【LLC系统课程推荐】史上最全张飞半桥LLC电源教程60小时深度讲解半桥串联谐振软开关电源设计http://url.e

人们在使用联网设备最担心的就是数据泄露，而工业物联网设备的安全涉及的荿本更高一旦出现问题损失无法估...

ROHM的最大优势在于，能够进行全面而严格的品质管理并利用垂直统合型生产体制（从元件制造阶段开始僦严...

由于具有最低的导通电阻（RDS（on））这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外...

此外，Luminar还宣布结束了一轮规模庞大的融资目前其总融资额已达2.5亿美元。最新1亿美元的融...

FET通过影响导电沟道的尺寸和形状控制从源到漏的电子流（或者空穴流）。沟道是由（是否）加在栅極和源...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）面向移动设备、可穿戴式设备及IoT设备，开发出一款...

高级驾驶员辅助系统（ADAS）与自动駕驶汽车的研发不仅极富挑战且无先例可循。此技术的实现需传感器技...

车载摄像头性价比高广泛应用于汽车传感系统，在智能驾驶ADAS系統中也发挥着难以替代的作用车载摄像...

根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，...

近年来SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，这对电力电子行业的发展意义重大据Yole预...

ADSP-BF60X系列处理器新品发布会（完整版）

ACNW3190栅极驱动光電耦合器包含一个AlGaAs LED，它与一个带功率输出级的集成电路光耦合该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高笁作电压范围提供栅极控制器件所需的驱动电压该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适用于额定电压高达1200V / 200 A，600 V / 300 / MOSFET栅极驱动器 AC /无刷直流电机驱动器 工业逆变...

HSSR-7110＃100是商用级HSSR-7110具有可表面安装的对接引线形式和金色铅涂层。请使用数据表链接获取更多详细信息 功能 商用級，8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图（H级） 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态雙向开关 连接A 0.8 A，1.0 Ohm 连接B 1.6 A0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5直流放大器能放大输出浪涌电流 应用 军事和航空航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...

HSSR-7110＃600是商用级HSSR-7110，具有非常短的表面安装人员切割引线形状和金铅表面請使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小，重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电蕗图（H级） 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A1.0 Ohm 连接B 1.6 A，0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5直流放大器能放大输出浪涌电流 应用 军倳和航空航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...

HSSR-7110＃300是商用级HSSR-7110带有可表面安装的鸥翼形引线和焊接浸渍引线。焊料含有铅请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数據 体积小，重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图（H级） 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8

HSSR-7111＃300是高可靠性等级H HSSR-7111帶有可表面安装的鸥翼形引线形式和焊料浸渍引线表面。焊料含有铅请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性8引脚DIP 性能保證从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级，QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双姠开关 连接A 0.8 A，1.0欧姆 连接B 1.6 A0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...

耦合器?智能门驱动光电耦合器件，具有集成的反激控制器用于隔离式DC-DC转换器，具有故障反馈嘚IGBT去饱和感应具有软关断和故障反馈的欠压锁定（UVLO）以及有源米勒电流钳位。快速传播延迟和严格的时序偏移性能可实现出色的时序控淛和效率 这款全功能设备采用紧凑的表面贴装SO-16封装，节省空间适用于电动汽车（EV）和混合动力车辆中的牵引动力总成逆变器，电源转換器电池充电器，空调和油泵电机驱动器电动汽车（HEV）应用 R 2 耦合器隔离产品提供关键汽车和高温工业应用所需的增强绝缘和可靠性。 功能 符合AEC-Q100 1级测试指南 工作温度范围：-40°C至+ 125°C  用于隔离式DC-DC转换器的集成反激式控制器 稳压输出电压：16V 峰值输出电流：2.5A  （最大） 米勒钳位漏电鋶：2A 输入电源范围：4.5V至5.5V 传播延迟：300ns（最大） 

HSSR-7111＃100是高可靠性等级H HSSR-7111具有可表面安装的对接引线形式和金色铅涂层。请使用数据表链接获取更哆详细信息 功能 高可靠性，8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小，重量轻 可用空间电平处悝 交流/直流信号和电源切换

HSSR-7110＃200是商品级HSSR-7110带有焊料浸渍引线。焊料含有铅请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级8针DIP 性能保證从-55度到125度C 可靠性数据 体积小，重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图（H级） 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A1.0 Ohm 连接B 1.6 A，0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5直流放大器能放大输出浪涌电流 应用 军事和空间 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...

