关断尖峰电压提出了解决方法,并分别从减小主电路杂散电感和减小 IGBT 关断...IGBT关断瞬态电压尖峰影响及抑制_电子/电路_工程科技_专业资料。IGBT关断瞬态...( 1980 ) , 男, 湖 北天门 人, 博士 研究生, 主要从事电力电子器件电热...功率管关断瞬间尖峰电压的抑制方法_信息与通信_工程科技_专业资料。不亦心分享... IGBT关断瞬态电压尖峰影... 4页 免费 TVS瞬间电压抑制二极管参... 4页 ...开关磁阻电机功率变换器IGBT关断电压尖峰的分析与抑制_电子/电路_工程科技_专业资料。Researc h&Desig n研究与设计 鬻 溅 溺 粼鞭 变频 WWW.chinabianpin.con...更多&&本文针对开关磁阻电机(SRM)功率变换器中的IGBT在关断时出现的尖峰电压进行了分析,就如何抑制IGBT关断尖峰电压提出了解决方法,并分别从减小主电路杂散电感...20t,2008h ◆ 研究开发 IGBT 变频器的关断浪涌电压仿真分析 及其抑制方法蹇 ... 这种方法可显著减小开通和关断时的过电压尖峰, dt但增加了 IGBT 的开关损耗,...IGBT变频器的关断浪涌电压仿真分析及其抑制方法_信息与通信_工程科技_专业资料。IGBT变频器的关断浪涌电压仿真分析及其抑制方法维普资讯求助关于IGBT全桥逆变时的关断电压尖峰问题 - 电源技术论坛 -
中国电子技术论坛 -
最好最受欢迎电子论坛!
后使用快捷导航没有帐号？
求助关于IGBT全桥逆变时的关断电压尖峰问题
19:27:02　　
对于TVS管电压钳位的方法不太懂，原理图上说是把集电极的电压反馈到栅极上，但栅极的输入电压是有限制的啊，最高只能到十多伏，而集电极经过钳制的电压有几百伏，反馈到栅极岂不是要烧了IGBT?
(5.88 KB, 下载次数: 27)
19:26 上传
14:34:25　　
所以才加了个Vz啊，你先看下Vz的参数
18:56:08　　
PCB在线计价下单
板子大小：
板子数量：
PCB 在线计价
不会&&因为有VZ存在&&
21:32:32　　
电压负反馈不会烧坏管子，栅极电压升高的结果是集电极电压的下降，集电极电压的下降又导致栅极电压的下降，所以栅极电压不会升到危险电压值。
等待验证会员
17:12:27　　
VZ设置多大呢？
助理工程师
19:45:32　　
单管也许可以这样，但是在全桥中可以这样应用吗？会不会有直通的危险？
16:04:05　　
不错{:1:很好
11:14:02　　
一样的困惑
资深工程师
07:39:54　　
学习学习，谢谢分享！
Powered by
供应链服务
商务及广告合作
Jeffery Guo
关注我们的微信
供应链服务 PCB/IC/PCBA
下载发烧友APP
版权所有 (C) 深圳华强聚丰电子科技有限公司