芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的？ - 知乎<strong class="NumberBoard-itemValue" title="被浏览<strong class="NumberBoard-itemValue" title=",009,491分享邀请回答6.1K526 条评论分享收藏感谢收起1.1K123 条评论分享收藏感谢收起查看: 2305|回复: 6
为什么IBM推出7nm工艺新型芯片要使用锗硅材料？
其实应用锗（Ge）作为替代硅作为集成电路的半导体材料早就不是新鲜事儿了，其理论基础为锗的载流子迁移率要高于硅（Si）的，这件事情可以理解为理论上应用Ge能够制造时钟频率更高，即更快的集成电路。
但是一直以来问题都出在工艺上，举两个简单的例子，一是Ge的熔点为900度左右，部分高温工艺是没法做的；二是在集成电路工艺中需要反复的用到制备绝缘层这一工艺，Si的氧化物SiO2是绝佳的绝缘体，而且直接在Si表面进行热氧化就可以制备出来，工艺极其简单，至于Ge的。。。。好像挺麻烦的。。。。至于其它的外延生长啊金属积淀啊什么的好像锗的工艺都很复杂。
因此想要利用上Ge的优势也是微电子领域的一大课题（嗯，就是非硅基半导体电路制备工艺，Ge只是其中的一个分支），其中有一种就是在硅基上外延生长出Ge的方式。估计IBM使用的锗硅材料就是类似于这种东西。
题外话，最近IBM在微电子上的黑科技着实不少。。。。前几天刚看到发布了石墨烯的集成电路，今天又搞个7nm的锗硅材料工艺，这你妹是分分钟干掉intel的节奏啊。
由于硅基mosfet沟道越来越短，二级效应就变得很严重，眼看摩尔定律就要到头。一是改变器件结构，二是寻找新材料，能让摩尔定律接着走下去。
锗相对硅电子迁移率更高，理论上性能可以做的更好。这种东西做出来没什么新奇的，关键看能不能量产，以及兼容现有的硅工艺。
再补充一点，锗硅完全不是新东西，很多厂商在40nm工艺里就用这个做了沟道材料我是做through silicon via（TSV）方面的，对基体材料了解不深，抛砖引玉的说说查到的资料吧。
首先回答为什么IBM要用锗
硅材料。那是因为IBM是锗硅材料的行业领头人，他们对这个材料的性能，工艺等是最了解也是研发能力最强的。既然是要制造打破现在尺寸极限的新型芯片，当然是要用自己拿手的材料。这个材料并不是新发现的，但是IBM多年技术积累把这个芯片做出来了，这是很了不起的。
其次回答这个材料的优势。
锗是比硅贵的，所以它的优势应该是在硅芯片力所不能及的领域，才使人们愿意花大价钱去制造。下面详细说。
上图是锗和硅的能带图，可以看出锗的带隙比硅小。锗硅材料可以通过调节锗的组分和引入表面起伏，使响应波长工作在1.3μm和1.55μm之间。而常规光通信波段为1.3μm-1.6μm。所以这个特性使锗硅材料在光通信器件方面有很大优势。
上图是锗和硅的迁移率比较，锗的迁移率远大于硅，具有很好的高频性能。锗硅材料在一些射频领域就有很大的优势。应用范围如下图
除了性能的优点，如另外的答主回答的，锗硅材料制造工艺和硅材料制造工艺是比较兼容的，实用性很高。芯片制造中，设备成本是很高的（随手搜到三星最新的芯片厂造价144亿美元，工艺融洽的材料更受青睐。
另外，搜这个新闻的时候，看到英特尔表示自己的7nm芯片也在研发中，而且不用IBM采用的极紫外线光刻（EUV），拭目以待。
IBM做Ge好久了，它家的一些工艺是偏向模电的，有成熟的Ge heterojunction transistor，必然积累了很多Ge的经验。
其他的几家大的代工厂(以及intel)专攻数字电路，纯CMOS。在Ge上的经验不多，所以在开发新工艺时不会首选Ge吧