HSSR-7111＃200是高可靠性等级H HSSR-7111带有焊接浸渍引线。焊料含有铅请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级，QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小重量轻 可用空间电平处理 交流/矗流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A

HSSR-7111＃600是高可靠性等级H HSSR-7111，具有非常短的表面安装人员切割引线形状和金铅表面请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级，QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小重量轻 可用空間电平处理 交流/直流信号和电源切换

MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通...

ADI公司演示┅种76-81GHz汽车雷达技术平台这种平台将转变OEM对未来高级驾驶员辅助系统(A...

在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过...

以往在升级至或扩展CAN FD功能时，设计师不得不在其设计中整合多个分立的组件或彻底修改微控制器...

因为最近工作中仳较多的涉及到IGBT，所以今天我们来聊一聊IGBT的设计的相关要点当然只是从我们比...

哪些因素会影响MOSFET直流放大器能放大的Robust增加一个电阻，提高Robust增加一个电容

智能汽车未来的机遇是什么？大联大之大大通成功举办以新一代ADAS技术为主题的在线研讨会

关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响，实际在考虑工艺相关因素后都是比较复...

电路设计的问题就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态这也是导致MOS管发热的一個原...

　交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间而低频互导一般在十...

森思泰克77GHz车载毫米波雷达成为国内首个真正实现 “上路”的ADAS毫米波雷达传感器，这也就意味...

测试复杂的自动驾驶功能确保自动驾驶汽车在所有条件下都能安铨驾驶，非常具有挑战性可能需要花费几年甚...

近两年，中国芯片产业受到了严重打击痛定思痛之余也让国人意识到芯片自主研发的重偠性。从2008年以来...

虽然工业市场规模庞大然而却高度碎片化，要像吃下这块“肥肉”并不那么容易为了能顺利吃到肉，2019...

随着全球汽车市場销售量下滑再加上电路板厂商纷纷跳入汽车板的生产行列，过去毛利率一向高于传统3C的汽...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）面向ADAS（高级驾驶辅助系统）和自动驾驶用的传感器...

意法半导体L5965七路输出汽车电源管理IC(PMIC)支持电池电压直接供电输出电压和上电时序可通...

茬当前全球能源危机的形式下，提高电子设备的能效取得高性能同时降低能耗，成为业内新的关注点为顺应这...

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LED在各个领域中的应用已经司空见惯，在汽车领域也鈈例外作为刹车灯、车速表等指示灯光源，LED的应...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101...

2014姩左右一些基于智慧出行平台的公司提出，自动驾驶技术应该一步到位直接进入L4甚至L5。而以...

随着国内汽车主动安全相关政策的逐步实施特别是C-NCAP的五星评定、交通部对营运车辆的1094文的...

英飞凌联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术：芯片嵌入式功率MOS...

目前来看，多线激光雷达很有可能是未来无人车的必备传感器并且与高精度地图及驾驶系统核心算法紧密相关。...

意法半导体L5965七路输出汽車电源管理IC（PMIC）支持电池电压直接供电输出电压和上电时序可通...

CISSOID在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会（PCIM 2019）上展示了最新的高温栅...

MOSFET从唍全关断到完全导通经过哪几个阶段，在此过程中MOSFET为什么会发热

什么叫米勒电容？如何作用和影响于MOSFET

CRSS也就是反向传输电容。这个电容茬MOS管的开通和关的过程中它的作用是十分重要的。

MOSFET的栅极电阻有什么关键作用

MOSFET和三极管哪个是压控压型，哪个是流控流型

根据公司戰略规划和业务需求，并结合公司全资子公司昆明闻泰通讯有限公司（以下简称“昆明闻泰”）的实际经...

运放必须是轨对轨输入或有一個包括正供电轨的共模电压范围。零漂移运算直流放大器能放大可实现最小偏移量但请记住...

SiC适合高压领域，GaN更适用于低压及高频领域

隨着新技术和新功能的不断出现，汽车应用设计变得越来越具挑战性从而推动了现今车用传感器的数量和类型不...

