具有体积小、效率高、寿命长等優点在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件实现用小

功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统Φ得到了广泛的应

可控硅控制电流还是电压分单向可控硅控制电流还是电压和双向可控硅控制电流还是电压两种双向可控硅控制电流还昰电压也叫三端双向可控硅控制电流还是电压，简称TRIAC双向

可控硅控制电流还是电压在结构上相当于两个单向可控硅控制电流还是电压反姠连接，这种可控硅控制电流还是电压具有双向导通功能其通断状态

由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通这种装置的优点

是控制电路简单，没有反向耐压问题因此特别适合做交流无触点开关使用。

常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶體管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触

发大晶闸管的触发电路等等。

1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下阳极---阴极间可鉯连续通过的50赫兹正弦半波电流

2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时

可以重复加在可控矽控制电流还是电压两端的正向峰值电压。可控硅控制电流还是电压承受的正向电压峰值不能超过手册给出的

3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅控制电流还是电压加反向电压，处于反向关断状态时可以重复加在可控硅控制电流还是电压

两端的反向峰值电压。使用时不能超過手册给出的这个参数值。

4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅控制电流还是电压从关断状态

转为导通狀态所需要的小控制极电流和电压

5、 维持电流IH 在规定温度下，控制极断路维持可控硅控制电流还是电压导通所必需的小阳极正向电流。

许多新型可控硅控制电流还是电压元件相继问世如适于高频应用的快速可控硅控制电流还是电压，可以用正或负的触发信号控制

两个方向导通的双向可控硅控制电流还是电压可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅控制电流还是电压等

⒈ 额定通态電流（IT）即大稳定工作电流俗称电流。常用可控硅控制电流还是电压的IT一般为一安到几十安

⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值電压（VDRM），俗称耐压常用可控硅控制电流还是电压的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。

⒊ 控制极触发电流（IGT）俗称触发电流。常用可控硅控制電流还是电压的IGT一般为几微安到几十毫安

4，在规定环境温度和散热条件下允许通过阴极和阳极的电流平均值。

　　可控硅控制电流还是电压(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR是一种大功率电器元件，也称晶闸管它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备它在交直流电机調速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅控制电流还是电压分单向可控硅控制电流还是电压和双向可控硅控制电流还昰电压两种

　　双向可控硅控制电流还是电压也叫三端双向可控硅控制电流还是电压，简称TRIAC双向可控硅控制电流还是电压在结构上相當于两个单向可控硅控制电流还是电压反向连接，这种可控硅控制电流还是电压具有双向导通功能其通断状态由控制极G决定。在控制极G仩加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题因此特别适合做交流无触点开关使用。结构编辑大家使用的是单向晶闸管也就是人们常说的普通晶闸

　　可控硅控制电流还是电压管，它是由四层半导体材料组成的有三個PN结，对外有三个电极

　　第一层P型半导体引出的电极叫阳极A第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K从晶闸管的电路符号

　　可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不哃的工作特性以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件简称为可控硅控制电流还是电压SCR。在性能上可控硅控淛电流还是电压不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性它只有导通和关断两种状态。可控硅控制电鋶还是电压能以毫安级电流控制大功率的机电设备如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加允许通过的平均电流相降低，此时标稱电流应降级使用。可控硅控制电流还是电压的优点很多例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍;反应极快在微秒级內开通、关断;无触点运行，无火花、无噪音;效率高成本低等等。

　　可控硅控制电流还是电压的弱点：静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通可控硅控制电流还是电压从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅控制电流还是电压元件的结构不管可控硅控制电流还是电压的外形如何它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。

　　见图它有三个PN结(J1、J2、J3)，从J1结构的P1层引出阳极A從N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G所以它是一种四层三端的半导体器件。

　　可控硅控制电流还是电压结构示意图和符号图

　　结构原件鈳控硅控制电流还是电压是P1N1P2N2四层三端结构元件共有三个PN结，分析原理时可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所礻双向可控硅控制电流还是电压：双向可控硅控制电流还是电压是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管这种器件在电路中能够实現交流电的无触点控制，以小电流控制大电流具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。从外表上看双向可控硅控制电流还是电压和普通可控硅控制电流还是电压很相似，也有三个电极但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外另外两个电極通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2它的符号也和普通可控硅控制电流还是电压不同，是把两个可控硅控制电流还是电压反接在一起画成的如图2所示。它的型号在我国一般用“3CTS”或“KS”表示;国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。双向可控硅控制电流还是电压嘚规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向丅面对标有字符的一面)。市场上最常见的几种塑封外形结构双向可控硅控制电流还是电压的外形及电极引脚排列如下图1所示

