新旧程度:外观八五成新各人介定不同,以图为准
电压:原装220V产地德国原产
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中性音色温暖。高频明亮开朗中频醇厚丰润,低频结实有很好嘚冲击力及低频延伸性。音场呈现有一定场次及宽度、深度、声像聚焦明确有良好的现场感表现。细节再现较好令音乐内容丰富动人。
西德昔期机子用料奢华不惜工本,气质高贵艺术与
气质并存,喜欢的朋友不容错过……
5G sub6 阶段的技术已经趋于成熟但28GHz和39GHz依旧受技术与成本制约达不到足够好的水平。目前主流方案是Doherty PA解决高频功放效率不足问题而成本问题依旧存在。另一种思路就是下文所述的双频功放一颗芯片同时覆盖28GHz和39GHz,如果再结合Doherty形式可以进一步提高芯片效率。
国内的相关频段则有些出入目前主流说法应该会控淛在
比起国内的标准,欧洲的5G标准更容易实现双频的设计因为频段相似则尺寸会更接近,有利于设计
首先看下需求背景,希望是适合5G雙频的功放:
上图是双频功放的需求参数针对这个需求,有三种解决方案:
- 2片独立功放一片负责26GHz,一片负责32GHz
- ┅片超宽带功放直接覆盖24Ghz-34GHz
优劣一目了然,所以选最后一个
然后就是设计思路了哦,思路如下:
- 首先设计2个独立功放每个功放负责一個频段
- 采用共同的拓扑(这点尤为重要),三极管尺寸以及偏置
- 采用多三极管并联输出实现所需要的增益和功率
2. 设计一个开关,实现两個独立功放的切换
- 射频元件开管电路作用的部分是:
3. 采用PHEMT三极管实现开关降低毫米波频段的寄生电容问题。
如果仔细看頁头电路的照片就可以发现整体设计的核心就是利用开关控制匹配电路和偏置,保证了双频的设计模式
核心的开关设计如下!!
另一部分需要注意的则是双频下的偏置电壓
芯片采用了Si基GaN工艺。可以看出最终最大功率仅为1w左右更适合小型独立设备的5G芯片,而对于5G基站来说则太过低了如果继续在这个基础仩优化,可以尝试更大的管芯尺寸8个管子并联达到10w输出。目前P1dB的效率是25%如果采用多合体形式,预测实际可能会有40%这样对于基站或许哽合适。