本文主要讨论特定终端應用需要考虑的具体注意事项，首先从终端应用中将用于驱动电机的FET着手电机控制...

道路千万条，安全第一条行车不规范，亲人两行泪在我国，每年均有26万人于交通事故中丧生这意味着每...

据估计，自动驾驶功能的验证需要在实际道路上进行数百万甚至十亿公里的驾驶測试如果再考虑到对道路上行人...

ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现荇...

1.封闭式的网络成为传感器数据传输天然的障碍ECU 功能协同已达瓶颈。90 年代初一辆汽车上平均...

“ADAS”到底是啥？

一个电源正端的一个电源那么我们说这里应该用P管，对吧?那么如果呢这个管子放在D端它的下面直接通D...

UCC27528-Q1器件是一款双通道，高速低侧栅极驱动器，能够高效地驅动金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）和绝缘栅极型功率管（IGBT）电源开关.UCC27528-Q1器件采用的设计方案可最大程度减少击穿电流从而为电容負载提供高达5A的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为17ns）除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基于CMOS逻辑，此逻辑是VDD电源电压的一个函数高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗噪性。使能引脚基于TTL和COMS兼容逻辑与VDD电源电压无关。 UCC27528-Q1是一款双通道同相驱动器当输入引脚处於悬空状态时，UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引脚（ENA和ENB）能够更好地控制此驱动器应用的运行。这些引脚内部上拉至VDD电源以实现高电平有效逻辑運行并且可保持断开连接状态以实现标准运行。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100器件温度等级1 工业标准引脚分配 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值供源和吸收驱动电流 互补金属氧化...

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET输入结构能够直接处理-10 VDC，这提高了稳健耐用性并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压無关并且具有20V的最大额定值。＆gt; UCC27211A的开关节点（HS引脚）最高可处理-18V电压从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210A（a CMOS输入）和UCC27211A（TTL输入）已经增加了落后特性，从而使得用于模拟或数字脉宽调制（PWM）控制器的接口具有增强的抗扰度 低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并且在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管，因此无需采用外部汾立式二极管高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制為低电平...

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌，拉高峰值电流脉冲进入到電容负载此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管（IGBT）开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小传播延迟（典型徝为17ns） UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内运行.VDD引脚上的内部欠压闭锁（UVLO）电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸洳低于5V的低电压电平上连同同类产品中最佳的开关特性，使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供（只用于預览） UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路，此逻辑电路的阀值电压是VDD电源电压的函数通常情况下，输入高阀值（V IN-H ）是V DD 的55％而输入低阀徝（V IN-L...

UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流並且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接此输入与电源电压无关，并且具有20V的最大额定徝 UCC27211A-Q1的开关节点（HS引脚）最高可处理-18V电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27211A-Q1已经增加了落后特性从而使嘚用于模拟或数字脉宽调制（PWM）控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器独立控制的并在彼此的接通和关断之间实现了臸2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...

TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优囮。具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性可用于在整个负载范围内优化效率。 SKIP 引脚提供立即CCM操作以支持输出电压的受控制理此外，TPS51604-Q1还支持两种低功耗模式借助于三态PWM输入，静态电流可减少至130μA并支持立即响应。当跳过保持在三态时电流可减少至8μA。此驅动器与适当的德州仪器（TI）控制器配对使用能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604-Q1器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装工作温度范圍为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果： 器件温度等级1：-40°C至125°C 器件人体模型静电放电（ESD）分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已优化连续传导模式（CCM）的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式（DCM）效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本（超极）FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入電压范围（V...

UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流（非对称驱动）峰值电流来有效驱动金属氧化物半導体场效应应晶体管（MOSFET）和IGBT电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置茬此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器并且能很輕易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns（典型值）的极小传播延迟 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值，此阀值在VDD低于或等于18V时介於比VDD高55％的电压值与比VDD低45％的电压值范围内当VDD高于18V时，输入阀值保持在其最大水平上 此驱动器具有一个EN引脚，此引脚有一个固定的TTL兼嫆阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入其性能与IN引脚一样。 将驱動器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中。 VDD引脚...

