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三星全新旗舰手机Galaxy S7/S7 edge已经在MWC2016开幕的前一天发布,S7/S7 edge身上有许多亮点,例如双曲面Super AMOLED屏幕,IP68级别的三防功能,佳能全双核传感器技术等等,这确实能给用户不少全新的体验。而硬件配置作为良好体验的基础,旗舰的Galaxy S7/S7 edge又怎能落后呢?关于三星自主设计/制造的处理器,你又知多少呢?今天,笔者和大家一起聊聊三星处理器的发展历程,以及Galaxy S7/S7 edge的“大脑”:Exynos 8890与骁龙820。

三星制造处理器已经15个年头

  三星作为半导体领域的IDM厂商,其自身具备IC的设计能力以及生产能力。三星移动处理器(以下简称为Soc)发展至今已经经历了15个年头,其中不少经典的移动产品像 1代、iPod nano 2都搭载有三星的Soc。除了Soc之外,三星的产业(移动设备内)还涉及到多方面的设计制造,例如手机上的LPDDR3/4 RAM、eMMC/UFS标准的ROM芯片、OLED屏幕、摄像头模块等等,是全球仅有的一家核心部件自给自足的手机厂商。当然,以上提及到的产品都可以出售,三星也有自己的晶圆生产基地,用于自家芯片的生产以及别家Fabless厂商的芯片代工,例如A9处理器,高通骁龙820处理器等等。关于IDM与Fabless的区别请点击:《技术分析第55期:手机Soc工艺你知多少?》

三星移动处理器15年发展历程

  Exynos :三星首款双核处理器

S4不相上下,但功耗控制却比S4更优秀。

  当然,除了上述的3款处理器之外,三星还有相当多值得一提的经典处理器,例如业界首款采用Cortex-A15内核的双核Exynos 5250/四核Exynos 5410,与骁龙810同为A57+A53核心的Exynos 5433。考虑到文章篇幅过长,笔者就不一一解析了。而Exynos 8890作为三星2016年旗舰Soc,它到底是怎样的呢?莫慌,继续往下看。

  据悉,三星Galaxy S7拥有两个处理器的版本,分别搭载了Exynos 8890以及高通820。而更有消息指国行S7采用的是高通骁龙820版本,而国际版采用的是Exynos 8890,这可能是因为1.国行有电信CDMA制式,而高通820内置的基带以及捆绑的射频芯片组支持全网通,三星也就免去了像Galaxy S6外挂高通基带实现全网通的麻烦事,2.高通骁龙820采用三星14nm FinFET LPP制程工艺制造,换句话来说就是不热了,三星也更愿意使用骁龙820。

LPE升级到LPP,拥有更低的漏电率,核心频率也能进一步拉高。而架构方面,8890内置4*Mongoose+4*A53核心(共8核心设计),前面4个自主研发的Mongoose内核主频可达2.3GHz(超频可达2.5GHz)用于提高性能,后面4个A53核心主频为1.56GHz(超频可达2.2GHz)用于兼顾功耗。而GPU(图形处理器)方面则为Mali T880 12核心设计(据悉存在配备16核心的版本)。

  而内存方面依旧为双通道的LPDDR4,值得一提的是Exynos 8890首次集成了基带,下行支持Cat 12,理论速度达到600Mbps,而上行也支持到Cat 13,理论速度达到150Mbps。是三星自主处理器的又一里程碑。








  由于搭载Exynos 8890的机型还没开卖,所以仅能通过理论跑分成绩来说明其性能表现。单从数据上看来,Exynos 8890的单核性能已经比高通上代旗舰骁龙810以及三星上代旗舰Exynos 7420强不少,Exynos 8890的单核性能基本上是骁龙810、Exynos 7420的两倍,而GPU方面,Exynos 8890同样领先于另外两者,无论CPU性能还是GPU性能都有较大幅度的提升。

  而随着Exynos 8890的机型逐渐出货,其驱动以及软件/游戏的优化也会陆续跟上,相信具体性能会继续往上攀升。

  可能很多朋友会对这款处理器产生疑问,这么强大的处理器,发热怎么样。鉴于笔者手上也没有搭载这款处理器的相应机型,所以具体发热状况暂且不妄下定论。但Exynos 8890采用14nm FinFET LPP工艺制造,相信发热“理论”上会得到控制,究竟FinFET是什么?它又有什么作用呢?笔者来简单阐述一下。

  其实早在10多年前,就有人提出FinFET这个结构,FinFET主要重新设计了晶体管里面的S/D两级以及最为关键的Gate结构(什么是S/D/Gate今天不说,不然文章起码要多2000字),让Gate对通/断的控制力更强,也就是在更先进的制程节点上,减少S/D两级之间的漏电流,而漏电流会直接影响处理器的功耗。而骁龙810的20nm HKMG工艺,就是Gate控制力低下(对于20nm节点),导致漏电问题严重,所以发热以及功耗得不到良好的控制。

  而台积电/三星在16nm/14nm节点上都使用了FinFET技术,增强了Gate对S/D的控制力,减少漏电流。此外,随着三星14nm FinFET LPE过渡到LPP工艺的成熟,良品率会逐渐上升,成本慢慢下降,也利于三星在晶圆的制造过程中使用更好的工艺去控制功耗。

  Exynos 8890的发热情况本站将会进行相应的测试。

总结:三星自主处理器的又一里程碑

  搭载Exynos 8890的Galaxy S7已经发布。另外,在15年12月的骁龙820亚洲首秀上,高通表示已经有超过70款终端采用这颗处理器,相信到现在已经突破了这一数字。

  Exynos 8890作为三星首款集成基带模块的处理器,其身上有着相当多创新之处,例如自主设计的Mongoose核心以及自主架构+arm 公版架构的双簇式设计,能很好地兼顾高性能与低功耗。整体来说,Exynos 8890的性能表现在2016年夺下手机平台处理器性能宝座并不是问题。

  然而,Exynos 8890多核性能秒苹果A9不是问题,而工艺上面也采用比A9 LPE更强的LPP。

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A9处理器在6s上进行使用,6s的性能以及系统流畅度来说,是普遍超越835的安卓机型的!如果你更注重于系统的流畅度那么就a9,如果你更喜欢全面屏以及更高像素摄像头和大屏幕的表现,那么就安卓。

2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存,整合了Cat.16基带。

苹果A9处理器的Geekbench 3成绩为单核性能2090,多线程为3569,比较抢眼。A9处理器并不像安卓阵营所使用的处理器那样比拼核数,所以A9相比A8,虽然核数未必会实现大幅增加,但是性能进步却不小,资料显示,其CPU相比A8提升28.5%,GPU则提升60%。

这还用比吗?骁龙835的多核性能直接逗秒杀iphone7了,拿个a9芯片还在这比。。。。

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