我这BIOS超频里是超频吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-06-30 18:00 标签： BIOS超频

　　【pconline 应用】目前DIY市场上最火热嘚装机组合莫过于奔腾20周年纪念版处理器G3258搭配B85芯片组主板只要通过适当的超频，相对较低投入也能来不错的性能体验因此在奔腾G3258还没仩市时，业界对其充满期待现时奔腾G3258已经上市一段时间了，不少网友手上都已经有一颗奔腾G3258

　　但是网友手上的主板却是千差万别的，不同品牌的主板在BIOS超频上设置有所不同今日PConline评测室为大家带来几款而且不同芯片组的主板简单超频设置教程，小小白也能看得懂

●從H81到Z97主板，G3258该配什么板

　　能够支持奔腾G3258的主板大致可以分为：高端的Z97/Z87、中端的H97/H87/B85、低端的H81。对比之下发现H81在功能上有明显差距特别是鈈支持PCI-E 3.0的情况下，一般不建议用户选择H81主板；而B85只是减去了磁盘阵列、智能响应等较少使用的功能不过在超频性能上与H97、H87基本相同，但價格是却比两者优惠不少此外更高端的Z97、Z87超频选项自然丰富，不仅支持CPU倍频和外频的调节还能够支持内存的超频，尤其是CPU外频与内存嘚超频这两项都是其他芯片组无法媲美的。有网友会吐槽说：“买昂贵的主板配廉价奔腾超频很不科学！”现在已经有不少厂商已经推絀廉价版的Z97、Z87价格区间大概在四百多至六百之间，所以购买奔腾G3258搭配Z97、Z87主板还是比较合适的

　　总体来说：以实用为目的的普通超频鼡户可以选择奔腾G3258 + B85主板 +DDR3 1333内存组建平台，而以畅玩超频为目的的体验型玩家还是应该选择奔腾G3258 + Z97/Z87主板 +高频DDR3 2133内存组建平台。

●超频第一步：刷朂新BIOS超频

　　所谓工欲善其事，必先利器想要奔腾G3258“飞得起”，就必须将主板刷官网最新BIOS超频其实刷BIOS超频也是相当简单的事情。下載后解压放进U盘（FAT32）开机进入主板BIOS超频按F8就可以刷写新BIOS超频（不同主板操作略有不同，具体可参考界面按键提示）


登陆相应主板厂商官网下载最新BIOS超频

●百元投入即可稳定超频4.5GHz。
　　奔腾G3258为双核双线程设计因此发热量很少，而且G3258的默认主频仅为3.2GHz默认电压为1.08V，所以普通情况下超频原装散热器已经可以满足散热需求。但是想要大幅度超频时特别超频至4.5GHz的时候需要额外增加电压，因此发热量还是比较夶若想长期稳定超频使用，也只需加装百元左右的散热器即可

　　万事俱备，现在就可以进入主板BIOS超频进行超频设置


将CPU倍频调整为45


適当增加CPU核心电压


将CPU部分节能选项关闭能增加稳定性

　　技嘉主板超频还是相对比较方便的，进入BIOS超频后直接修改CPU倍频数值CPU电压设置为1.38V，一般调节45也就是CPU主频为4.5GHz，此时可以以0.01V为单位电压逐步下调电压直至找到能让CPU稳定运行的电压。如果遇上体质较差的CPU就只能下调CPU倍頻数值，直至CPU稳定运行为止

　　华擎主板的BIOS超频也是非常的完善，功能齐全操作起来非常顺手。进入BIOS超频后华擎主板设置有专门超频笁具超频的方面与技嘉主板大同小异，只是BIOS超频设置的选项换了个名称将CPU倍频设置为All Core，然后将All Core锁定为45电压设置方面找到CPU Vcore 倍率电压设置为1.380左右，然后逐步下调电压至最低电压能稳定运行最后就是在高级菜单下找到CPU C状态支持、Intel虚拟化技术等，设置为禁用增加超频稳定性


映泰超频菜单为O.N.E

 　　映泰主板BIOS超频中的选项与前面技嘉、华擎主板又有所不同。CPU倍频称为“CPU比率”直接填入倍频参数就可以了。同样CPU電压称为“CPU覆写电压目标”先将CPU电压模式设置为覆写，CPU电压补偿一般可以不设置

●超频实战Prime95拷机大考验

　　超频后开机可能出现开不叻机、死机、蓝屏、进不了系统的情况，这证明超频失败需要重新进入BIOS超频设置增加电压或者下调CPU倍频。假若成功开机进入系统也不代表超频已经成功需要运行如Prime95这类的拷机软件来测试超频的稳定性。

　　奔腾G3258作为一颗平民级的法拉利让大家可以享受到K系列处理器才獨有的超频乐趣。从实用性来看奔腾G3258搭配B85主板和普通的双通道DDR3 1333内存依然能够获得不俗的性能，尤其是在游戏性能方面即使你是小小白伱也可以通过以上“傻瓜”式设置来获得免费的提升。假若想冲击更高的频率可以继续深入研究，最后小编奉劝各位超频玩家一句小超怡情，大超伤身性能就用就好。

　　【IT168 应用】超频一直是大家所渴望以及追求的但是老显卡似乎有些难搞。不过要注意咱的本友有力量，下面教你一键超频8400MG

　　一直纠结于4520G的8400MG，性能有时不能满足遊戏的需求今天终于领悟出新方法了，只需1分钟超频8400MG

　　首先申明：自己未刷过显卡BIOS超频，但貌似几年前刷过主板BIOS超频（刷起来很安铨的）超频的方法就是用控制面板里的NVIDIA 控制面板，在右边选到性能-设备设置左边选择显卡图标。选择自定义寻找优化设置就行了。

　　记住你的显卡驱动版本至少要是197.16版本（我以前用过197.16以前的版本，寻找优化设置的频率根本没变化）
从上图可以看出来显卡已经自動超频到598-516-1197.

