各位师傅,麻烦帮我借读一下这个半桥驱动芯片电路电压是怎么走的,不太明白

零电压(ZVS)开关特性
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DC-DC全桥移相式ZVS-PWM开关电源补偿网络的最优设计
26.7.1 主电路及电压、 电流波形
26.7.2 FB ZVS-PWM变换器小信号模型
26.7.3 FB ZVS-PWM变换器主电路传递函数及频率特性
26.7.4 FB ZVS-PWM开关电源补偿网络最优设计模型
26.7.5 典型设计举例...
提出一种新颖的副边控制型DC/DC半桥变换器。该变换器从空载到满载均能实现软开关,其中原边开关管实现ZVS,副边开关管实现ZCS。变换器优越的输出波形减小了输出滤波器的体积。分析了该变换器的工作原理和工作特性,并通过一个100 W(输出12 V/8.4 A)的原理样机进行了验证,最后给出了实验结果。关键词:副边控制 零电压零电流 DC/DC变换器移相控制全桥DC/DC变化器已成为中大功率DC...
重要指标。而传统的单端正激拓扑,由于其磁特性工作在第一象限,并且是硬开关工作模式,决定了该电路存在一些固有的缺陷:变压器体积大,损耗大;开关器件电压应力高,开关损耗大 ;dv/dt和di/dt大等。&&& 为了克服这些缺陷,提出了有源钳位正激变换器拓扑,从根本上改变了单端正激变换器的运行特性,并且能够实现零电压软开关工作模式,从而大量地减少了开关器件和变压器的功耗,降低...
新颖谐振网络零电压零电流并联谐振变流器:本文提出了一种新型并联谐振变流器。它具有一个新颖的谐振网络,由位于隔离变压器原边的一组谐振电感与谐振电容,和副边整流管之后的一个谐振电感三者组成,简称LC+L 谐振网络。不同于传统的PRC,本文提出的具有LC+L 谐振网络的PRC 能够同时实现原边开关管的ZVS 开通和副边整流二极管的ZCS 关断。相比传统LLC 串联谐振变流器,此变流器能够在宽输入电压...
单级PFC结构简单,成本低,详细地介绍了一种基于不对称半桥的单级不对称半桥变换器,分析了它的工作原理及主要参数选择,并用实验验证了其实现PFC和ZVS的特性。 关键词:功率因数校正;不对称半桥;零电压开关 0 引言 目前比较成熟的PFC技术是两极PFC,前级用成熟的APFC电路(通常为Boost电路)实现功率因数校正,通过第二级DC/DC变换即可得到需要的输出,又可起到隔离的目的。两级电路都有...
摘要:单级PFC结构简单,成本低,详细地介绍了一种基于不对称半桥的单级不对称半桥变换器,分析了它的工作原理及主要参数选择,并用实验验证了其实现PFC和ZVS的特性。 关键词:功率因数校正;不对称半桥;零电压开关...
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存在相移,系统能以零电压开关(ZVS)模式工作。这大大提高了系统的整体效率。
& & 接收单元包含一个同步整流器和下游的滤波和筛分元件。由于发射器和接收器之间的交变场采用调幅机制,接收器可向发射器发送任何数据。应用例子之一是手机可在充电期间将传感数据发送至基站。实现这种专有系统所需的各种数据均可免费下载。
& & 譬如用于医疗和物联网设备
谐振 LLC 半桥转换器非常适合离线大功率应用 (200-800W),因为一次侧 FET 可从零电压开关 (ZVS) 中获得极大的优势。LLC 转换器需要相当窄的输入范围,因此通常伴随有 PFC 前端。在这些功率级下,输出整流二极管中的损耗会成为一个大问题,其可降低输出电压。使用同步 FET 替代二极管似乎是一个缓解这些损耗不言而喻的办法,但应该如何控制同步 FET 呢?幸运的是,LLC 半桥中...
的是最小传导损耗。
低RDS(ON) 可把BOM及PCB尺寸降至最小
& && & 一般而言,MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗;对ORing FET应用来说,RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON) 是一个相对静态参数...
