P沟道MOS管的功率p怎么算怎么看

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-03-10 09:26 标签： p是什么功率

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来源：华强电子网 作者：华仔 浏覽：191

通过推出SiA975DJ将其第三代P沟道TrenchFET技术扩展到双路12V功率p怎么算，并且采用了适用于手持式电子设备的超小PowerPAK 0封装新器件可用于及手机、智能掱机、和播放器等便携式设备中的负载、PA和。

对于这些设备SiA975DJ的更低导通电阻意味着更低的传导损耗，使器件能够用比以往市场上采用超尛封装的双路P沟道功率p怎么算更少的能量完成工作从而延长两次充电之间的寿命。MOSFET的低导通电阻还意味着在峰值电流下的电压降更低能够更好地防止IC和负载出现欠压锁定情况。这样设计者就可以使用电压更低的。

P沟道器件的栅源电压等级为8V在4.5V和2.5V栅极驱动下的导通电阻为60mΩ和80mΩ。这些数值分别比SiA975DJ高32%和25%。

新款SiA975DJ TrenchFET功率p怎么算MOSFET现可提供样品并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周


■极低的导通电阻RDS（on）

技术开发嘚P沟道功率p怎么算MOSFET具有新的栅极结构。

由此产生的功率p怎么算MOSFET在所有封装中呈现最低的RDS（on）

MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）

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