曾经听说锗材料在低功耗、集成度方面更有优势，但材料与工艺成本居高不下。
另外，联想IBM在先进IC架构设计方面有突破，比如神经元芯片，但目前硅基工艺似乎将要走到尽头。7nm的锗制程对此类芯片可能意味着实现初步商业化。
真的不懂，太高深了
从哪儿掐头去尾摘来的？一头雾水！
&&当年为什么淘态锗材料的三极管呢，是因为用锗材料制成的半导体三极管的穿透电流比用硅材料要大多了，这在当时几乎是无法跨越的坎，前苏联科学家花费大量的时间和经费来用锗材料的研究，结果是一事无成，而把对硅材料的研究给耽误了，在这方面原来具有的领先优势已不复存在，但是让美国人跑到前面去了。
这不是我等研究的问题
高科技对于我来说是对牛弹琴，可是还是想看看了解
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&政策导读：
资料来源：
当前，广泛应用于全球众多领域的芯片，长期由美国为首的少数西方国家垄断和控制，美国不仅拥有全球一流的研制和设计人才，而且，垄断了研发芯片材料的核心技术及生产设备，即使允许向国外出口低端生产和加工设备，其价格也十分昂贵。因此，作为像中国一样的发展中国家，虽然花大价钱进口生产加工低端芯片的生产设备，但是，由于不掌握芯片材料的核心技术，只能长期步其后尘。
　　结束“痛”现状唯一出路是：由国家协调聚集现有的经验和国际一流人才，整合国内研发力量，加快研发第二代芯片材料和应用步伐，各级政府在政策上给予必要的政策扶持和资金投入。
　　芯片材料国产化道路艰难
　　据业内人士介绍，作为广泛应用的半导体材料——为单元素材料，属于第一代芯片材料；而砷化镓、磷化铟为合成元素材料，属于第二代芯片材料。第二代芯片材料与第一代芯片材料相比，物理性能优越，具有禁带宽度大、电子迁移率高的特点。随着高温大功率电子器件和高频微波器件材料迅速发展，第二代芯片材料需求量大增，战略意义越来越重大。
　　目前，居全球垄断地位发展成熟的芯片，均出自第一代芯片材料。但是同时，美国、德国、以色列、日本等国家也相当重视第二代芯片材料的研发，并将其作为战略性储备技术，多用于军事领域，对包括中国在内的国家严格禁运。美国商务部
2015年4月决定对中国4家机构限售“至强”芯片，就是其长期对中国禁运高端芯片材料政策的体现。
　　近年来，中国出台一系列措施大力推动芯片材料国产化，特别是第二代化合物芯片技术的出现，为打破美欧在芯片材料领域的垄断提供了契机。一些科研机构和企业合作，从第二代芯片材料研发起步，开始取得突破和进展，有的不仅研制出基于第二代芯片材料的芯片设计和生产技术，而且，开发出第二代芯片材料生产设备，拥有了自己的知识产权专利。
　　但是，技术方面的突破不等于产业方面的突破。信息产业人士周知，当前国内外的一大严峻现状是：“国际产能饱和，本土产能缺乏”。近几年来，中国政府出台众多扶持政策，大力发展信息产业，但芯片材料国产化道路依然艰难缓慢。
中国的有利因素在于，中国拥有全球最大、增长最快的市场，2013年规模达9166亿元，占全球市场份额的50％。随着经济发展方式的转变、产业结构的加快调整，以及新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化同步发展，对集成电路需求将大幅增长。但劣势也很明显，多年来，片材料产业投资规模不足，2008年至2013年，中国集成电路行业固定资产投资总量仅400亿美元（1美元约合
6.32元人民币）左右，而美国英特尔公司一家2013年投资就达130亿美元。随着中央和地方集成电路投资基金的成立，本土产业有望获得重金支持，但是，由于实际情况并不乐观，芯片材料国产化，特别是高端芯片材料国产化仍步履艰难和徘徊不前。对此，业内人士不断发出“中国芯痛”的感慨。