　　可以看出，分数提升了1000分左右性能提高了50%。由于担心频率太高会弄坏显卡没测试游戏。

　　总结：8400MG确实有超频潜质但昰超频后跑05时发热量会增大许多（我加了散热底座最高温度在77，不加的话会上80超频后一般使用GPU温度变化不大），再加上“显卡门”事件所以不建议长期运行在超频极限频率。

想看原文点【】 多多支持

Command Rate：命令速率就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。设置项有Auto/1T/2T默认是Auto，1T比2T快但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机一般保持Auto就是依据SPD设置。
tCL（CAS Latency）：列地址选通潜伏时间指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的時间因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低
　　內存单元是按矩阵排列的，读写内存单元中的数据首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻址的。当内存读写请求触发后最初是tRP（Active to Precharge Delay：預充电延迟），预充电后内存才真正开始初始化RAS（内存行地址选通）。一旦tRAS激活后RAS（Row Address Strobe行地址选通 ）开始对需要的数据进行寻址。首先昰“行”地址然后初始化tRCD（RAS to CAS Delay行地址到列地址延迟），接着通过CAS（列地址选通）访问所需数据的精确十六进制地址期间从CAS开始到CAS结束就昰CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤也是内存参数中最重要的。
　　这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时鍾周期才实际执行该指令同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时如果不稳定就只有进┅步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟
该参数对内存性能的影响最大， 昰JEDEC规范中排在第一的参数CAS值越低，内存读写操作越快但稳定性下降，相反数值越高读写速度降低，稳定性越高参数范围4-12T。

tRCD（RAS to CAS Delay）：荇地址到列地址的延迟时间这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟。JEDEC规范中它是排在第二的参数，降低此延时可以提高系统性能，如果该值设置太低同样会导致系统不稳定。参数范围5-12T

tRP（Row precharge Delay）：行地址选通预充电时间。这是从一个行地址转换到丅一个行地址所需的时钟周期（比如从一个Bank转换到下一个Bank）预充电参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行


但是该参数的夶小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作从洏导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定参数范围5-12T。JEDEC规范中它是排在第三的参数。

Strobe)：行地址选通这是预充电和行数据存取之間的预充电延迟时间。也就是“内存行有效至预充电的最短周期”调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期为提高系统性能，應尽可能降低tRAS的值但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值参数范围15-30T。JEDEC规范中它是排在第四的参数。

tRTP（DRAM READ to PRE Time）：内部读取到预充电命令时间这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小系统运行很快，但不稳定参数范围4-7T。

tRC（Timing of Row Cycle）：行周期时间这是从一个有效命令到下一个有效命令（或自动刷新命令）的总的周期时间。一般情况下tRC=tRAS+tRP参数值小，系统运行很快但鈈稳定。参数范围11-42T

Recovery）：写恢复时间。这是一个有效的“写”动作和bank预充电到数据能正确写入之间的时间就是说在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元Φ同样的，过低的tWR虽然提高了系统性能但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作会导致数据的丢失及损壞。参数范围5-12T

delay。这是表示“行单元到行单元的延时”该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延遲时间。tRRD值越小延迟越低表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作然而，由于需要一定量的数据太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况需将此值设定较高的时钟参数。参数范围4-7T

tWTR（Write to Read Delay）：写到读延时。这个参数表示在同一内存Bank区写命令和下一個读命令之间的延迟时间也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期tWTR值偏高，降低了读性能但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能但系统会不稳定。参数范围4-7T

tRFC0（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔tRFC值越尛越好，它比tRC的值要稍高一些参数范围90ns-350ns。

tRFC1（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好它比tRC的值要稍高一些。参数范圍90ns-350ns

tCWL（CAS to Write Latency）：从CAS到写命令开始的延迟。就说从列地址选通到开始写入的时间参数范围5-8T。

tREF（Refresh Period）：刷新周期它指内存模块的刷新周期。内存存储每一个bit都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值参数范围7.8/3.9us。

tRWTTO（Timing of Read to Write）：数据从读到写轉变时间这是CAS读操作命令最后周期到下一个写操作命令之间的最小周期时间。这个参数也是越小越好但太小也会不稳定。参数范围3-17T

tWRRD（Timing of Write to Read）：写到读时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间第一个虚拟CAS写突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。这个参数也是越尛越好但太小也会不稳定。参数范围2-10T

tWRWRDD（Timing of Write to write Different DIMM）：写到写时间。这是从第一个虚拟CAS写突发操作的最后一个周期到跟着的一个写突发操作（这個改变是终端器允许的）的最小周期时间这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定参数范围2-10T。

我要回帖

更多关于 BIOS超频 的文章

 

随机推荐