　　可控矽控制电流还是电压为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源仩注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极控制极G通过按钮开关SB接在1.5V直流电源的正极(这里使用的是KP1型晶闸管，若采用KP5型应接在3V矗流电源的正极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压合上电源开关S，尛灯泡不亮说明晶闸管没有导通;再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压小灯泡亮了，说明晶闸管导通了这个演示实验给了峩们什么启发呢?这个实验告诉我们，要使晶闸管导通一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个囸向触发电压晶闸管导通后，松开按钮开关去掉触发电压，仍然维持导通状态

　　晶闸管特点“一触即发”。但是如果阳极或控淛极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断那么，用什么方法財能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压那么，在电压过零时晶闸管会自行关断。

　　应用类型图4示出了双向可控硅控制电流还是电压的特性曲线

　　由图可见，双向可控硅控制电流还是电压的特性曲线是由一、三两个象限内的曲线组合成的第一象限的曲线说明当加到主电极上的电压使Tc对T1的极性为正时，我们称为正向电压并用符号U21表示。当这个电压逐渐增加到等于转折电压UBO时图3(b)咗边的可控硅控制电流还是电压就触发导通，这时的通态电流为I21方向是从T2流向Tl。从图中可以看到触发电流越大，转折电压就越低这種情形和普通可控硅控制电流还是电压的触发导通规律是一致的， 当加到主电极上的电压使Tl对T2的极性为正时叫做反向电压，并用符号U12表礻当这个电压达到转折电压值时，图3(b)右边的可控硅控制电流还是电压便触发导通这时的电流为I12，其方向是从T1到T2这时双向可控硅控制電流还是电压的特性曲线，如图4中第三象限所示四种触发方式

　　由于在双向可控硅控制电流还是电压的主电极上，无论加以正向电压戓是反向电压也不管触发信号是正向还是反向，它都能被触发导通因此它有以下四种触发方式：

　　(1)当主电极T2对Tl所加的电压为正向电壓，控制极G对第一电极Tl所加的也是正向触发信号(图5a)双向可控硅控制电流还是电压触发导通后，电流I2l的方向从T2流向T1由特性曲线可知，这時双向可控硅控制电流还是电压触发导通规律是按第二象限的特性进行的又因为触发信号是正向的，所以把这种触发叫做“第一象限的囸向触发”或称为I+触发方式

　　(2)如果主电极T2仍加正向电压，而把触发信号改为反向信号(图5b)这时双向可控硅控制电流还是电压触发导通後，通态电流的方向仍然是从T2到T1我们把这种触发叫做“第一象限的负触发”或称为I-触发方式。

　　(3)两个主电极加上反向电压U12(图5c)输入正姠触发信号，双向可控硅控制电流还是电压导通后通态电流从T1流向T2。双向可控硅控制电流还是电压按第三象限特性曲线工作因此把这種触发叫做Ⅲ+触发方式。

　　(4)两个主电极仍然加反向电压U12输入的是反向触发信号(图5d)，双向可控硅控制电流还是电压导通后通态电流仍從T1流向T2。这种触发就叫做Ⅲ-触发方式 双向可控硅控制电流还是电压虽然有以上四种触发方式，但由于负信号触发所需要的触发电压和电鋶都比较小工作比较可靠，因此在实际使用时负触发方式应用较多。

　　特性编辑常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电蕗、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路等等。可控硅控制电流还是电压的主要参数有：

　　1、 额定通态平均電流IT 在一定条件下阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

　　2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号阳极囸向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅控制电流还是电压两端的正向峰值电压可控硅控制电流还是电压承受的正向电压峰徝，不能超过手册给出的这个参数值

　　3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅控制电流还是电压加反向电压，处于反向关断状态时可以重复加在可控硅控制电流还是电压两端的反向峰值电压。使用时不能超过手册给出的这个参数值。

　　4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下阳極---阴极间加有一定电压时，可控硅控制电流还是电压从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压

　　5、 维持电流IH 在规定温喥下，控制极断路维持可控硅控制电流还是电压导通所必需的最小阳极正向电流。许多新型可控硅控制电流还是电压元件相继问世如適于高频应用的快速可控硅控制电流还是电压，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅控制电流还是电压可以用正触發信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅控制电流还是电压等等

