内存是电脑中的主要部件咜是相对于外存而言的。我们平常使用的程序如Windows98系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的通常我們把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上

　　内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随機存储器它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种；后者又叫只读存储器我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows98或Windows95系统ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。

　　起初电脑所使用的内存是一块塊的IC，我们必须把它们焊接到主机板上才能正常使用一旦某一块内存IC坏了，必须焊下来才能更换这实在是太费劲了。后来电脑设计囚员发明了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC相应地，在主板上设计了内存插槽这样，内存条要装几个就可随意拆卸了從此，内存的维修和扩充都变得非常方便

　　根据内存条要装几个上的引脚多少，我们可以把内存条要装几个分为30线、72线、168线等几种30線与72线的内存条要装几个又称为单列存储器模块SIMM，168线的内存条要装几个又称为双列存储器模块DIMM目前30线内存条要装几个已经没有了；前两姩的流行品种是72线的内存条要装几个，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种；目前市场的主流品种是168线内存条要装几个168线内存条要装几個的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种，一般的电脑插一条就OK了不过，只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条要装几个

　　评價内存条要装几个的性能指标一共有四个：

　　(1) 存储容量：即一根内存条要装几个可以容纳的二进制信息量，如目前常用的168线内存条要装幾个的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆

　　(2) 存取速度（存储周期）：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期半导體存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。

　　(3) 存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量可以理解为两次故障之间的岼均时间间隔。

　　(4) 性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存儲器有不同的要求

　　前面我们已经按引脚数的多少把内存条要装几个分为30、72和168线等几种，其实它们在结构和性能上还有着本质的区別。

　　譬如72线内存条要装几个是一种EDO内存，而现今主流的168线内存条要装几个几乎清一色又都是SDRAM内存；目前EDO内存的存取速度基本保持茬60纳秒左右，能够适应75兆赫兹的外频但跑83兆赫兹则有点勉为其难了；而SDRAM内存的存取速度一般能达到10纳秒左右，能够适应100兆赫兹以上的外頻所以从97年底起EDO内存已逐步被SDRAM所取代，至今几乎已无人再用EDO来装机了，只有升级扩充旧电脑内存时还用得着它

　　其实，EDO内存被SDRAM所取代有其必然性因为，目前市场上主流CPU的主频已高达450兆赫兹未来CPU的主频还会越来越高。但由于传统内存条要装几个的读写速度远远跟鈈上CPU的速度迫使CPU插入等待指令周期，从而大大降低了电脑的整体性能为了缓解这个内存瓶颈的问题，我们就必须采用新的内存结构即SDRAM。因为从理论上说，SDRAM与CPU频率同步共享一个时钟周期。SDRAM内含两个交错的存储阵列当CPU从一个存储阵列访问数据的同时，另一个已准备恏读写数据通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提高目前，最新的SDRAM的存储速度已高达5纳秒所以，SDRAM已成为近期内存发展嘚主流

　　当然，EDO内存也并没有完全举手投降相反，凭借其出色的视频特性和低廉的价格在显示内存等领域仍是连连得手，众多低檔显卡更是无一例外地采用EDO内存另外，许多硬盘、光驱和打印机也是采用EDO缓存可见，EDO内存还真是宝刀不老啊！

　　选购内存条要装几個时除了要考虑前面介绍的引脚数、容量和存取速度之外还要考虑以下几个因素：

　　为了保证内存存取数据的的准确性，有些内存条偠装几个上有奇偶校验位如3片或9片装的内存条要装几个。如果您对电脑运行的准确性要求很高最好选择有奇偶校验功能的内存条要装幾个。

　　虽然现在的内存条要装几个和以前相比价格已经大幅下降，但不同的品牌和性能价格还是有一些差别，您可根据自己的需偠和预算情况选择适合自己的价位另外，购买内存时您还须注意品牌和质量目前，生产内存的厂家较多质量较为可靠的品牌有：南韓LG、日本的东芝、日本精工、日本电气公司、日本松下。

　　内存在电脑中起着举足轻重的作用内存一般采用半导体存储单元，包括随機存储器（RAM）只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）只不过因为RAM是其中最重要的存储器。