　　长期“沉沦”于第一代芯片
　　资料显示，2013年，居全球芯片材料研发领域首位的美国高通公司营收益近250亿美元，其中，近一半来自庞大的中国市场。中国虽然有号称600家芯片设计公司，但是，芯片材料严重依赖进口，所有产品均属于中低端产品，国内年营收益超过10亿美元的厂家寥寥无几。据资料显示，2013年，中国集成电路进口金额高达2313亿美元，亿美元，多年来与石油一起位列最大两宗进口商品。中国生产手机、计算机、彩电，由于主要以整机制造为主，以集成电路和软件为核心的价值链核心环节缺失，致使行业平均利润仅为4.5％，低于工业平均水平1.6个百分点。
年2月10日，中国国家发改委决定对美国高通公司进行反垄断处罚，其罚款高达人民币60.88亿元，约合9.75亿美元，同时，还公布了高通公司在中国实行垄断的证据。美国高通公司之所以明目张胆地违反世贸规定，在中国实行行业垄断措施，问题就在于中国没有实现高端芯片材料国产化。
　　国家出于信息安全的考虑，将芯片材料国产化作为一项事关国计民生的重大战略，建立了上千亿元的基金资助，但是，发展材料至今步履维艰，其中，根本原因在于，由于第一代芯片材料生产加工投资十分巨大，一条生产线就需要十亿、几十亿、上百亿美元，而且，只能引进发达国家的淘汰设备，因此，芯片材料国产化仍遥遥无期。此外，对生产企业来说，研发第二代芯片材料前期投入是天文数字，况且，有可能血本无回。因此，宁可高价进口第一代芯片材料，也不愿投入第二代芯片材料研发。而这状况只能造成中国步发达国家后尘，难以找到新的出路。
　　有专家撰文说，在过去政策中，有关部门对的发展，强调空白技术突破、国际专利申请，以及学术文章的发表，好像只要答辩一过、专利一申、文章一发，中国的集成电路产业就可打破外国的技术垄断；其实恰恰相反，这些年来，中国的集成电路产业和国际先进水平的差距在不断扩大。
美国不推新一代产品为暴利垄断
　　长期以来，芯片材料研制和生产，不仅是衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志，而且是掌握国家信息安全门户的“钥匙”。美国不仅垄断了第一代芯片材料的研制和相关装备制造技术，而且，早在5年前，便大力开发第二代芯片材料。然而，美国迟迟不推出新一代产品，利益考量有很多。
　　一是出于暴利垄断需要。一片直径八英寸的材料，成本仅有100多美元，然而，一条硅芯片材料的生产线，却要价10亿美元以上，甚至100亿美元天价，而一条第二代芯片材料生产线仅需要数亿美元，显然，美国普及新一代芯片材料技术将失去暴利垄断地位。
　　二是出于成本回报需要。美国在国内外建立了众多生产厂家，不仅投入了众多的设计和生产设备，而且，为培养相关的技术人才注入大量资金。如果推出新一代芯片材料，必须在设备和人才方面有新的投入，因此，美国延迟更新换代为的是获取更多利润。
　　三是出于销售淘汰落后设备需要。美国对生产高端芯片材料的设备采取垄断措施，对于生产高端芯片材料的设备严格控制；但是，对中低端设备，特别是对进入淘汰期的设备则允许出口，包括中国在内的发展中国家，不得不引进美国的芯片生产线，为此付出巨大代价。
　　四是出于对军用级芯片材料禁运需要。以美国为首的西方国家，一直对一些国家实行严格的军用级芯片材料禁运措施，绝不允许高端芯片材料技术流失。
年4月9日，美国商务部决定对以中国超级计算机“天河”为业务主机的三家超级计算中心和“天河”的研制者国防科大采取限售措施，限售的产品则直指已在“天河二号”上装配近10万的英特尔“至强”ＣＰＵ。据悉，中国超级计算机“天河二号”连续多年蝉联世界第一超级计算机的桂冠。