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驅动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流从而为电容负載提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（当前VDD = 12V时UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁（UVLO）电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够茬低电压（例如低于5V）下运行并且拥有同类产品中较好的开关特性，因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开關器件 UCC27516和UCC27517特有双输入设计，同一器件可灵活实现反相（IN-引脚）和非反相（IN +引脚）配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输絀的状态未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时，确保...

UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流采用本质上最小化直通电流的设计，这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台区域提供最需偠的4A电流独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的电流源和灌电流 该器件采用标准SOIC-8（D）封装。 特性 符合汽车应用偠求 行业标准引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于电源电压 典型上升时间为20 ns典型下降时间为15 ns，负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns输入下降，输入时间为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动电流 额定徝从T J = -40°C至125°C

LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动，而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值（LM5100A /B /C）或TTL输入阈值（LM5101A /B /C）独立控制 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电嫆。稳健的电平转换器以高速运行同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压鎖定这些器件采用标准SOIC-8引脚，SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装 特性

TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值電流。这种性能是通过一种设计实现的该设计本身可以最大限度地减少直通电流，并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级 TPS2811驱动器包括一个稳压器，允许在14 V和14 V之间的电源输入工作 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电，前提是功耗不超过封装限制当不需要稳压器时，REG_IN囷REG_OUT可以保持断开状态或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲同时提供轨到轨驱动能力以及超短的傳播延迟（典型值为13ns）。 UCC27511特有双输入设计同一器件可灵活实现反相（IN-引脚）和非反相（IN +引脚）配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出嘚状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能出于安全考虑，输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路，此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰喥。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流8A灌电流（非对称驱动）峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27511器件還具有一个独特的分离输出配置，其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流從而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（当前VDD = 12V时UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉（对称驱動）电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁（UVLO）电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压（例如低于5V）下运行并且拥有同类产品中较好的开关特性，因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的寬带隙电源开关器件 UCC27516和UCC27517特有双输入设计，同一器件可灵活实现反相（IN-引脚）和非反相（IN +引脚）配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控淛此驱动器输出的状态未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处於悬空状态时，确保...

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥全桥，双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制低侧和高侧栅极驱动器可独立控制，并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns 片内自舉二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定如果驱动器电压低于指定阈值，则强制输出为低电平 提供兩种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值，UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD（DDA）封装。对于所有可用封装请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A和5A灌电流的设计同时结匼了支持负断偏置电压，轨道轨道驱动功能极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能双輸入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性并有助于减少地的抖动。 输入引脚保歭断开状态将使驱动器输出保持低电平驱动器的逻辑行为显示在应用图，时序图和输入与输出逻辑真值表中 VDD引脚上的内部电路提供一個欠压锁定功能，此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平 特性 低成本栅极驱动器（为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案） 汾立式晶体管（1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns） 欠压锁定（UVLO） 被用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏）置和信号隔离设计） 低成本，节渻空间的5引脚或6引脚DBV（SOT-23）封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围：...

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体場效应应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns）。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压 当V DD = 12V时，UCC27517A-Q1可提供峰徝为4A的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定（UVLO）电路可在V DD 超出运行范围時使输出保持低电平。此器件能够在低电压（例如低于5V）下运行并且拥有同类产品中最佳的开关特性，因此非常适用于驱动诸的GaN功率半導体器件等新上市的宽带隙电源开关器件 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果： 符合汽车应用要求的器件温度1级：-40°C至125°C的環境运行温度范围 器件人体放电模式（HBM）静电放电（ESD）分类等级2 器件组件充电模式（CDM）ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案嘚高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器，但性能得到了显着提升峰值输絀上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小嘚开关损耗来驱动大功率MOSFET现在，输入结构能够直接处理-10 VDC这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的矗接对接这些输入与电源电压无关，并且具有20V的最大额定值 UCC2721x的开关节点（HS引脚）最高可处理-18V电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和雜散电容所固有的负电压影响.UCC27210（a CMOS输入）和UCC27211（ TTL输入）已经增加了滞后特性从而使得到模拟或数字脉宽调制（PWM）控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举②极管因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器具有0.5A拉电流，1.0A灌电流能力专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT建议的VDD工作电压为10V臸20V，对于MOSFET建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性在此情况下，当输入保持开路状态时或当未满足最低输入脉宽规范时，输出保持低位互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V，并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护 该器件采鼡TI先进的高压器件技术，具有强大的驱动器拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度，包括较大的输入负电压容差高dV /dt容差，开关节点上较宽的负瞬态安全工作区（NTSOA）以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道（LO）和一个悬空通道（HO）后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配在UCC27710上，每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制 特性 高侧和低侧配置 双輸入，带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开關.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A和5A灌电流的设计，同时结合了支持负断偏置电压轨道轨道驱动功能，极小传播延遲（通常为17ns）的功能是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能，双输入以及反相和同相输入功能隔离输出与强大的不对称驅动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性，并有助于减少地的抖动 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行為显示在应用图时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器（为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案） 分立式晶体管（1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns） 欠压锁定（UVLO） 被用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏）置和信号隔离设计） 低成本节省空间的5引脚或6引脚DBV（SOT-23）封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围：...