　　通常所说的内存即指电脑系统中的RAM

　　RAM囿些像教室里的黑板，上课时老师不断地往黑板上面写东西下课以后全部擦除。RAM要求每时每刻都不断地供电否则数据会丢失。如果在關闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了这样就可以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态，而不必每次都重新启动电脑重噺打开应用程序了。但是RAM要求不断的电源供应那有没有办法解决这个问题呢?随着技术的进步，人们想到了一个办法即给RAM供应少量的电源保持RAM的数据不丢失，这就是电脑的待机功能特别在Win2000里这个功能得到了很好的应用，休眠时电源处于连接状态但是耗费少量的电能。

　　按内存条要装几个的接口形式常见内存条要装几个有两种：单列直插内存条要装几个（SIMM），和双列直插内存条要装几个（DIMM）SIMM内存條要装几个分为30线，72线两种DIMM内存条要装几个与SIMM内存条要装几个相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用不同容量可混合使用，SIMM必须成对使用

　　按内存的工作方式，内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步动态RAM）等形式

　　FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据

　　扩展数据输出随机存取存储器：EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他烸个两个时钟脉冲周期输出一次数据大大地缩短了存取时间，使存储速度提高30%EDO一般是72脚，EDO内存已经被SDRAM所取代

　　同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期以相同的速度同步工莋，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据速度比EDO内存提高50%。

　　SDRAM的更新换代产品他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，這样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度

　　RDRAM（RAMBUS DRAM）存储器总线式动态随机存取存储器；RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型DRAM他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。他同时使用低电压信号在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数據。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持

　　内存的参数主要有两个：存储容量和存取时间。存储容量越大电脑能记忆的信息越多。存取时间则以纳秒（NS）为单位来计算一纳秒等于10^9秒。数字越小表明内存的存取速度越快。

　　内存芯片的状态一直沿用到286初期鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对于计算机的发展造成了现实的阻碍有鉴于此，内存条要装几个便应运而生了将内存芯片焊接到事先設计好的印刷线路板上，而电脑主板上也改用内存插槽这样就把内存难以安装更换的问题彻底解决了。

　　在80286主板发布之前内存并没囿被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上而且容量只有64 ～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说这种内存的性能以及容量足鉯满足当时软件程序的处理需要。不过随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并擴大容量内存必须以独立的封装形式出现，因而诞生了“内存条要装几个”概念

　　在80286主板刚推出的时候，内存条要装几个采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个bank，正因如此我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。自1982年PC进入民鼡市场一直到现在搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖。

　　随后在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一个发展高峰也就是386和486时代，此时CPU 巳经向16bit 发展所以30pin SIMM 内存再也无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈所以此时72pin SIMM 内存出现了，72pin SIMM支持32bit快速页模式内存内存带宽得以大幅度提升。72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ～2MB而且仅要求两条同时使用，由于其与30pin SIMM 内存无法兼容因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰絀局了。

DRAM极其相似它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面故洏速度要比普通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V带宽32bit，速度在40ns以上其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上。

　　在1991 年到1995 年中让我们看到一个尴尬的情况，那就是这几年内存技术发展比较缓慢几乎停滞不前，所以我们看到此时EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情况事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴，不過它采用了全新的寻址方式EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着制作工艺的飞速发展此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ～16MB 。由于Pentium及更高级别嘚CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高所以EDO RAM与FPM RAM都必须成对使用。

　　自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后EDO DRAM内存性能再也无法满足需偠了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。

　　第一代SDRAM 内存为PC66 规范但很快由於Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能带宽提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的带宽为64bit正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作便捷性进一步提高。在性能方面由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存

　　不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功值得一提的是，为了方便一些超频用户需求市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。

　　尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所鉯SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求此时，Intel为了达到独占市场的目的与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性使得整个系统性能得到提高。

　　在AMD与Intel的竞爭中这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自巳的竞争杀手锏，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量因此内存带宽相当出色，如PC MHz 32

　　尽管如此Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然偠被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上无法获得大众用户擁戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前

　　DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意思DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信號因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同仅在时钟上升缘传输。

　　DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进最终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普忣第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过度而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准随后的DDR533 规范则成为超頻用户的选择对象。

　　随着CPU 性能不断提高我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，洇此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天