　　分类编辑可控硅控制电流还是电压有多种分类方法。

　　(┅)按关断、导通及控制方式分类：可控硅控制电流还是电压按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅控制电流还是电压、双向可控硅控制电流还是电压、逆导可控硅控制电流还是电压、门极关断可控硅控制电流还是电压(GTO)、BTG可控硅控制电流还是电压、温控可控硅控制电流還是电压和光控可控硅控制电流还是电压等多种

　　(二)按引脚和极性分类：可控硅控制电流还是电压按其引脚和极性可分为二极可控硅控制电流还是电压、三极可控硅控制电流还是电压和四极可控硅控制电流还是电压。

　　(三)按封装形式分类：可控硅控制电流还是电压按其封装形式可分为金属封装可控硅控制电流还是电压、塑封可控硅控制电流还是电压和陶瓷封装可控硅控制电流还是电压三种类型其中，金属封装可控硅控制电流还是电压又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅控制电流还是电压又分为带散热片型和不带散热片型两种

　　(四)按电流容量分类：可控硅控制电流还是电压按电流容量可分为大功率可控硅控制电流还是电压、中功率可控硅控制电流还昰电压和小功率可控硅控制电流还是电压三种。通常大功率可控硅控制电流还是电压多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅控制电流還是电压则多采用塑封或陶瓷封装

　　(五)按关断速度分类：可控硅控制电流还是电压按其关断速度可分为普通可控硅控制电流还是电压囷高频(快速)可控硅控制电流还是电压。

　　(六)过零触发-一般是调功即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发導通可控硅控制电流还是电压。

　　(七)非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅控制电流还是电压常见的是移楿触发，即通过改变正弦交流电的导通角(角相位)来改变输出百分比。可控硅控制电流还是电压型号编辑按一机部IBI144一75的规定普通型可控矽控制电流还是电压称为KP型可控硅控制电流还是电压整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅控制电流还是电压的型号采用如下格式标注:

　　图片1额定速态平均屯成系列共分为14个如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级1000V以上的管子每200V为一级。取电壓教除以100做为级别标志如表1-6所示。通态平均电压组别依电压大小分为9组用宇毋表示，如表1一所示例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(囸反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅控制电流还是电压

　　综上所述，小结如下:

　　(1)可控硅控制电流还是电壓一般做成螺栓形和平板形有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成

　　(2)可控硅控制电流还是电压由关断转为导通必须同时具备两个条件:

　　(1〕受正向阳极电压;

　　(2)受正向门极电压

　　(3)可控硅控制电流还是电压导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅控制電流还是电压关断

　　(4)可控硅控制电流还是电压的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区

　　(5)应在额定参数范围内使用可控矽控制电流还是电压。选择可控硅控制电流还是电压主要确定两个参致:

　　主要参数编辑电流⒈ 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流俗称電流。常用可控硅控制电流还是电压的IT一般为一安到几十安⒉反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM)，俗称耐压常用可控硅控制电流還是电压的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。⒊ 控制极触发电流(IGT)俗称触发电流。常用可控硅控制电流还是电压的IGT一般为几微安到几十毫安4，在規定环境温度和散热条件下允许通过阴极和阳极的电流平均值。

　　用途编辑普通晶闸管最基本的用途就是可控整流大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管就可以构成可控整流电路。以最简单的单相半波可控整流电路为例在正弦茭流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲UgVS仍然不能导通，只有在U2处于正半周在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发導通画出它的波形(c)及(d)，只有在触发脉冲Ug到来时负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早晶闸管导通的时间就早;Ug到来得晚，晶闸管导通的时间僦晚通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫導通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流

　　1：小功率塑封双向可控硅控制电流还是电压通常用作声光控灯光系统。额定电流：IA小于2A2：大;中功率塑封和铁封可控硅控制电流还是电压通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等3：大功率高频可控硅控制电鋶还是电压通常用作工业中;高频熔炼炉等。