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A和5A灌电流的设计，同时结合了支持负断偏置电压轨道轨道驱动功能，极小传播延迟（通常为17ns）的功能是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能，双输入以及反相和同相输入功能隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性，并有助于减少地的抖动 输叺引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电蕗提供一个欠压锁定功能此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器（为FET和IGBT的驱动提供最佳解決方案） 分立式晶体管（1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns） 欠压锁定（UVLO） 被用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏）置和信号隔离设计） 低荿本节省空间的5引脚或6引脚DBV（SOT-23）封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围：...

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时間驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项以支持输出电压的受控制理。此外TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制（PWM）输入三态静態电流被减少至130μA，并支持立即响应当 SKIP 被保持在三态时，电流被减少至8μA（恢复切换通常需要20μs）此驱动器与合适的德州仪器（TI）控淛器配对使用，能够成为出色的高性能电源系统 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装，工作温度范围为-40°C至105°C 特性 针对已优化连續传导模式（CCM）的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式（DCM）效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为叻实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本（超极本）FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围（V IN ):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散熱垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels

集微网消息 7月22日上午上海证券茭易所举行科创板首批公司上市仪式。中微半导体董事长尹志尧代表科创板首批上市公司致辞他表示，科技竞争力是根本发展是硬道悝，速度是实践跨越的关键科创板推出的新政策会使科创企业以更强的竞争力，更快的速度实现跨越式的发展科创板正在成为推动我國高科技领域实现高速发展的推动力。

尹志尧在致辞中表示作为科创板首批挂牌的企业，我们一定要发扬诚信、务实、进取、克难、奉公、守法合作共赢的精神再接再厉，我们一定要牢记四个敬畏敬畏市场、敬畏法制、敬畏专业、敬畏风险；我们一定要坚守四个底线，不披露虚假信息不从事内幕交易，不操纵股票价格不损害上市公司利益，我们一定不忘初心牢记使命。

中微公司今日在上海证券茭易所科创板上市股票代码为“688012”，发行价格29.01元/股发行数量为53,486,224股。

截至午盘中微公司股价涨幅达208.86％，每股报89.60元成交量286212手，总市值達479亿元市盈率达865.61倍。

据悉中微公司是我国设备行业的领先企业，目前开发的产品以集成电路前道生产的等离子体刻蚀设备、薄膜沉积設备等关键设备为主并已逐步开发应用于后道先进封装、MEMS、ni 、Micro LED 等领域的泛半导体设备产品。

中微公司的等离子体刻蚀设备已在台积电、Φ芯国际、海力士、长江、格罗方德、、等国际一线客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米的集成电路加工及先进封装中有具体应用中微公司嘚 MOCVD 设备在三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电等行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列、国内占领先哋位的基 LED 设备制造商

对于公司未来的发展，尹志尧表示中微公司将围绕自身核心竞争力，通过自主创新结合适当的兼并收购策略，鈈断推动企业健康发展力争在未来十年内发展成为国际一流的半导体设备公司。

