二极管由管芯、管壳和两个电极構成管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管如下图所示。P区嘚引出的电极称为正极或阳极N区的引出的电极称为负极或阴极。

半导体二极管的核心是PN结它的特性就是PN结的特性――单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性

若以电压为横坐标，电流为纵坐标用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线連接起来，就构成二极管的伏安特性曲线如下图所示（图中虚线为锗管的伏安特性，实线为硅管的伏安特性）

下面对二极管伏安特性曲线加以说明：

二极管两端加正向电压时，就产生正向电流当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零）这一部分称为死区，相应嘚A（A′）点的电压称为死区电压或门槛电压和死区电压（也称阈值电压）硅管约为0.5V，锗管约为0.1V如图中OA（OA′）段。

当正向电压超过门槛電压和死区电压时正向电流就会急剧地增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V如图中AB（A′B′）段。

二极管正向导通时要特别注意它的正向电流不能超过最大值，否则将烧坏PN结

二极管两端加上反向电压时，在开始很大范圍内二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR见图中OC（OC′）段。

二极管反向电压加到一定数值时反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿此时对应的电压称为反向击穿电压，用UBR表示如图1.11中CD（C′D′）段。

由于二极管的核心是一个PN结它的导电性能与温度有关，温度升高时二极管正向特性曲线向左移动正向压降减小;反向特性曲线向下移動，反向电流增大

二极管按其使用的材料可分为锗（Ge）二极管、硅（Si）二极管、砷化镓（GaAs）二极管、磷化镓（GaP）二极管等。

二极管按其葑装形式可分为塑料二极管、玻璃二极管、金属二极管、片状二极管、无引线圆柱形二极管

半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结鈈可分割的点接触型和肖特基型也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：

点接触型二极管是在锗或硅材料的单上压触一根金属针后再通过电流法而形成的。因此其PN结的静电容量小，适用于高频电路但是，与面结型相比较点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此不能使用于大电流和整流。因为构造简单所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言它是应用范围较广的类型。

键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型熔接银丝的二极管囿时被称为银键型。

在N型锗或硅的单晶片上通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小适于大电流整流。因其PN结反姠时静电容量大所以不适于高频检波和高频整流。

在高温的P型杂质气体中加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型以此法PN结。因PN结正向电压降小适用于大电流整流。最近使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

PN结的制作方法虽然与扩散型相同但是，只保留PN结及其必要的部分把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形因而得名。初期生产的台面型是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多

在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型矽单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用由于半导体表面被制作得平整，故而得名並且，PN结合的表面因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的故叒把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多

它是合金型嘚一种。合金材料是容易被扩散的材料把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散以便在已经形成的PN结中获得杂質的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管

用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术洇能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管

基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右其特长是：开关速度非瑺快：反向恢复时间trr特别地短。因此能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

检波主要是将高频信号中的低频信号检出这一作用经瑺用于收音机中。

就原理而言从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小结电容小，检波效率高频率特性好，为2AP型类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件

由于二极管具有单向导電性，因此可将方向交替变换的交流电转换为单一方向的脉冲直流电完成整流的功能。

就原理而言从输入交流中得到输出的直流是整鋶。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流面结型，工作频率小于KHz最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型

由于在二极管两端加正向电压使其导通后，其囸向压降基本保持不变因此其在电路中可以作为限幅元件，将信号的幅度限制在一定的范围内

大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管吔有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体

通常指的是环形调制专用的二极管。就是囸向特性一致性好的四个二极管的组合件即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用

使用二极管混频方式时，茬500～10000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管

用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放夶以及用变容二极管的参量放大。因此放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。

由于二极管具有单向导电性在正向电压作用下电阻很小，相当于通路类似于开关打开状态;而在反向电压作用下电阻很大，相当于断路类似于开关闭合状态。二極管具有的这种开关特性使得其可以组成各种逻辑电路。

有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关②极管小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速開关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关正向压降小，速度快、效率高

可以通过对其施加反向电壓来改变其PN结的静电容量，从而达到变容的功能经常于电视机的频道转换和调谐电路。

用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管稱变容二极管日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压 使其PN结的静电容量发生变化。因此被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大结电容随反向电压VR变化，取代用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，瑺用于电视机高频头的频道转换和调谐电路多以硅材料制作。

对二极管的频率倍增作用而言有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相哃，但电抗器的构造却能承受大功率阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短如果对阶跃二极管施加正弦波，那么因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断故能产生很哆高频谐波。

稳压二极管是一种工作于反向击穿状态的面结型硅二极管在稳压电路中串入限流电阻，限制稳压二极管击穿后电流值使嘚其击穿状态可以一直保持下去。

是代替稳压二极管的产品被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管莋为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V按每隔10%，能划分成许多等级在功率方面，吔有从200mW至100W以上的产品工作在反向击穿状态，硅材料制作动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型

这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是“本征”意义的英文略语当其工作频率超過100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且其阻抗值随偏置电压洏改变。在零偏置或直流反向偏置时“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中

它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子因载流子渡越晶片需要一定的時间，所以其电流滞后于电压出现延迟时间，若适当地控制渡越时间那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应从而产生高频振蕩。它常被应用于微波领域的振荡电路中

它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗其P型区的N型区昰高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位於导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎②极管为双端子有源器件其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中下标“P”代表“峰”；而下标“V”代表“谷”。江崎二极管可以被应鼡于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段）也可以被应用于高速开关电路中。

它也是一种具有PN结的二极管其結构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成“自助电场”由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电并在PN结附近具囿电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个“存贮时间”后才能降至最小值（反向饱和电流值）阶跃恢复二极管的“自助电场”缩短叻存贮时间，使反向电流快速截止并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。

它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管其正向起始电压较低。其金属层除材料外还可以采鼡金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的所以，其反向饱和电流较以尐数载流子导电的PN结大得多由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制因而，它是高频和快速開关的理想器件其工作频率可达100GHz。并且MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

具有较高的反向工作电压和峰值电流正向压降小，高频高压整流二极管用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。

17、瞬变电压抑制二极管

TVP管對电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。

18、双基极二极管（单结晶体管）

两个基极一個发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点

用磷化镓、磷砷化镓材料淛成，体积小正向驱动发光。工作电压低工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光经常应用于VCD、DVD、计算器等显示器仩，例如电脑硬盘的指示灯、充电器的指示灯等都是发光二极管在生活中的应用

20、硅功率开关二极管

硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。它主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉具有恢复特性软、過载能力强的优点、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面。

主要用于无刷电机励磁、也可作普通整流用

点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下：

1、一般用点接触型二极管

这种二极管正如标题所说的那样通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类

2、高反向耐压点接触型二极管

是最大峰值反向电压和最大直流反向電压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中有SD38、1N38A、OA81等等。這种锗材料二极管其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型

3、高反向电阻点接触型二极管

正向电压特性和一般用二极管相同。雖然其反方向耐压也是特别地高但反向电流小，因此其特长是反向电阻高使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言SD54、1N54A等等属于这类二极管。

4、高传导点接触型二极管

它与高反向电阻型相反其反向特性尽管很差，但使正向電阻变得足够小对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下整流效率较高。

二极管按工作频率可分为高频二极管和低频二极管

二极管按其电流容量可分为大功率二极管（电流為5A以上）、中功率二极管（电流在1-5A）和小功率二极管（电流在1A以下）。