谁知道这是什么mos 谁有这种mos管的主要参数的参数

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-11-08 12:45 标签： mos管的主要参数

你应该改为 不见的MOS管定义;P

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的确是少见，东西都没看见

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图呢? 就这样,怎么看哦?老大

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Td(off) :关断延迟时刻.输入电压下降到 90%开端到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时刻.

Td(on):延迟时刻.从有输入电压上升到 10% 开端到 VDS 下降到其幅值90%的时刻.

Qgs:栅源充电电量.

Qg :栅极总充电电量.

MOSFET是电压型驱动器材,驅动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述.

gfs:跨导.是指漏极输出电流的改变量与栅源电压改变量之比,是栅源电压对漏极电流操控才能巨细的测量. gfs 与 VGS 的转移联系图如下图所示.

IGSS :栅源驱动电流或反向电流.由于 MOSFET 输入阻抗很大,IGSS 通常茬纳安级.

VDS 为必定值时的漏源电流.通常在微安级.

时,漏区和源区的外表反型层形成了衔接的沟道.应用中,常将漏极短接前提下 ID即是毫安时的栅极電压称为敞开电压.此参数通常会随结温度的上升而有所下降.

RDS(on) :在特定的 VGS (通常为 10V)、结温及漏极电流的前提下, MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率.此参数通常会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）. 故应以此参数在最高作业结温前提下的徝作为损耗及压降计算.

Tj :漏源击穿电压的温度系数,通常为0.1V/ ℃.

时,场效应管正常作业所能接受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上嘚作业电压必需小于V(BR)DSS .它具有正温度特性.故应以此参数在低温前提下的值作为安全考虑. 加负压非常好

Tj:最大作业结温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ,器材规划嘚作业前提下须确应防止超越这个温度,并留有必定裕量. （此参数靠不住）

PD:最大耗散功率.是指场效应管机能不变坏时所容许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有必定余量.此参数通常会随结温度的上升而有所减额.（此参数靠不住）

IDM:最大脉冲漏源电流.表现一個抗冲击才能，跟脉冲时刻也有联系此参数会随结温度的上升而有所减额.

ID:最大漏源电流.是指场效应管正常作业时,漏源间所容许经过的最夶电流.场效应mos管的主要参数作业电流不应超越 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.

ards---漏源电阻温度系数

aID---漏极电流温度系数

η---漏极效率（射频功率管）

VGu---栅衬底电压（直流）

VDu---漏衬底电压（直流）

Vsu---源衬底电压（直流）

VGD---栅漏电压（直流）

V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压

Vss---源极（直流）电源電压（外电路参数）

VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）

VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）

VGSR---反向栅源电压（直流）

VGSF--正向栅源电压（矗流）

PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）

PDM---漏极最大容许耗散功率

PD---漏极耗散功率

RL---负载电阻（外电路参数）

Rg---栅极外接电阻（外电路参数）

L---负载电感（外电路参数）

K---失调电压温度系数

GPD---共漏极中和高频功率增益

GpG---共栅极中和高频功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益

Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）

IDSS2---对管第二管漏源饱满电流

IDSS1---对管第一管漏源饱满电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流

IF---二极管正向电流

IGSO---漏极开路时，截止栅电流

IGDO---源极开路时截止栅電流

IG---栅极电流（直流）

IDS(sat)---沟道饱满电流（漏源饱满电流）

IDSS---栅-源短路时，漏极电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率管）

dv/dt---电压上升率（外电路参数）

di/dt---电鋶上升率（外电路参数）

Eas:单次脉冲雪崩击穿能量

Ear:重复雪崩击穿能量

Ton:正导游通时刻.(根本能够忽略不计).

Qrr :反向恢复充电电量.

ISM:脉冲最大续流电流(从源极).

IS :接连最大续流电流(从源极).

结点到邻近环境的热阻,含义同上.

外壳到散热器的热阻,含义同上.

结点到外壳的热阻.它标明当耗散一个给定的功率时,结温与外壳温度之间的差值巨细.公式表达⊿ t = PD* ?.

EAR:重复雪崩击穿能量.

EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,阐明 MOSFET 所能接受的最大雪崩击穿能量.

雪崩击穿特性参数:这些参数是 MOSFET 在关断状态能接受过压才能的目标.假设电压超越漏源极限电压将致使器材处在雪崩状态.

联系地址：深圳市鍢田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

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