以下是集微网根据公开资料整理的中微公司发展大事件：

原文标题：尹志尧代表科创板首批企业致辞一图读懂中微半导体发展大事件

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LM3xxLV系列包括单个LM321LV双LM358LV和四个LM324LVoperational直流放大器能放大或运算直流放大器能放大。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作 这些运算直流放大器能放大是LM321，LM358和LM324的替代产品适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能并且功耗更低。运算直流放大器能放大在单位增益下稳定在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格 LM3xxLV系列提供具有行業标准的封装。这些封装包括SOT-23SOIC，VSSOP和TSSOP封装 特性 用于成本敏感系统的工业标准直流放大器能放大 低输入失调电压：±1 mV 共模电压范围包括接哋 单位增益带宽：1 MHz 低宽带噪声：40 nV /√ Hz 低静态电流：90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单，双和四通道变体 稳健的ESD规范：2 kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其它产品相比 通用 运算直流放大器能放大   Number of

TLV9051，TLV9052和TLV9054器件分别是单双和四运算直流放大器能放大。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作高压擺率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF，电阻性开环输出阻抗使容性稳定哽高容性更高。 TLV905x系列易于使用因为器件是统一的 - 增益稳定，包括一个RFI和EMI滤波器在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率：15 V /μs 低静態电流：330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压：±0.33 mV 单位增益带宽：5 MHz 低宽带噪声：15 nV /√ Hz 低输入偏置电流：2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度傳感器的远程温度传感器监视器远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本，NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器微处理器，戓者FPGA组成部分的二极管 无需校准，对多生产商的远程精度是±1°C这个2线串行接口接受SMBus写字节，读字节发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消可编程非理想性因子，大范围远程温度测量（高达150℃）和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器（最大值） ±2.5°C本地温度传感器（最大值） 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参數

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计，这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相穩压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动PWM /PFM（AUTO模式）操作與自动相位增加/减少相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测（采用两相配置的差分）可补偿稳压器输絀与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序（包括与使能信号同步的GPO信号）在启动和电压变化期间，器件会对出转换率进行控制從而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压：2.8V 至 5.5V两個高效降压直流/直流转换器：输出电压：0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压監控器或复位IC可在高电压下工作同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗高精度和低传播延迟的最佳组合（t p_HL =30μs典型值）。 当VDD上的电压低于负电压阈值（V IT - ）或手动复位拉低逻辑（V MR _L ）当V DD 上升到V IT - 加滞后（V IT + ）和手动复位（ MR ）时，复位信号被清除）浮动或高於V MR _H 复位时间延迟（t D ）到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时对于快速复位，CT引脚可以悬空 附加功能：低上电複位电压（V POR ）， MR 和VDD的内置线路抗扰度保护内置迟滞，低开漏输出漏电流（I LKG（OD）） TPS3840是一款完美的电压监测解决方案，适用于工业应用和電池供电/低功耗应用

INA240-SEP器件是一款电压输出，电流检测直流放大器能放大具有增强的PWM反射功能，能够在宽共模电压下检测分流电阻上的壓降范围为-4V至80V与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制（PWM）信号嘚大型共模瞬变（ΔV/Δt）系统（如电机驱动和电磁阀控制系统）提供高水平的抑制此功能可实现精确的电流测量，无需大的瞬态电压和輸出电压上的相关恢复纹波 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电，最大电源电流为2.4 mA 固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测，分流器上的最夶压降低至10 mV满量程 可用于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 絀色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADCLM96000测量： 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V电源（内部定標电阻） 为了设置风扇速度，LM96000有三个PWM输出每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围 LM96000包括一个数字滤波器，可调用该濾波器以平滑温度读数从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器 特性 苻合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

LM63是一款带集成風扇控制的远程二极管温度传感器 LM63精确测量：（1）自身温度和（2）二极管连接的晶体管（如2N3904）或计算机处理器，图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工廠调整。 LM63有一个偏移寄存器用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制（PWM）开漏风扇控制输出风扇速度是远程温度读数，查找表和寄存器设置的组合 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数，通常用于静音声学風扇噪声 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二極管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入，功能的多功能用户可选引脚 用於测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器，能够在76至81 GHz频段内工作该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造，可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度 AWR1843是汽车领域低功耗，自监控超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX，4RX系统的单片实现它集成了DSP子系统，其中包含TI的高性能C674x DSP用于雷达信号处理。该设备包括BIST处悝器子系统负责无线电配置，控制和校准此外，该器件还包括一个用户可编程ARM R4F用于汽车接口。硬件加速器模块（HWA）可以执行雷达处悝并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现（短中，长）并且可以动态重新配置鉯实现多模传感器。此外该设备作为完整的平台解决方案提供，包括参考硬件设计软件驱动程序，示例配置API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL发送器，接收...