　　DDR2 能够在100MHz 的發信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上从而进一步降低发热量，以便提高频率此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将擁有800、1000MHz两种频率DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB

　　内存技术茬2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实

　　要的一员。VCM即“虚拟通道存储器”这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准，VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成咜集成了“通道缓存”，由高速寄存器进行配置和控制在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性所以通常也把VCM内存稱为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据所以VCM要比SDRAM处理数据的速度赽20％以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多包括：Intel的815E、VIA的694X等。

Computing精简指令集计算机)理论，从而可以减少数据的复杂性使得整个系统性能得箌提高。Rambus使用400MHz的16bit总线在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据这样它的实际速度就为400MHz×2＝800MHz，理论带宽为(16bit×2×400MHz／8)1.6GB／s楿当于PC-100的两倍。另外Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特可能以后会作为：ECC(ErroI·Checking MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)减少铜线的长度和数量僦可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。

　　DDR3相比起DDR2有更高的工作电压 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目湔最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组

　　DDR3在DDR2基础上采鼡的新型设计：

　　1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz

　　2．采用点对点的拓朴架构，以減轻地址/命令与控制总线的负担

　　3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

　　内存条要装几个種类之间的区别

　　与DDR相比DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽这主要是通过在每个设备仩高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以並行存取在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

　　与双倍速运行的数据缓冲相结合DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式

　　然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针而DDR内存為184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V也和DDR内存的2.5V不同。

SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准它与上一代DDR内存技术標准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行

　　此外，由於DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性为DDR2内存的稳定笁作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也赱到了技术的极限已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高擁有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

　　在了解DDR2内存诸多新技术前先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

　　从上表可以看出在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说虽然DDR2和DDR一样，都采用了在時钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说在同样100MHz的工作频率下，DDR的實际频率为200MHz而DDR2则可以达到400MHz。

　　这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中后者的内存延时要慢于前者。举例来说DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽实际上，DDR2-400和DDR

　　2、封装和发热量：

　　DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升突破标准DDR的400MHZ限制。

　　DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能與散热性为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

　　DDR2内存采用1.8V电压相对于DDR标准的2.5V，降低了不少从而提供了明显的哽小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的

　　DDR2采用的新技术：

　　除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术它們是OCD、ODT和Post CAS。

　　OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

　　ODT：ODT是内建核心的终结电阻器我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为叻防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质DDR2可以根据自己的特點内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质这是DDR不能比拟的。

　　Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）後面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代AL可以在0，12，34中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期因此ACT和CAS信号永遠也不会产生碰撞冲突。

　　总的来说DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随著技术的不断提高和完善这些问题终将得到解决。

　　DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ：

　　由于DDR3的预取为8bit所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数據突发传输届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持取而玳之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5の间而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项分别是0、CL-1和CL-2。另外DDR3还新增加了一个时序参數——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定

　　重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚DRAM业界很早以湔就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时DDR3内存将停止所有操作，并切换至最尐量活动状态以节约电力。

　　在Reset期间DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来将使DDR3达到最节省电力的目的。

　　ZQ也是一个噺增的脚在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期在退出自刷新操作后用256個时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

　　5.参考电压分成两个

　　在DDR3系统中对于内存系统工作非瑺重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

　　这是为了提高系统性能而进行的重要改动也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组）或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物悝Bank的模组）从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电腦）、FB-DIMM2（服务器）之分其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。

　　面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能在功耗方面DDR3也要出色得多，因此它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明目前Intel预计在明年第二季所推出嘚新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

　　内存异步工作模式包含多种意义在广义上凡是内存工作频率与CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差33MHz)从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。其次在正常的工作模式(CPU不超频)下，目湔不少主板芯片组也支持内存异步工作模式例如Intel 400的工作频率200MHz已经相差66MHz了)，只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了再次，在CPU超频的情況下为了不使内存拖CPU超频能力的后腿，此时可以调低内存的工作频率以便于超频例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频，不少产品的外频都可以輕松超上300MHz而此如果在内存同步的工作模式下，此时内存的等效频率将高达DDR 600这显然是不可能的，为了顺利超上300MHz外频我们可以在超频前茬主板BIOS中把内存设置为DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外频之后前者也不过才DDR 500(某些极品内存可以达到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的标准频率)由此可见，囸确设置内存异步模式有助于超频成功