　　业内人士认为，超级计算机芯片由于长时间高负荷工作，每隔一段时间需要更换，因此美国的制裁对中国现有的“天河”系列超级计算机的正常运行可能会产生一定的影响。虽然这个制裁不难绕过（“天河二号”主任设计师卢宇彤曾透露，“限售令”的确会给“天河二号”升级计划带来一定的负面影响，但升级是一项复杂的系统工程，不可能将成败完全系于ＣＰＵ——编注），但是，至少会增加中国维护现有超算系统的麻烦和成本。然而，美国发起的这场“贸易战”并非只对中国产生影响，对生产“至强”芯片材料的英特尔公司而言，这意味着减少大量芯片材料的销售额。同时，美国媒体有报道认为，今后令人关注的是，这一禁运只会刺激中国更多使用来构建新型的超级计算机，届时，这家美国企业将会被排除出中国这一领域的市场。美国政府指责中国采用“非市场”手段，将美国软硬件巨头排挤出中国核心领域市场，而他们现在此举恰恰会加速这个进程。
二代芯片材料研制期待国家更多扶持
　　实践证明，第二代芯片材料研发和生产需要资金虽然相当巨大，但是低于长期以来进口第一代芯片材料及生产设备所需的巨额资金，而聚集和造就一支具有国际先进水平的技术人才和研发队伍与扩大第二代芯片的应用领域将成为关键，其中，研发军民两用的芯片材料可以成为突破口。
　　鲜为人知的是，中国相关机构研发第二代芯片并非没有进展，近几年来，有关科研部门和信息产业集团在第二代芯片材料研发上取得了历史性突破。试验结果表明，中国自行研发的第二代芯片材料，其性能和技术指标达到当今国际先进水平。之所以取得如此成绩，是因为他们在总结芯片材料研发发展现状和未来发展趋势的基础上，将目标直接定在第二代芯片材料的研发上，即：在硅元素芯片材料的基础上，从第二代的芯片材料设计和生产起步。如今，他们不仅掌握了属于第二代芯片材料的芯片设计和生产技术，而且，成功开发出可以批量生产第二代芯片材料的先进设备。
　　据了解，中国研发的第二代芯片材料具有重大的经济价值，可广泛应用于无线通信、无线互联网、手机、物联网、智能电网、智能机器人等，几乎涉及人类现代生活的各个领域，市场规模相当巨大。
　　业内人士认为，打破以美国为首的西方国家芯片材料的垄断，是一项事关一个国家国计民生的战略举措，希望国家对此制订相应的长期发展计划，整合全国所有研发第二代芯片材料的技术队伍，以优惠政策聚集世界一流的科技人才。
　　同时，他们希望，此前已经建立的国家投资基金和国家金融部门，对第二代芯片材料研发和批量生产给予政策的支持，如：合理改善进口芯片材料及生产加工设备已经形成的利益链，重视对研发第二代芯片材料的投入等。建议国家将研发和生产第二代芯片材料列入“十三五”重大项目予以重点扶持，统筹全国科研力量，组建研发第二代芯片材料的国家团队，其重要战略意义绝不亚于当年的“两弹一星”工程。
目前对石墨烯的展望有很多，从芯片到电池到灯泡，甚至说未来石墨烯芯片频率可以达到300GHz。但对石墨烯芯片的特性和优势目前没有一个系统的介绍，比如石墨烯芯片和硅芯片相比在电子迁移中是不是也有损耗发热？到达极限工艺后石墨烯芯片是不是也会有量子隧穿效应？二维的石墨烯是如何做到硅晶体管的栅极开关的？另外拓扑绝缘体和石墨烯是什么关系？
石墨烯因其超薄结构以及优异的物理特性, 在 FET 应用上展现出了优异的性能和诱人的应用前景. 如 Obradovic
等研究发现，与碳纳米管相比，石墨烯 FET 拥有更低的工作电压﹔Wang 等所制备的栅宽10nm 以下的石墨烯带FET 的开关比达
10E7﹔Wu 等采用热蒸发 4H-SiC 外延生长的石墨烯制备的FET，其电子和空穴迁移率分别为 5400 和 4400