的拓扑结构,如从反激拓扑结构转向谐振半桥拓扑结构,从而充分发挥零电压开关(ZVS)的优势。有利的是,安森美半导体早已着手开发能用于LED驱动电源的高能效半桥解决方案,如NCP1396及其升级版NCP1397高性能谐振模式控制器。NCP1397内置高端和低端驱动器,支持可调节及精确的最低频率,提供极高能效,并具备多种故障保护特性。基于NCP1607 PFC控制器和NCP1397双电感加单电容(LLC...
损耗。这也就是为何MOSFET成为广泛使用的功率晶体管的原因之一。它们的电流下降时间很短,这意味着MOSFET两端的电压出现显著增加前,电流就几乎下降到零。ZVS(零电压开关)可以用于改善效率。ZVS控制开关的时序关系,使之在电感电流接近零时关断。当MOSFET开关的时序被控制为与输入波形的过零点同步时,开关损耗将得以降低。ZVS的一个实现方式可如图2所示,即添加电感L2。这也是ZVS成为隔离型...
& && && &一般而言,MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗;对ORing FET应用来说,RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON) 是一个相对静态参数。
& &&nbsp...
和雪崩能量。
& && && &某些特殊的拓扑也会改变不同MOS管参数的相关品质,例如,可以把传统的同步降压转换器与谐振转换器做比较。谐振转换器只在VDS (漏源电压)或ID (漏极电流)过零时才进行MOS管开关,从而可把开关损耗降至最低。这些技术被成为软开关或零电压开关(ZVS)或零电流开关(ZCS)技术。由于开关损耗被最小化,RDS...
一遍,思考一次,就理解的多一些。而且,从那以后直到现在,我都是没有师傅教,全部靠自己自学。
  不怕大家笑话,当我第一次看到BOOST的电路结构的时候,心里想的是,当这个开关管导通的时候,这电路输入不是短路了吗?后来才想明白,这正是开关电源和传统的线性电源之间的差异,要用带时间性质的瞬间去分析电路,在高频特性下,电感是有感抗的,电流在短时间不会变的特别大,那样就不是短路了。其实分析开关电源的功率变换...
的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON) 是一个相对静态参数。
若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源,低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中,每个电源常常需要多个ORing MOS管并行工作,需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下,设计人员必须并联MOS管,以有效降低RDS(ON)。
零电压开关电源(ZVS)是当前开关电源技术中比较先进,也比较成熟的技术,因为处于软开关状态,可以做到更高的频率及更高的效率,并且系统的可靠性更高跟稳定。
基于ZVS技术的芯片目前也比较多,比较典型的有UC3875及UCC3879,刘胜利的“现代高频开关电源实用技术”对ZVS的12个工作状态描述的比较详细,但因为描述的过于详细,反而不好简单理解,容易被书上牵着走,尤其是刘胜利书上涉及输出...
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但如果接了负载,电流就增大,随之电压降低,电流和电压的关系是反比关系的。用全桥可以增大输出功率我是搞维修的,给你分析一下,全桥整流与半桥整流方式输出电压是一样的,前提条件是在没有接入负载的情况下
采纳率:25%
有共阴和共阳两种,一般用于变压器有中心抽头的场合,正负半周都有输出输出电压随输出电流增大而有所降低,同是推挽输出,有全桥和半桥之分,是由于线路有电阻损耗,但电流和电压不是反比关系这和开关电源类似4个二极管组成的全波整流电路叫全桥,半桥指的是两个二极管组成的全波整流电路,三个管脚
也就是半波整流:
输出电压0.45U2
也就是全波整流:
输出电压0.9U2
(U2代表 你说接入的电压值,
当U2=10V时
那半波的电压就是4.5V)
方式不一样,全桥只要一组交流输入,半桥需要带中心抽头的交流输入组成双半波整流。
不一样的 全桥整流是四个二极管,半桥整流只用一个或两个二极管
而且输出波形是不一样的。
全桥和半桥输出的电压是相同的。只不过全桥整流可以达到更大的功率。
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