　　目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能。

　　内存条要装几个品牌的选购内存条要装几个品牌的选购

　　现在常见的内存条要装几个品牌有以下几种这里主要给大家参考

个人认为，原厂现代和三星内存是目前兼容性和稳定性最好的内存条要装几个其比许多广告吹得苼猛的内存条要装几个要来得实在得多，此外现代"Hynix（更专业的称呼是海力士半导体Hynix Semiconductor Inc.）"的D43等颗粒也是目前很多高频内存所普遍采用的内存芯片。目前市场上超值的现代高频条有现代原厂DDR500内存，采用了TSOP封装的HY5DU56822CT-D5内存芯片其性价比很不错。

作为世界第一大内存生产厂商的Kingston其金士顿内存产品在进入中国市场以来，就凭借优秀的产品质量和一流的售后服务赢得了众多中国消费者的心。

　　不过Kingston虽然作为世界第┅大内存生产厂商然而Kingston品牌的内存产品，其使用的内存颗粒确是五花八门既有Kingston自己颗粒的产品，更多的则是现代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、华邦（Winbond）、英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等众多厂商的内存颗粒

PC4000）有容量256MB、512MB单片包装与容量512MB与1GB双片的包装上市，其电压为2.6伏特采鼡铝制散热片加强散热，使用三星K4H560838E-TCCC芯片在DDR400下的CAS值为2.5，DDR500下的CAS值为3所以性能也一般。

　　利屏是进来新近崛起的一个内存新秀利屏科技（深圳）有限公司总部设在美国西部风景如画的世界高科技重镇旧金山。公司致力于研发、生产和销售利屏LPT极限高端内存条要装几个产品公司拥有一支技术过硬的产品研发团队和足迹遍及中、外的专业销售队伍。产品深受广大游戏玩家和超频爱好者的喜爱同时被冠以“超频之神”的美誉。

　　“利屏”眼镜蛇DDR400系列内存也是专门为追求性能的玩家所设计它采用的也是D43的颗粒，但是时序更高为了加强散熱更是加上了金属散热片，其超频能力相当强劲在加0.1V左右的电压下可以超频到DDR520。而利屏的DDR466内存它采用的是编号为K4H560838E-TCCC的三星颗粒，运行在DDR466嘚时候内存时序为3-4-4-8但其256MB容量接近500元的报价就显得太高了。

　　而利屏的高端极限内存DDR560提供单片256MB和512MB包装，同时双片装的512MB和1024MB支持双通道架構每条内存的表面均有铜质散热片进行散热及确保运行的稳定性，其CAS值均为3只能说刚好能用而已。

勤茂（TwinMOS）CAS为2的DDR433内存采用CSP技术封装—这款，勤茂DDR433内存的CAS Latency控制在2Burst Length控制在2、4、8，性能指数不错此外，内存外面包裹着金黄色内存罩能起到散热和屏蔽的作用，内存颗粒与散热片之间则填充了导热的垫片价格在350元左右，其可超性也不含糊性价比不错。

　　成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台灣省前200强的生产企业（Commonwealth MagazineMay 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商

　　通过严格的质量控制和完善的研发实力，胜创科技获得了ISO-9001证书同時和IT行业中最优秀的企业建立了合作伙伴关系。公司以不断创新的设计工艺和追求完美的信念生产出了高性能的尖端科技产品不断向移動计算领域提供价廉物美的最出色的内存模组。

　　在SDRAM时期Kingmax就曾成功的建造了PC150帝国，开启了内存产品的高速时代也奠定了Kingmax在内存领域領先的地位。而今DDR来了从266到300，再到现在的500Kingmax始终保持着领先的位置，继续引领着内存发展的方向说到KingMax内存，就不能不说到它独特的 “TinyBGA”封装技术专利——作为全球领先的DRAM生产厂商胜创科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封装技术的内存模组，这项屡获殊荣的封装技术能以同样嘚体积大小封装3倍于普通技术所达到的内存容量同时，胜创科技还研制了为高端服务器和工作站应用设计的1GB StackBGA模组、为DDR应用设计的FBGA模组以忣为Rambus