cm2/(V·s)，比传统半导体材料如SiC 和Si 高很多﹔Lin 等制备出栅长为 350 nm 的高性能石墨烯
FET，其载流子迁移率为 2700 cm2/(V·s)，截止频率为 50 GHz，并在后续研究中进一步提高到 100 GHz﹔Liao
等所制备的石墨烯 FET 的跨导达 3.2 mS/μm，并获得了迄今为止最高的截止频率 300 GHz，远远超过了相同栅长的
Si-FET (~40GHz)。然而,
由于石墨烯的本征能隙为零，并且在费米能级处其电导率不会像一般半导体一样降为零，而是达到一个最小值，这对于制造晶体管是致命的，为石墨烯始终处于“开”的状态。
另外，带隙为零意味着无法制作逻辑电路，这成为石墨烯应用于晶体管等器件中的主要困难和挑战。因此,
如何实现石墨烯能带的开启与调控，亟待研究和解决。据文献报道，一般采用两种方法实现石墨烯能带的开启与调控，即﹕掺杂改性和形貌调控。Nature
Nanotechnology评论明确指出﹕要深入挖掘石墨烯的优异物理特性，以制备高性能石墨烯
FET，其重要基础和关键之一是获得宽度与厚度(即层数)可控的高质量石墨烯带状结构。带状石墨烯因其固有而独特的狭长“扶椅”或“之”状边缘结构效应、量子限域效应而具有丰富的能带结构，其能隙随着石墨烯的宽度减小而增大，且和石墨烯的厚度密切相关，成为石墨烯
FET沟道材料的理想选择。
纳米碳材料，特别是石墨烯具有极其优异的电学、光学、磁学、热学和力学性能，是理想的纳电子和光电子材料。石墨烯具有特殊的几何结构，使得费米面附近的电子态主要为扩展π态。由于没有表面悬挂键，表面和纳米碳结构的缺陷对扩展π态的散射几乎不太影响电子在这些材料中的传输，室温下电子和空穴在石墨烯中均具有极高的本征迁移率
(大于 100000 cm2/(V&#903;s))，超出最好的半导体材料(典型的硅场效应晶体管的电子迁移率为 1000
cm2/(V&#903;s))。作为电子材料，石墨烯可以通过控制其结构得到金属和半导体性管。在小偏压的情况下，电子的能量不足以激发石墨烯中的光学声子，但与石墨烯中的声学声子的相互作用又很弱，其平均自由程可长达数微米，使得载流子在典型的几百纳米长的石墨烯器件中呈现完美的弹道输运特征。典型的金属性石墨烯中电子的费米速度为
υF= 8&10E5 m/s，室温电阻率为 ρ = 10E6
Ω-cm，性能优于最好的金属导体，例如其电导率超过铜。由于石墨烯结构中的C&C键是自然界中最强的化学键之一，不但具有极佳的导电性能，其热导率也远超已知的最好的热导体，达到
6000 W/mK。此外石墨烯结构没有金属中的那种可以导致原子运动的低能缺陷或位错，因而可以承受超过 10E9 A/cm2
的电流，远远超过集成电路中铜互连线所能承受的 10E6 A/cm2
的上限，是理想的纳米尺度的导电材料。理论分析表明，基于石墨烯结构的电子器件可以有非常好的高频响应，对于弹道输运的晶体管其工作频率有望超过
THz, 性能优于所有已知的半导体材料。
现代信息技术的基石是集成电路芯片，而构成集成电路芯片的器件中约90%是源于硅基
CMOS(complementary
metal-oxide-semiconductor)，互补金属-氧化物-半导体)技术，而硅基
CMOS技术的发展在 2005年国际半导体技术路线图 (International Technology Roadmap for
Semiconductors, ITRS)宣布将在 2020 年达到其性能极限。原因在 CMOS
技术的核心是高性能电子 (n-)型和空穴 (p-)型场效应晶体管
(field effect transistor,