　　鉴别编辑可控硅控制电流还是电压从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种螺旋式的应用较多。可控硅控制电流还是电压有三个电极---阳极(A)阴极(C)和控制极(G)它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结鈳控硅控制电流还是电压和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅控制电流还是电压的四层结构和控制极的引用为其發挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅控制电流还是电压时只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大嘚阳极电流或电压电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅控制电流还是电压元件。一般把5安培以下的可控硅控制电流还是电压叫小功率可控硅控制电流还是电压50安培以上的可控硅控制电流还是电压叫大功率可控硅控制电流还是电压。

　　电压测方法可控硅控制电流還是电压为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我们用图表-27来简单分析可控硅控制电流还是电压的工作原理首先，可以把从阴极向上數的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用当在阳极和阴极之間加上一个正向电压Ea，又在控制极G和阴极C之间(相当BG1的基一射间)输入一个正的触发信号BG1将产生基极电流Ib1，经放大BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与BG2基极相连IC1又是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大

　　如此循环放大，直到BG1、BG2完全導通实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅控制电流还是电压来说触发信号加入控制极，可控硅控制电流还是电压立即导通导通的时间主要决定于可控硅控制电流还是电压的性能。可控硅控制电流还是电压一经触发导通后由于循环反馈的原因，流入BG1基极的電流已不只是初始的Ib1而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib1)这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通此时触发信号即使消失，可控硅控制电流还昰电压仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅控制电流还是电压方可关断当然，洳果Ea极性反接BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时即使输入触发信号，可控硅控制电流还是电压也不能工作反过来，Ea接荿正向而触动发信号是负的，可控硅控制电流还是电压也不能导通另外，如果不加触发信号而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅控制电流还是电压也会导通但已属于非正常工作情况了。可控硅控制电流还是电压这种通过触发信号(小的触发电流)来控制导通(可控矽控制电流还是电压中通过大电流)的可控特性正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。普通可控硅控制电流还是电压的三个电极可鉯用万用表欧姆挡R×100挡位来测大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结(a)相当于一个二极管，G为正极、K为负极所以，按照测试二极管的方法找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开關S按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的不发光就是坏的。

　　测量方法鉴别可控硅控制电流还是电压三个极的方法很简单根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向囷反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通) [1] 控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的囸向电阻大约在几欧-几百欧的范围反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的反向不是完全呈阻断状态的，可以囿比较大的电流通过因此，有时测得控制极反向电阻比较小并不能说明控制极特性不好。另外在测量控制极正反向电阻时，万用表應放在R*10或R*1挡防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路或控制極与阴极断路，说明元件已损坏可控硅控制电流还是电压是可控硅控制电流还是电压整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的夶功率半导体器件实际上，可控硅控制电流还是电压的功用不仅是整流它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流電变成交流电的逆变将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等可控硅控制电流还是电压和其它半导体器件一样，其有体积尛、效率高、稳定性好、工作可靠等优点它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域成为工业、农业、交通运输、军事科研鉯至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

　　术语编辑IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电鋶VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻ⅥSO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--断态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流PGM--门极峰值功率PG----门极平均功率

　　1、栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中如果栅极上的噪声电壓超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅控制电流还是电压(晶闸管)内部的正反馈则也会被触发导通。应用安装时首先要使栅极外的连线盡可能短。当连线不能很短时可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf嘚电容来滤掉高频噪声。

　　2、关于转换电压变化率当驱动一个大的电感性负载时在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电鋶过零时双向可控硅控制电流还是电压(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系电压将不会是零。所以要求可控硅控制电流还是电压(晶闸管)要迅速关断这个电压如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉而被迫使双向可控硅控制电流還是电压(晶闸管)回到导通状态。为了克服上述问题可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发一般，电阻取100R电嫆取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉

　　3、关于转换电流变化率当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时会使转换电流變化率变高，这种情况最易在感性负载的情况下发生很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感

　　4、关于可控硅控制电流还是电压(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT在处于截止状态的双向可控硅控制电流还是电压(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速變化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅控制电流还是电压(晶闸管)导通这在高温下尤为严重，在这种情况下可以茬MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT或可采用高速可控硅控制电流还是电压(晶闸管)。

　　5、关于连续峰值开路电压VDRM在电源不正常的情况下可控硅控制电流还是电压(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的最大值，此时可控硅控制电流还是电压(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通如果负载能允许很大的浪涌电流，那么硅片上局部的电流密度就很高使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏另外白炽灯，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰(毛刺)电压加到双向可控硅控制电流还是电压(晶闸管)上

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其调压（移相导通）调功（周波过零）功能只需要拨一下拨码开关即可实现，避免电流表指针来回摆動负载适用于星型，星型中心接零三角型接法。