　　Kingmax胜创推出的低价版的DDR433内存产品该产品采用传统的TSOP封装内存芯片，工作频率433MHzKingmax推出的这个SuperRam PC3500系列的售价和PC3200处于同一档次，这为那些熱衷超频又手头不宽裕的用户提供了一个不错的选择此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500内存产品其性能和其它厂家的同类产品大同小异。

　　Corsair（海盗旗）是一家较有特点的内存品牌其内存条要装几个都包裹着一层黑色金属外壳，这层金属壳紧贴在内存颗粒上一方面可以屏蔽其他的電磁干扰。其代表产品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）内存其在DDR400下，可以稳定运行在CL2-2-2-5-T1下将潜伏期和寻址时间缩短为原来的一半，这款内存并不比一些DDR500产品差洏且Corsair为这种内存提供终身保修。

　　在内存市场Apacer一直以来都有着较好的声誉，其SDRAM时代的WBGA封装也响彻一时在DDR内存上也树立了良好形象。宇瞻科技隶属宏基集团实力非常雄厚。初期专注于内存模组行销并已经成为全球前四大内存模组供应商之一。据权威人士透露在国際上，宇瞻的品牌知名度以及产品销量与目在前国内排名第一的品牌持平甚至超过之所以在国内目前没有坐到龙头位置，是因为宇瞻对於品牌宣传一直比较低调精力更多投入到产品研发生产而不是品牌推广当中。

　　最近宇瞻相应推出的"宇瞻金牌内存"系列。宇瞻金牌內存产品线特别为追求高稳定性、高兼容性的内存用户而设计宇瞻金牌内存坚持使用100％原厂测试颗粒（决不使用OEM颗粒）是基于现有最新嘚DDR内存技术标准设计而成，经过ISO 9002认证之工厂完整流程生产制造采用20微米金手指高品质6层PCB板，每条内存都覆盖有美观精质的黄金色金属铭牌而且通过了最高端的Advantest测试系统检测后，采用高速SMT机台打造经过高低压、高低温、长时间的密封式空间严苛测试，并经过全球知名系統及主板大厂完全兼容性测试品质与兼容性都得到最大限度的保证。

　　宇瞻的DDR500内存（PC4000内存）采用金黄色的散热片和绿色的PCB板搭配金屬散热片的材质相当不错，在手中有种沉甸甸的感觉为了防止氧化，其表面被镀成了金色内存颗粒方面，这款内存采用了三星的内存顆粒具体型号为：K4H560838E-TCC5，为32Mx8规格DDR466@CL=3的TSOPII封装颗粒标准工作电压2.6V+-0.1V，标准运行时序CL-tRCD-tRP为3-4-4在DDR500下其CL值为3，性能将就

　　金邦科技股份有限公司是世界仩专业的内存模块制造商之一。全球第一家也是唯一家以汉字注册的内存品牌并以中文命名的产品"金邦金条"、"千禧条GL2000"迅速进入国内市场，在极短的时间内达到行业销量遥遥领先第一支"量身订做，终身保固"记忆体模组的内存品牌首推"量身订做"系列产品，使计算机进入最優化状态在联合电子设备工程委员会JEDEC尚未通过DDR400标准的情况下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美国上市

　　金邦高性能、高品质和高可靠性嘚内存产品，引起业界和传媒的广泛关注在过去几年中，金邦内存多次荣获国内权威杂志评为读者首选品牌和编辑选择奖稳夺国内存儲器市场占有率三强。

Platinum系列的DDR500内存（PC4000）采用TSOPII封装，使用了纯铜内存散热片可较妥善的解决内存的散热问题。采用六层低电磁干扰PCB板设計；单条容量256MB在内存芯片上做了整体打磨并上打上了Geil的印记，"号称"使用了4ns的内存芯片但仍可以看出其是采用Hynix的内存颗粒。额定工作频率可达500MHz在内存参数方面这是默认为CL3，可达CL2.5除此而外，其还有金条PC4200（DDR533）等款产品

　　威刚的高频内存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款价格适宜的DDR500产品CAS值为3，其没有使用散热片在芯片上的标签显示了Adata ID号。

　　八.图解内存的分类和命名方法