FET)的制备，以及将这两种互补的场效应晶体管集成的技术。随着晶体管尺度的缩小，器件加工的均匀性问题变得越来越严重，其中最为重要的是器件的加工精度和掺杂均匀性的问题。采用传统的微电子加工技术，目前最好的加工精度约为
nm。随着器件尺度的不断缩小，对应的晶体管通道的物理长度仅为十几纳米，场效应晶体管源漏电极之间的载流子通道的长度的不确定性将不再可以忽略不计，所以半导体材料中的掺杂均匀性问题将是另一个难以克服的问题。
这个领域的主流方向一直是沿用硅基技术的思路，即通过掺杂，例如 K掺杂来制备石墨烯
n型器件，但结果都不尽如人意。其中主要的问题是石墨烯具有一个非常完美的结构，表面完全没有悬挂键，一般不和杂质原子成键，是自然的本征材料。采用与石墨烯结合较弱的
K 原子掺杂结果一是不稳定，二是很难控制，不大可能满足高性能集成电路的要求。2005 年美国 Intel 公司 Chau
等人对纳米电子学的发展状况进行了总结, 他们对石墨烯基器件的主要结论是: 虽然其 p 型晶体管的性能远优于相应的硅基器件, 但其
n 型石墨烯晶体管的性能则远逊于相同尺寸的硅基器件。集成电路的发展要求性能匹配的 p 型和 n
型晶体管，n 型碳石墨烯晶体管性能的落后严重制约了石墨烯电子学的发展, 发展稳定的高性能 n 型石墨烯器件成了 2005 年之后石墨烯
CMOS 电路研究领域最重要的课题之一。
从目前石墨烯电子学已经取得的进展来看，至少有两个重要的方面是可以确认的。
第一是石墨烯器件相对于硅基器件来说具有更好的特性，无论是速度、功耗还是可缩减性，而且可以被推进到8
nm甚至 5 nm 技术节点，这正是 2020 年之后数字电路的目标。
第二是石墨烯的数字集成电路的方案是可行的。在实验室人们已经实现各种功能的电路，原则上已经可以制备任意复杂的集成电路，特别是
2013 年 9月 26日美国斯坦福大学的研究人员在《Natures》杂志上报道采用碳纳米管制造出由 178
个晶体管组成的计算机原型。虽然目前这个原型机尚在功耗、速度方面不能和基于硅芯片模式的先进计算机比肩，但这项工作在国际上引起了巨大反响,
使得人们看到了碳基电子学时代初露的曙光。IBM发表的系统计算表明，石墨烯基的芯片不论在性能和功耗方面都将比硅基芯片有大幅改善。例如，从硅基
7 nm 到 5 nm技术，芯片速度大约有 20%的增加。但石墨烯 7 nm技术较硅基 7 nm 技术速度的提高高达 300%，相当
15 代硅基技术的改善。
目前石墨烯材料的主要挑战来源于规模生产面临的高可控性材料加工问题，即必须在绝缘衬底上定位生长出所需管径大小的半导体石墨烯。但是到目前为止，对石墨烯生长进行严格的控制还是没有实现。另一个问题是供应链的问题，硅的成本及稳定性的优势还在，芯片厂及封装厂谁愿意开第一枪，就让我们拭目以待。
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每天都在用的CPU，为什么非用硅做不可
[导读]先简单介绍一下，我们组里主要研究方向是在硅或锗基底上生长 GeSn, GeSiSn 和 Ge. 我自己的研究主要集中在后两者上面。硅用来做 CPU，是因为它的优点太多，而缺点都是可克服的。锗虽然也有优点(比如开启电压、载流子
先简单介绍一下，我们组里主要研究方向是在硅或锗基底上生长 GeSn, GeSiSn 和 Ge. 我自己的研究主要集中在后两者上面。本文引用地址:
硅用来做 CPU，是因为它的优点太多，而缺点都是可克服的。锗虽然也有优点(比如开启电压、载流子迁移率)，但它的几个缺点是很难克服的。
首先是价格。硅直接拿沙子就能制，虽然工艺复杂吧但是原料成本接近 0.锗在地壳中分布非常分散，成品锗(还不是半导体级别)的价格就已经超越了白银，印象中将近 2000 美元一公斤。
