1700V的IGBT单管有哪些型号规格1201V封装下载？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-08-24 05:59 标签： 1201V封装下载

Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 除了标准设计外，Littelfuse还可提供定制解决方案以满足客户的具体规范。 这些模块将被用于工业电子产品的众多功率应用中，包括工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源/开关电源和焊接机械。

Littelfuse功率半导体业务发展经理Richard Bono表示：“这些IGBT模块非常适合用于制造灵活高效的电机控制器和逆变器应用。这些产品非常适用于工业电子产品，比如工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源、开关电源和焊接机械。”

IGBT模块功率半导体具备以下关键优势：

●超低损耗，确保高效率及开关速度。

●高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。

●高短路能力降低了保护需求。

●正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。

●快速续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案。

Littelfuse功率半导体业务开发经理Richard Bono表示：“Littelfuse IGBT功率模块产品组合中新增1200V六只装和PIM模块可通过在单一行业标准封装中整合整流器和IGBT开关，为客户的3相逆变器应用带来更大的设计灵活性。 同样地，新增的1700V半桥模块产品组合可将Littelfuse IGBT功率模块推向要求更严苛的工业应用。”

Littelfuse IGBT模块功率半导体散装出售，最低起订量如下所示：S封装为50只，W和WB封装为20只，H封装为40只，D封装为30只。 样品可向世界各地的授权Littelfuse经销商索取。

IGBT的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，IGBT在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。

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　　碳化硅Sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体电子元器件。

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34mm，62mm模块沿用传统晶闸管封装，寄生电感较大EconoDUAL2/3封装专为IGBT设计,正负功率端子在模块同侧，适合设计叠层无感功率母排连接电容，有效降低系统寄生电感。17mm扁平封装，易于设计驱动。

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