判断晶体管的饱和状态硅管工作状态(放大、饱和、截止)简述理由

第二个电压看不清C极电压好像鈈对。

貌似是模拟第四版71页 ^_^ 话说你这书纸好薄,背面贼清楚

Ube一般比较小,所以两个图的上端肯定是c上图的|Ube|是0.7,下图是0.2硅管的Uon比锗管高,所以上图为硅管下图为锗。

上图:如果左端为b管子为NPN,那么发射结正偏集电结反偏,Ube>Uon符合放大工作条件。反过来如果左端为e,管子为PNP发射结正偏,集电结也是正偏饱和状态。

下图类似如果左端为b,那么两个结都是正偏不符合放大状态的条件。

首先Ube┅般比较小所以两个图的上端肯定是c。上图的|Ube|是0.7下图的是0.2,硅管的Uon比锗管高所以上图为硅管,下图为锗
上图:如果左端为b,管子為NPN那么发射结正偏,集电结反偏Ube>Uon,符合放大工作条件反过来,如果左端为e管子为PNP,发射结正偏集电结也是正偏,饱和状态

晶體管的饱和状态(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能晶体管的饱和状态作为一种可變电流开关,能够基于输入电压控制输出电流与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管的饱和状态利用电讯号来控制自身的开合而且开關速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上

参考资料:百度百科-晶体管的饱和状态


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