其次很大一个问题就是锗的氧化物不稳定，不好用。二氧化硅是致密的绝缘体，力学电学化学性质都很稳定，不溶于水;氧化锗没那么致密，还是溶于水的。这一条基本就宣告了 CPU 无望。
还有锗器件在稍高的温度下表现不良的问题，以及锗本身比硅重，又比硅软，更容易碎;等等。而且现在整个半导体行业都以硅为基础，没人会开发锗的 CPU。
目前锗的前途很大程度上在光电学方面，太阳能电池，光传感器，红外 LED，锗激光器(这个已经被 MIT 做出来了，但不是大家想象中的激光笔那样子)，等等。因为硅做激光完全不可能，锗又能比较容易地在硅上生长出来，因此大家的理想是将用锗做成的光学器件与硅做成的电子器件整合在一张硅片上。那就牛逼了。
过去的几年中PC市场一直在下滑，厂商与消费者之间也陷入了一个死循环――厂商升级新品的动力不强，特别是Intel处理器，每代升级性能提升有限，而消费者在这种情况下就更不愿意升级了，经常是“XX再战五年”。......关键字：
最近英特尔对5个CPU常识进行了科普，还号称99%的人不敢说全懂，言下之意就是这5个常识不仅非常重要，而且不少人可能不认识或者存在误区。......关键字：
Thomas Sohmers 认为，即使是强如英特尔，每年出货数以亿计芯片这样的公司，也同样有弱点。在他看来，英特尔的芯片太耗能。在他的创业公司 Rex Computing 中，Sohmers 正在研究的另一种方式来设计芯片，仅需使用英特尔......关键字：
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1.21 交流伺服系统中采用8155兼作双口信箱存储器的双微机结构
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第8章 I2C总线AT24C02芯片应用 178
8.1 I2C总线概述 178
8.2 单片机模拟I2C总线通信 181
8.3 E2PROM AT24C02与单片机的通信实例 184
第9章 基础运放电路专题 193
9.1 运放概述及参数介绍...
、 UM-1 、 UM-4 、 UM-5 与 SMD 。其工作时，自身不能产生振荡， 需借外围电路（电容）配合才可产生振荡。常见的形状如下图所示：同样，有源晶振也是大陆的叫法，又叫钟振、晶振、振荡器。英文名称是：oscillator。 其除了石英晶片、 基座、 金属外壳、 银胶、 银等成分组成之外， 还需要起振芯片 （也叫线路） 。 正是因为将振荡电路嵌入了产品之内，所以只要给其所需要的电压，便可...
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。变压器的功率可根据输出电流灵活掌握，次级电压15V左右。桥式整流用的整流管QL用15－20A硅桥，结构紧凑，中间有固定螺丝，可以直接固定在机壳的铝板上，有利散热。调整管用的是大电流NPN型金属壳硅管，由于它的发热量很大，如果机箱允许，尽量购买大的散热片，扩大散热面积，如果不需要大电流，也可以换用功率小一点的硅管，这样可以做的体积小一些。滤波用50V4700uF电解电容C5和C7分别用三只并联，使...
在工业生产中压力、流量是测量生产安全性、可靠性的性能之一。牧坤应用硅压阻力敏芯片，显著改善了应变式传感器的长期稳定性及抗蠕变特性，使产品使用的温度范围大为扩展。由于没有活动部件，抗振动和抗冲的能力很强，可用于恶劣的环境。
&&产品特性：
1、性价比高
2、选用硅压阻力敏芯片，精度高、稳定性好
3、外壳为全不锈钢结构，接口形式多样
4、抗变频、射频信号干扰设计
5、反向...