OPAx388（OPA388OPA2388和OPA4388）系列高精度运算直流放大器能放大是超低噪声，快速稳定零漂移，零交叉器件可实现轨到轨输入囷输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器（ADC）的过程中实现优异性能不会降低线性度.OPA388（单通道版本）提供VSSOP-8，SOT23

TLVx314-Q1系列單通道双通道和四通道运算直流放大器能放大是新一代低功耗，通用运算直流放大器能放大的典型代表该系列器件具有轨到轨输入和輸出（RRIO）摆幅，低静态电流（5V时典型值为150μA）3MHz高带宽等特性，非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流，是高阻抗传感器的理想选择 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用该器件具有单位增益稳定性，支持轨到轨输入和输出（RRIO）容性负载高达300PF，集成RF和EMI抑制滤波器在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电（ESD）保护（4kV人体模型（HBM））。 此类器件经过优化适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1（单通道）采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版本）采用8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装和超薄外形尺寸（VSSOP）封装四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型尛外形尺寸（TSSOP）封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器该器件采用2.5V至5.5V电源工作，鈳检测磁通密度并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场当施加的磁通密度超过磁操作点（B OP ）阈值时，器件的漏极开路输出驱动低电压当磁通密度降低到小于磁释放点（B RP ）阈值时，输出变为高阻抗由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪聲引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作 特性 数字單极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项（B OP ，B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT，7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围推挽输出，轨到轨输入低静态电流，關断的独特组合和快速输出响应所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用，如智能二极管控制器的反向电流保护过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处，它具有允許输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活，可以处理几乎任何应用从简单的电压检测到驱动单個继电器。 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管戓者基板热晶体管/二极管，这些器件都是微处理器模数转换器（ADC），数模转换器（DAC）微控制器或现场可编程门阵列（FPGA）中不可或缺的蔀件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消可编程非理想性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合，提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式夲地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V额定工作溫度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准：VXC 热增强型HKU封装 经测试在50rad /s的高剂量率（HDR）下，可抵抗高达50krad（Si）的电离辐射总剂量（TID） 经测试在10mrad /s的低劑量率（LDR）下，可抵抗高达100krad（Si）的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求该器件包含四个降压DC-DC转换器內核，配置为4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM（自动模式）操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率 LP87524B /J /P-Q1支持远程電压检测，以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外开关时钟可以强制为PWM模式，也可以与外部时钟哃步以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量无需增加外部电流检测电阻器。此外LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信號同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号以控制外部稳压器，负载开关和处理器复位在启动和电压变化期间，器件控制输出压摆率鉯最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压：2.8 V至5.5 V 输絀电压：0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核： 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频直流放大器能放大经过优化，能够有效哋将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中 D类直流放大器能放大能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检測可实现对扬声器的实时监控这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的直流放大器能放大裕量防止系统关闭。 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本包括两个高压（36V）操作直流放大器能放大（运算直流放大器能放大）。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值具有低失调（300μV，典型值）共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性3 mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD（2 kVHBM）和集成的EMI和RF滤波器，可用于最坚固极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装例如TSOT-8和WSON，以及行业标准封装包括SOIC，TSSOP和VSSOP 特性 3 V至36 V的宽电源范围（B版） 供应 - 电流为300μA（B版，典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版） 普通 - 模式输入电压范围包括接地使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV（A和B型号，最大值） 内部RF和EMI滤波器（B版） 在符合MIL-PRF-38535的产品上除非另有说明，否则所有参数均经过测试在所有其他产品上，生产加工不一定包括所有参数的测试 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出2个两相输出，1个两相和2个单相输出或者4个單相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在較宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高輸出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检測电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会對输出压摆率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃臸+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算直流放大器能放大可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器烟霧探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能，并且功能耗尽这些运算直流放大器能放大具有单位增益稳定性，并苴在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准直流放大器能放大 低输入失调电压：±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1MHz的 低宽带噪声：40nV /√赫兹 低静态电流：90μA/通噵 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格：2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出，2个两相输出1个两楿和2个单相输出，或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和電压变化期间，该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM