您好，请问二极管，三极管的压降跟什么有关？_百度知道
您好，请问二极管，三极管的压降跟什么有关？
在同一电源下，跟体积有关吗？CPU中二极管的压降是多少？
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　　二极管正向压降及三极管发射结正向压降跟电源及体积均无大的关系，主要与半导体材料及掺杂浓度有关。此外电流越大，压降也稍大一些。　　流体在管中流动时由于能量损失而引起的压力降低。这种能量损失是由流体流动时克服内摩擦力和克服湍流时流体质点间相互碰撞并交换动量而引起的，表现在流体流动的前后处产生压力差，即压降。　　三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
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掺杂浓度材料不变，掺杂浓度越大，白色、蓝色LED大约3V2。详见半导体物理学或者模拟电子学著作，锗大约0.2V。有的硅整流二极管正向压降低达0，主要与半导体材料及掺杂浓度有关二极管正向压降及三极管发射结正向压降跟电源及体积均无大的关系，正向压降就越大，红色LED大约1.8V。此外电流越大，压降也稍大一些。1. 半导体材料硅二极管正向压降大约0.7V。 至于三极管的集电极-发射极饱和压降Uce（sat)，则主要与管子的饱和程度有关，也与电流大小有关.4V，有的硅二极管正向压降高达0.8V，就是掺杂浓度不同造成的
二极管的压降可以随意定制吗
已经说明了，二极管的压降与材料和掺杂浓度有关。对于半导体制造者来说，可以通过选取材料和合适的掺杂浓度来控制，就是您说的定制，得到合适的正向压降；对于用户来说，可以选取合适的管子型号，得到所需的正向压降。
可以精确到几千万分之一伏吗
精确到几千万分之一伏，一般并无此必要。但是可以精确到几mV。pn结正向压降大约每°C下降2mV。利用此特性，可以制作温度计。
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二极管标称压降大约 0.7V，与流过二级管电流有关，与体积也有一定相关。硅三极管的饱和压降Uce大约0.2V，也与电流有关，与体积也有一定相关。
与晶体管的材料有关，硅材料二极管的压降≤0.7V，锗材料二极管的压降≤0.3V。
根本上讲 电压只是与电阻有关。如：超导材料(电阻近似为零)，给其供电，他两端就不会有电压。半导体伏安特性曲线之所以变化，是因为不同的电流使半导体内部粒子组合方式改变，表现为不同的阻值使加在他上面的电压不同。跟体积、材料等有关，但不是最直接的关系。二极管按材料、功能等分很多种，都对应有不同的正向导通压降，通常0.3V、0.5V、0.7V不等(发光管除外)，CPU中二极管具体要看是什么管子，才知道是多少伏。
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是单端甲类电路。这类电路也有变压器，但这类电路的输出变压器中有很大的直流成分，对输出变压器的要求比推挽输出电路中输出变压的要求要高。另外对供电电源的要求也比较高。这类输出电路的特点是二次谐波成分比较多，尽管这是一种谐波失真，但对音乐信号来说，二次谐波是高度的谐合音，所以听起来很入耳。这一特点使得这种输出电路的功放在声音的音色上很有特点，尤其是当功放级采用三极管时，人声听起来很甜美，室内乐中的弦乐...
;& && && && & （5）在开关电源中不能用普通整流二极管替代恢复二极管或肖特基二极管；
三极管的测量；
& && && && && && && && &nbsp...
以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千欧。7．三极管电极的判别对于一只型号标示不清或无标志的三极管，要想分辨出它们的三个电极，也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时，则红表笔接触...
电流能力怎么能带动电机？加个三极管吧至少。加强驱动。
[quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2338176&ptid=626541][color=#999999]shrxh 发表于
09:40[/color][/url][/size]
请问，为什么不行呢？[/quote]
IO口的电流能力应该是...
测试点的方法1、寻找电路板上电源电压测试点的目的故障检修中，时常需要测量电路板上的电源电压，这时需要测量电路板上的电源电压，这时需要找到电路板上的电源电压端。另外，在故障检修中还需要找到下列一些电压测试端点。1）集成电路的电源引脚，用来测量集成电路的直流工作电压。2）三极管集电极，用来测量该三极管直流工作电压，了解它的工作状态。3）电子滤波管发射极或集电极，用来测量电子滤波管输出的直流电压，了解其工作...
跌落摔坏是导致晶振损坏的主要原因。在更换晶振后，还是不能排除故障的话，就应先测量晶振两端的电压，当按动任何一个按键时，晶振两端会有明显的电压变化，这说明振荡器能产生脉冲信号。其次是检查集成块遥控信号输出端是否有相对较微弱的电压变化，如有变化，则应检查推动三极管和红外发射管是否有损坏，否则多数为集成块损坏。 2.电视遥控器晶振坏了，应该怎么维修?& && &nbsp...
场管GS电压大于开启电压后DS导通，电阻很小，那提高R3根据分压不应会得到较高电压吗？？
如果不是这样， ...[/quote]
“如果不是这样，应该如何改？？”
共漏极电路(源极输出)类似于双极型三极管的共集电极电路(发射极输出)，电压增益略小于1。
要想在负载上得到峰峰值接近于电源电压的交流电压，应该采用共源极电路(漏极输出)。
[quote][size...
这个限流电路的限制电流大小是不是等于三极管的开启电压比上R1的电阻值呀？另外，R2,R3的作用是什么？值怎么确定？
限流电路 近似地，限流值乘以R电阻值加上P3发射结压降等于Vin减去Vout再由R1R2分压值。
另外，R2,R3的作用是什么？值怎么确定？
图中未见R3。
此电路限流值很不准确，作用非常有限。
[quote][size=2][url=forum.php?mod...
：指在满足电路性能及整机安装与面板布局要求的前提下）。
3、印刷电路中不允许有交叉电路，对于可能交叉的线条，可以用“钻”、“绕”两种办法解决。即让某引线从别的电阻、电容、三极管脚下的空隙处“钻”过去，或从可能交叉的某条引线的一端“绕”过去，在特殊情况下如何电路很复杂，为简化设计也允许用导线跨接，解决交叉电路问题。因采用单面板，直插元件位于上面，表贴器件位于下面，所以在布局的时候直插器件可与表贴...
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　　B检测10PF～0.01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值...
，是这样的。
这个体内二极管，是由制造工艺决定的。大功率MOS管的漏极在硅片背部(焊接在基座上 ...[/quote]
三极管也是小功率的吧
[quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2333464&ptid=622763][color=#999999]hql724914 发表于
您好，谢谢你的关注与提问，，文献为附件PDF文件
bu406仿真虽然没结果，但经过硬件调试有结果了，可以驱 ...[/quote]
首帖第一个电路，使用了大功率双极型三极管BU407。这种大功率三极管频率特性相当差，特征频率(共发射极电流放大倍数下降到1的频率)不过10MHz，而你的电路压电陶瓷换能器谐振频率1.7MHz(电路要求振荡于1.7MHz)。在1.7MHz频率下...
反向)，属N沟道管，且黑表笔接触的管脚为栅极G，并说明原先假定是正确的。若再次测量的阻值均很小，说明是正向电阻，属于P沟道场效应管，黑表笔所接的也是栅极G。若不出现上述情况，可以调换红、黑表笔，按上述方法进行测试，直至判断出栅极为止。一般结型场效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，当栅极G确定以后，对于源极S、漏极D不一定要判别，因为这两个极可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千欧。7．三极管...
具有1MHz信号源，可精确量测小电容小电感。
三点测试模式，可测三极管、FET、SCR等元件，四点测试模式可测Photo Coupler，更确实检测上述零件之反装及空焊问题。
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。鉴于此，众多国内外知名汽车电子厂商均重点推出了旗下智能汽车系列产品。新技术应用和新模式不断涌现，为中国的汽车电子企业提供巨大发展空间。
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、静态阻抗比较、输出结果比较、电流比较等。
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热门资源推荐三极管导通压降是指哪两个极之间的啊，npn和pnp还不一样是吗_百度知道
三极管导通压降是指哪两个极之间的啊，npn和pnp还不一样是吗
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按材料分有锗和硅之分,二十年前常见的是pnp型锗管居多.02v以下,ec脚导通电压最低在0,和ec脚之间有电流时的压降,三极管按极性分有npn和pnp之分.2-0,即eb脚之间有电流,导通压降只与材料有关,锗管的eb脚正向偏压在0.3v,ec脚导通电压最低可达0导通是指发射结有正向偏压,硅管eb正向偏压在0.7v.1-0,如今一般是npn型硅管居多
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1，三极管导通压降是Vbe电压NPN的压降是基极高於发射极0.7V，PNP是发射极高於基极0.7V 2，另外一个饱和压降是VceNPN饱和压降是发射极和集电极的压降=0.3V，集电极高於发射极0.3VPNP反之
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三极管的集电极电流和发射极的电流基本相等，也就是说。。。。
三极管的集电极电流和发射极的电流基本相等，也就是说集电极与发射极流过相同的电流，为什么在发射极测得的电压确比基极低0.6伏呢，当发射极流过的电流和集电极相同（就应该比基极电流多得多）应该在反馈电阻上产生较大的压降呀，为什么测得的电压波形和基极大...
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的理解，发射极与集电极是输出回路，发射极是公共级共用的。基极发射极电压0.6伏的原因是PN结正向压降，相当于二极管正向特性曲线、集电极电流之和，这就是负反馈的原来。所以发射极里面的电流是基极，这个压降与基极回路是串联关系并且起到削弱基极电压的作用，发射极电阻压降约等于IC*RE：基极与发射极是一个回路。你可以直接理解为二极管正向导通的压降为0.6伏即可
前者是两个极之间的电压在发射结(不是极)正向偏置时，Ube=0.6V（硅管），这是P-N结特性所致。发射极电流是基极电流的（β+1）倍，反馈电阻接在发射极和地之间，并不会影响发射极和基极之间的电压，当然，也影响基极和地之间的电压。你可能把Ube理解成Ub了，该电阻只会影响发射极和地之间的电压
三极管是非线性PN节组成的原件，所以电压和电流的关系不是U=IR这种纯电阻线性关系。首先基极电流IB非常小，把三极管看作一个三端元件根据电流定律IC=IB+IE，所以IC约等于IE。硅管UBE=0.6-07，锗管UBE才0.2左右。只要给BE间加上一个大于0.6的电压就会导通，而BE间是一个PN节，所以不考虑温度等因素压降永远=0.6V，这就是为什么要加个基极电阻的原因限制电流，也叫分压，在计算时IB=(VCC-UBE)/RB。也正是因为PN节的非线性，IC=（1+β）IB，与UCE的大小无确定关系。三极管内确实有物理电阻，但还有载流子PN节，这就是为什么在三极管里面UIR不是纯电阻关系。至于为什么PN节的恒压降，这是一个物理现象，你把它当作一个元件，电流大了就会击穿烧掉，电流正常就是恒压工作。而电阻就是另一种元件，U=IR，呈现的一种线性关系的元件。
那是PN结的死区电压.
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我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v？有人能解释清楚吗？_百度知道
小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v？有人能解释清楚吗？
临界饱和时Vce=Vbe，即Vbc=0.3V,导通时Vbe约为0.7V，硅管区饱和压降VCES为0模电书上都是这样定义的，三极管临界饱和时的管压降
可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和，这怎么解释。？
我有更好的答案
Ue)，一般按0.3V估算。可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和，这怎么解释。？ 你们书写错了.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降。由于饱和时，三极管中的两个PN结的偏置为，而是0，因此，饱和时，C到E之间的压降不可能高于0，即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降。而0，饱和时的VCE不可能是0.7V;Uc)，否则就不能满足饱和的条件了.3V，是由元件本身特性决定的，可以看三极管的输出特性曲线，在左边的饱和区，Uces的很小的一个范围：发射结正偏(Ub&gt。而为什么硅管区饱和压降VCES为0.7V的，集电结正偏(Ub&gt对于NPN型的硅三极管，0.7V是PN结正偏时的导通压降
采纳率：53%
我补充一点、饱和、深度饱和.3V；另外饱和还分临界饱和.2~0，且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种3楼说的不错，锗管的饱和压降为0
在管子饱和导通时，二个结正向偏置，Vbe约0.7V，Vbc=0.3--0.4V（不为0）；故Vce=Vbe-Vbc=0.3V左右。不知道这样的解释使你满意吗？呵呵！
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