　　什么是ZigBee模块？围绕ZigBee芯片技术推出的外围电路，称之为“ZigBee模块”，常见的ZigBee模块都是遵循IEEE802.15.4的国际标准，并且运行在2.4GHZ的频段上，另外，欧洲的标准是868MHZ、北美是915MHZ。
　　ZigBee 是一种基于标准的远程监控、控制和传感器网络应用技术。为满足人们对支持低数据速率、低功耗、安全性和可靠性，而且经济高效的标准型...
（1）存储器扩展：容量需求，在选择时就考虑到单片机的内部存储器资源，如能满足要求就不需要进行扩展，在必须扩展时注意存储器的类型、容量和接口，一般尽量留有余地，并且尽可能减少芯片的数量。选择合适的方法、ROM和RAM的形式，RAM是否要进行掉电保护等。
（2）I/O接口的扩展：单片机应用系统在扩展I/O接口时应从体积、价格、负载能力、功能等几个方面考虑。应根据外部需要扩展电路的数量和所选单片...
21:36 编辑
2）导热硅脂
颜色：白色液状；导热率:1.2--2.5W/m.K；低沉降， 室温储存；应用领域：功率模块、集成芯片、电源模块、车用电子产品、电讯设备、计算机及其附件。
3）导热粘接密封硅胶颜色：膏体白色；减轻机械、热冲击和震动引起的机械应力和张力；电绝缘性能优异、防电晕；户外老化性优异、使用寿命可达20-30年；在-60-260℃间稳定的机械...
使设计人员以更低的功耗实现比之前更多的功能。”
有源钳位反激式芯片组符合现代效率标准
& &&&UCC28780同时支持氮化镓（GaN）和硅（Si）FET，先进的自适应功能使有源钳位反激式拓扑结构满足现代效率标准要求。采用基于输入和输出条件改变操作的多模态控制，将UCC28780与UCC24612搭配后，可以在满负载和轻负载条件下实现并保持高效率。
IC，无点解，高PF，过EMI
分段恒流、支持可控硅调光
调光吸顶灯、球泡、灯丝灯最佳方案选择
设计极简、无电解、高PF、过EMI
去电源化：LED 与IC一起焊在铝基板上，去掉冗杂的电源
模块化：并联IC即可实现更大功率与光通量
VAS1106高效率led可控硅调光驱动方案芯片：特点：单颗功率8W;
功率因素大于95%;
封装：ESOP-8
分段恒流...
、利亚德等股票纷纷下跌；另外LED芯片厂商三安光电、华灿光电和澳洋顺昌也同样受到影响。
不过，LED芯片厂商对美出口比例很少，三安光电的对美出口比例位于2-3%之间，华灿光电和澳洋顺昌的对美出口比例则更是少之又少。
调研机构LEDinside中国区研究总监王飞表示，这几个项目在中国LED行业整体出口金额中占比例很低，仅在行业出口产值的5%以内，直接出口到美国的比例就更低。中国真正出口到美国比例...
的局面。LED灯带市场也能迎来生机。& && & 高压线性恒流芯片SM2082EAS最大电流可达40mA,并且这款高压线性恒流芯片还支持可控硅调光应用方案，实在是一举多得，用处是十分的打，既可以用在高压灯带中，又能够进行可控硅调光应用电路，当SM2082EAS高压线性恒流芯片温度达到保护点120度的时候，电流达到最大，温度自然下降，有了SM2082EAS应用在...
半导体产业的芯片概念开始应用到生技医疗领域，其中“器官芯片”将逐渐取代动物实验，长远目标是针对不同病患量身订制药物，达到精准医疗目的。
　　器官芯片将取代动物实验 精准医疗可期
　　半导体产业的系统单芯片（System on Chip， SoC），是把多样功能整合成在一颗芯片里，再透过硅来移动电子，进而使系统运作，让电子产品发挥功能。 然这里所指的“器官芯片”（Organs-on-chips...
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