亚马逊：问题和回答：intel芯片问题是SLC还是TLC的

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-01-21 18:16 标签： 处理器芯片安全问题
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请不要再谈SLC MLC固态硬盘才是主流天极网硬件频道 06:00
　　大部分用户不知道什么是SSD
　　如今大家还是会选择机械硬盘多一点，因为500块不到便能获得1TB的存储容量，这是非常直观的，1TB的容量可以存储50部的1080P电影，可以存储20万张高清的照片，可以存放100个大型的游戏。但是超过500块的只能给到你120G的容量，而唯一提升的性能对于初次使用或者是初次认识的用户而言是模糊的。在他们的脑海里完全没有速度提升的概念，完全没有150M每秒和500M/秒的概念，因此绝大部分厂家的宣传对于大部分用户而言是无效的。
　　大部分品牌的宣传用户看不懂
　　但就算是了解SSD的用户也不一定会买账，厂商会提供拥有硬盘阵列功能，帮助提供多硬盘用户提供运行时的工作效率；而第三方软件厂商还提供了一些利用大，组建虚拟磁盘，达到远超SSD读写性能得效果；另外，的出现也加快了系统的启动，缩减了一半的启动时间，拉近了与SSD作系统盘的启动时间。上述这些功能无一不是在缩短机械硬盘与SSD之间的性能差距。因此固态硬盘虽是未来主流，但要完全淘汰如今的机械硬盘，其长路漫漫修远兮。
　　三种闪存芯片
　　说到SSD就必须说到Flash芯片，介绍flash芯片就必须说到SLC、TLC、MLC这三种类型的闪存芯片。
　　SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵(约MLC 3倍以上的价格)，约10万次擦写寿命
　　MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
　　TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
转投MLC闪存行列的三星840系列
　　最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
　　SLC技术：存取原理上SLC架构是0和1两个充电值，即每Cell只能存取1bit数据，有点儿类似于开关电路，虽然简单但却非常稳定。如同电脑的部件一样，要想在一定体积里容纳更多的晶体管数，就必须提高生产工艺水平，减小单晶体管体积。目前SLC技术受限于低硅效率问题，要想大幅度提高制程技术就必须采用更先进的流程强化技术，这就意味着厂商必须更换现有的生产设备，投入大不说而且还是个无底洞。
　　TLC技术：2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
　　MLC技术：而MLC架构可以一次 储存4个以上的充电值，因此拥有比较好的存储密度，再加上可利用现有的生产设备来提高产品容量，厂商即享有生产成本上的优势同时产品良率又得到了保证，自然比SLC架构更受欢迎。
　　SLC早已过时
　　从上面的介绍中可以了解，若采用SLC技术无疑是加大了生产成本，最后便是高价而无法普及平民化。因此采用MLC单元才是SSD未来的固态硬盘的发展趋势。虽然其相对SLC容易产生读写错误，但是技术的提升已经可以基本忽略不计这样的错误，也就是说基本不可能发生。好比你乘坐飞机，它坠毁了这是非常小的几率；相对于每天上下几千上万次的航班，其几率只有几千万分之一甚至几亿分之一。但是容量的提升却是显而易见，同样的价格下，大部分用户还是会理智的选择采用容量更大的MLC固态硬盘。
（作者：赵成责任编辑：赵成）
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MLC,请教问下一下,闪迪TF卡,这是SLC,还是TLC
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MLC,请教问下一下,闪迪TF卡,这是SLC,还是TLC,灰常感谢。
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沪ICP备号&　　TLC = Triple-Level Cell，即3bit/cell，它的寿命短，速度慢，约500-5000次擦写寿命。　　现在多为MLC，TLC也有一部分，将来TLC会占大部分市场。　　一种名为TLC的架构(有些地方称3LC)已批量应用于闪存芯片上，这种架构与MLC采用近似原理，只不过MLC是1个单元2个bit，而TLC则是1个单元3个bit，回想一下MLC和SLC的差距，基本上TLC在同样的方面比MLC还要差上一大截。　　与MLC相似的是，这种技术同样是在价格上占了优势，比MLC更便宜，不过寿命/速度则更差于MLC，而且TLC通常是和高制程同时出现的，导致目前一些采用TLC的U盘速度惨不忍睹，寿命更是没底(有人说只能达到1000多次)。 想想这2年，一些数码发烧友以昂贵的价格购买SLC芯片的U盘，体验性能或是存放贵重资料，再过1、2年，可能就能看到数码发烧友摒弃TLC，争相购买MLC芯片U盘的情景了。　　TLC 的寿命500次是第一代工艺不成熟的时候，第二代第三代早就超过这个数字，目前hynix的tlc官方pdf标称寿命次，东芝的更高。　　TLC的数据保存期限是个问题。具体参数未知，一般认为写入后断电状态(通电状态保存期会缩短)30℃保存，SLC可安全保存10年，34nm MLC是1年，工业级MLC是3个月(牺牲保存期限和写入速度来换取3万次的写入耐久度)，TLC是多少还没有说法，但可以肯定达不到同制程MLC的一 半。如果TLC的U盘摆一久拿出来用，发现都成了乱码，才叫杯具!但这并不是最渣的，向下还有1个单元4个bit的QLC，关于QLC这里就不多介绍了。　　现在U盘很多用的就是这种芯片了，比如低价位的大多都是采用这样的芯片的，而高价位的一般都是MLC的，只有一些昂贵的极品超高速u盘才采用SLC。
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大家都在搜iPhone6不是一直爆出机子出现死机、重启的问题么，今天看到新闻说其实是因为部分机子用的芯片是TLC的，比较廉价所以才会有这些问题！！！我现在开始担心我的手机了。。。那有没有大神知道怎么看6的存储芯片是TLC还是MLC还是SLC的？？附个链接：http://news.mydrivers.com/1/341/341171_all.htm
是啊，怎么分辨呢？
原来还可以这么水啊，幸亏我手机不是爱疯呢
我的手机也是iphone6的。
但愿我的不是TLC啊
用苹果6的都是土豪啊。
我也是刚买的，现在经常出现死机。
用那个91助手就可以查看那个芯片信息。
我还买不起苹果6呢。
我也想知道这个问题。
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