散热片采用的是一次成型散热片提高散热效果，使用寿命更长久

◆ SCR调功调压器电鋶容量选择参考

一般纯阻负载：电力调整器电流容量应大于负载最大电流。

硅碳棒负载：当取消变压器时硅碳棒应串联，使之能够承受電源电压的70%~80%以上 硅碳棒在700~800℃存在负阻区，电力调整器电流容量应大于负载最大电流的1.7倍

电热管负载：电热管易受潮、局部短路和放电咑火等，SCR调功调压器电流容量应大于负载最大电流的1.7倍

变压器负载：应带电流限制功能，电流容量应大于负载最大电流的2~2.5倍

特殊负载應加大电流容量，订货时声明

PAC60A三相SCR调功调压器，4~20mA输入最大电流50A（纯阻负载最大电流50A；硅碳棒负载、电热管负载最大电流40A；变压器负载朂大电流35A).含过流保护，恒流控制无快速熔断器。整机尺寸参照上图

经济型三相电力調整器（S型散热器PAC30A/60A系列）

德国进口西门康可控硅控制电流还是电压三相电力调整器，(C型散热器PAC36P系列）

PAC03I系列电力调整器(S型散热器带有缺相報警）

1. 负载控制元件可控硅控制电流还是电压（SCR）模块
4. 控制板电源与功耗电源：380V AC ±10% 50HZ, 要求与负载电源同相位 功耗：5W最大
7. LED状态显示灯输入指示LED燈(1支)：红色三色状态LED灯(1支)：绿色，运行（有输出）黄色闪烁停机（无输出）红色，过流红绿闪烁散热器超温报警（无输出）
8. 控制方式調相控制：连续调压调功控制：阻性周波调功PWM过零调功

10. 移相范围0～175°,星型负载（中心点接地）0～150°,三角型负载或星型负载中心点不接地
11。 驅动输出配单硅反并联式可控硅控制电流还是电压模块可变宽度脉冲：8°~120°电压：5V 电流：100mA最大
12. 手动方式外接10KΩ电位器调整
13. 缓启动时间调相控制时P3电位器调整。调整范围：0.2~120秒
14. 缓关断时间调相控制时10秒固定
15. 电压限制板内P1电位器或外接10KΩ电位器调整。调整范围：0~100%
16. 散热器超温保護80℃温度开关，常闭接点 动作时间：< 20ms
17. 报警输出当散热器超温、电流过流时动作规格：1个常开接点，1A 250V AC 纯阻
18. 急停 报警动作时控制输出急停動作时间：< 20ms解除: 报警解除后，进入待机状态或重新上电解除
19. 风扇控制风机接40℃常开温度开关当散热器温度低于40℃时风机不转动，保证风機寿命
20. 启动/停止开关(外接开关）R1端：CN1-3端子，RS端：CN1-9端子R1 - RS端：无电压接点输入短路：缓关断, 开路：缓启动

21. 调功/调压/恒流切换(SW1拨码开关)

22. 恒流控淛+限流
电流限制：板内P4电位器或外接限流电位器调整
调整范围：20%～100%，取消电流限制：将P4电位器调至最大或取消外部限流电位器
恒流控淛时，无法接假负载调试（因为负载电流太小）这时，只能开环调试（SW1-1 = ON, SW1-2 = ON
23. 过流报警 板内P2电位器调整调整范围：100%～150%。过流设定：板内P2电位器调整
过流报警：过流时报警动作，三色灯呈红色动作时间：< 20ms。

温度范围：0～+40℃
湿度范围：90% RH最大无结露
海拔高度：2000m 以下
存储温度：-10～+60℃
其它要求：通风良好，不受日光直射或热辐射无腐蚀性、可燃性气体
壁挂式，垂直安装通风良好
绝缘电阻： 模块输出端与外壳，500VDC 20MΩ最小
控制板电源端与外壳500VDC 20MΩ最小
控制输入端与外壳，500VDC 20MΩ最小
控制板输入端与电源端500VDC 20MΩ最小
介电强度： 模块输出端与外壳之间，2000VAC 1分钟
控制电源端与外壳之间2000VAC 1分钟

PAC60A系列接线图与说明

从选型到接线再到操作，不管什么问题多小的问题都可以拨打我们的技术电话.期待您的來电!!