立创商城AP34063S8G-13 DC-DC芯片的工作条件?

TPS54202H 是一款输入电压范围为 4.5V 至 28V 的 2A 同步降压转换器该器件包含两个集成式开关场效应晶体管 (FET) 并且具备内部回路补偿和 5ms 内部软启动功能,可降低组件数
通过集成 MOSFET 并采用 SOT-2 封装,TPS54202H 獲得了高功率密度并且在印刷电路板 (PCB) 上的占用空间非常小。
高级 Eco-mode 实现以最大限度提高了轻负载效率并降低了功率损耗 1?4.5 V至28 FAE;
高侧 MOSFET 上的逐周期电流限制功能可在过载条件下保护转换器并通过防止电流失控的低侧 MOSFET 续流电流限制功能实现功能增强。当过流持续时间超出预设时间時将触发断续模式保护功能。
集成 148mΩ 和 78 mΩ 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)持续输出电流为 2A
关断电流低至 2?A,静态电流为 45μA
采用断续模式为两个 MOSFET 提供过流保护

12V 和 24V 分布式电源总线供电
4.5V至28V宽输入电压范围
低2μA关断45μA静态电流
两种MOSFET的过流保护
TPS54202H是一款4.5 V至28 V输入电压范围,2A同步降压轉换器该器件包括两个集成开关FET,内部环路补偿和5 ms内部软启动以减少元件数量。 FAE:

通过集成MOSFET并采用SOT-2封装TPS54202H实现了高功率密度,并且在PCB仩占用的空间很小
先进的Eco模式实现可最大限度地提高轻载效率并降低功耗。
高端MOSFET中的逐周期电流限制可保护转换器处于过载状态并通過低端MOSFET续流电流限制来增强,从而防止电流失控如果过流条件持续时间超过当前时间,则触发打嗝模式保护
装置包括两个集成开关FET,內部环路补偿和5毫秒内部软启动减少组件数量
通过集成MOSFET和采用SOT2封装,TPS54202H达到了很高的水平功率密度和占地面积小PCB
先进的生态模式实施最夶化轻载效率,降低功率损耗 1?4.5 V至28 FAE;
高端的逐周期电流限制MOSFET可在过载时保护转换器条件并由低边MOSFET增强续流电流限制,可防止电流逃跑
如果是,则触发打嗝模式保护过流情况持续时间超过现在的时间

JEDEC文件JEP??157规定250V CDM允许使用标准ESD控制过程进行安全制造。
超过运行的自由空气溫度范围(除非另有说明)MIN MAX UNIT
该器件是一款28V2A,同步降压(降压)转换器具有两个集成的n沟道MOSFET。至
在线路和负载瞬变期间提高性能器件實现恒定频率,峰值电流
模式控制降低输出电容。优化的内部补偿网络最小化了
外部元件计数并简化了控制回路设计
切换和空载。器件禁用时电源电流通常为2μA。

集成的148mΩ高端MOSFET和78mΩ可实现高效率电源设计连续输出电流高达2 A.
TPS54202H通过集成启动再充电二极管来减少外部元件数量
偏压对于集成的高端MOSFET,由BOOT至PH引脚上的外部电容供电
开机电容器电压由UVLO电路监控,并在电压下降时关闭高端MOSFET通常低于2.1 V的预设阈值
该器件利用过电压最大限度地减少了过大的输出过压瞬变比较。
当稳压输出电压大于额定电压的108%时过压
比较器被激活,高端MOSFET关闭并被屏蔽直到输出为止电压低于104%。
TPS54202H器件具有内部5 ms软启动时间可最大限度地降低浪涌电流。

TPS54202H 是一款输入电压范围为 4.5V 至 28V 的 2A 同步降压转换器该器件包含两个集成式开关场效应晶体管 (FET) 并且具备内部回路补偿和 5ms 内部软启动功能,可降低组件数
通过集成 MOSFET 并采用 SOT-2 封装,TPS54202H 獲得了高功率密度并且在印刷电路板 (PCB) 上的占用空间非常小。
高级 Eco-mode 实现以最大限度提高了轻负载效率并降低了功率损耗 1?4.5 V至28 FAE;
高侧 MOSFET 上的逐周期电流限制功能可在过载条件下保护转换器并通过防止电流失控的低侧 MOSFET 续流电流限制功能实现功能增强。当过流持续时间超出预设时间時将触发断续模式保护功能。
集成 148mΩ 和 78 mΩ 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)持续输出电流为 2A
关断电流低至 2?A,静态电流为 45μA
采用断续模式为两个 MOSFET 提供过流保护

12V 和 24V 分布式电源总线供电
4.5V至28V宽输入电压范围
低2μA关断45μA静态电流
两种MOSFET的过流保护
TPS54202H是一款4.5 V至28 V输入电压范围,2A同步降压轉换器该器件包括两个集成开关FET,内部环路补偿和5 ms内部软启动以减少元件数量。 FAE:

通过集成MOSFET并采用SOT-2封装TPS54202H实现了高功率密度,并且在PCB仩占用的空间很小
先进的Eco模式实现可最大限度地提高轻载效率并降低功耗。
高端MOSFET中的逐周期电流限制可保护转换器处于过载状态并通過低端MOSFET续流电流限制来增强,从而防止电流失控如果过流条件持续时间超过当前时间,则触发打嗝模式保护
装置包括两个集成开关FET,內部环路补偿和5毫秒内部软启动减少组件数量
通过集成MOSFET和采用SOT2封装,TPS54202H达到了很高的水平功率密度和占地面积小PCB
先进的生态模式实施最夶化轻载效率,降低功率损耗 1?4.5 V至28 FAE;
高端的逐周期电流限制MOSFET可在过载时保护转换器条件并由低边MOSFET增强续流电流限制,可防止电流逃跑
如果是,则触发打嗝模式保护过流情况持续时间超过现在的时间

JEDEC文件JEP??157规定250V CDM允许使用标准ESD控制过程进行安全制造。
超过运行的自由空气溫度范围(除非另有说明)MIN MAX UNIT
该器件是一款28V2A,同步降压(降压)转换器具有两个集成的n沟道MOSFET。至
在线路和负载瞬变期间提高性能器件實现恒定频率,峰值电流
模式控制降低输出电容。优化的内部补偿网络最小化了
外部元件计数并简化了控制回路设计
切换和空载。器件禁用时电源电流通常为2μA。

集成的148mΩ高端MOSFET和78mΩ可实现高效率电源设计连续输出电流高达2 A.
TPS54202H通过集成启动再充电二极管来减少外部元件数量
偏压对于集成的高端MOSFET,由BOOT至PH引脚上的外部电容供电
开机电容器电压由UVLO电路监控,并在电压下降时关闭高端MOSFET通常低于2.1 V的预设阈值
该器件利用过电压最大限度地减少了过大的输出过压瞬变比较。
当稳压输出电压大于额定电压的108%时过压
比较器被激活,高端MOSFET关闭并被屏蔽直到输出为止电压低于104%。
TPS54202H器件具有内部5 ms软启动时间可最大限度地降低浪涌电流。

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