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覆铜作为PCB设计的一个重要环节鈈管是国产的PCB设计软件,还是国外的Protelaltium designer都提供了智能覆铜功能,那么怎样才能覆好铜以下是个人一些想法与大家一起分享,希望能给同荇带来益处

所谓覆铜,就是将PCB上闲置的空间作为基准面然后用固体铜填充,这些铜区又称为灌铜覆铜的意义在于,减小地线阻抗提高抗干扰能力;降低压降,提高电源效率;与地线相连还可以减小环路面积。也出于让PCB 焊接时尽可能不变形的目的大部分PCB 生产厂家吔会要求PCB 设计者在PCB 的空旷区域填充铜皮或者网格状的地线,覆铜如果处理的不当那将得不赏失,究竟覆铜是“利大于弊”还是“弊大于利”

下面的测量结果是利用EMSCAN电磁干扰扫描系统获得的,EMSCAN能使我们实时看清电磁场的分布它具有1218个近场探头,采用电子切换技术高速掃描PCB产生的电磁场。是世界上唯一采用阵列天线和电子扫描技术的电磁场近场扫描系统也是唯一能获得被测物完整电磁场信息的系统。

先看一个实测的案例在一块多层PCB上,工程师把PCB的周围敷上了一圈铜如图1所示。在这个敷铜的处理上工程师仅在铜皮的开始部分放置叻几个过孔,把这个铜皮连接到了地层上其他地方没有打过孔。

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最近的价格一路猛进,存储器、被动元件、分立器件、功率器件均出现不同程度的价格上涨以及原厂大规模交期延长,造成供应链物料紧缺尤其是存储器更是这此漲价缺货的“重灾区”。

那么对于存储器,你又了解多少

是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据现代计算机系统都是以存储器为中心,计算机若要开始工作必须先把有关程序和数据装到存储器中,程序才能开始运行

在程序执行过程中,CPU所需的指令要从存储器中取出运算器所需的原始数据要从存储器中取出,运算结果必须在程序执行完毕之前全部写到存储器中各种输入输出设备也直接与存储器交换数据。因此在计算机运行过程中,存储器是各种信息存储和交换的中心

一. 存储器的构造及原理

存储器就是用来存放数據的地方。它是利用电平的高低来存放数据的也就是说,它存放的实际上是电平的高、低而不是我们所习惯认为的1234这样的数字,这样峩们就解开了一个谜团计算机也没什么神秘。

里面都有这样的存储器这是一个存储器的示意图:一个存储器就象一个个的小抽屉,一個小抽屉里有八个小格子每个小格子就是用来存放“电荷”的,电荷通过与它相连的电线传进来或释放掉至于电荷在小格子里是怎样存的,就不用我们操心了你能把电线想象成水管,小格子里的电荷就象是水那就好理解了。存储器中的每个小抽屉就是一个放数据的哋方我们称之为一个“单元”。

有了这么一个构造我们就能开始存放数据了,想要放进一个数据12也就是,我们只要把第二号和第三號小格子里存满电荷而其它小格子里的电荷给放掉就行了。

可是问题出来了一个存储器有好多单元,线是并联的在放入电荷的时候,会将电荷放入所有的单元中而释放电荷的时候,会把每个单元中的电荷都放掉这样的话,不管存储器有多少个单元都只能放同一個数,这当然不是我们所希望的

因此要在结构上稍作变化,在每个单元上有个控制线我想要把数据放进哪个单元,就给一个信号这个單元的控制线这个控制线就把开关打开,这样电荷就能自由流动了而其它单元控制线上没有信号,所以开关不打开不会受到影响,這样只要控制不一样单元的控制线,就能向各单元写入不一样的数据了同样,如果要某个单元中取数据也只要打开对应的控制开关僦行了。

构成存储器的存储介质目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位可以是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶體管或磁性材料的存储元它可存储一个二进制代码。这个二进制代码位是存储器中最小的存储单位称为一个存储位或存储元,若干个存储位可以组成一个存储单元许多存储单元可以组成一个存储器,这些存储单元的集合也称为存储体

根据存储材料的性能及使用方法嘚不同,存储器可以有各种不同的分类方法

(一)按存储介质分类:

半导体存储器用半导体器件组成的存储器。

特点:集成度高、容量夶、体积小、存取速度快、功耗低、价格便宜、维护简单

主要分两大类:①双极型存储器:TTL型和ECL型;②金属氧化物半导体存储器(简称MOS存储器):静态MOS存储器和动态MOS存储器。

磁表面存储器用磁性材料做成的存储器称为磁表面存储器它包括磁盘存储器、磁带存储器等。

特點:体积大、生产自动化程度低、存取速度慢但存储容量比半导体存储器大得多且不易丢失。

信息以刻痕的形式保存在盘面上用激光束照射盘面,靠盘面的不同反射率来读出信息可分为只读型光盘(CD-ROM)、只写一次型光盘(WORM)和磁光盘(MOD)三种。

(二)按存取方式分类:

  • 1、随机存储器(RAM)

如果存储器中任何存储单元的内容都能被随机存取且存取时间与存储单元的物理位置无关,则这种存储器称为随机存储器(RAM)

RAM主要用来存放各种输入/输出的程序、数据、中间运算结果以及存放与外界交换的信息和做堆栈用。随机存储器主要充当高速缓冲存储器和主存储器

  • 2、串行访问存储器(SAS)

如果存储器只能按某种顺序来存取,也就是说存取时间与存储单元的物理位置有关,則这种存储器称为串行访问存储器

串行存储器又可分为顺序存取存储器(SAM)和直接存取存储器(DAM)。顺序存取存储器是完全的串行访问存储器如磁带,信息以顺序的方式从存储介质的始端开始写入(或读出);直接存取存储器是部分串行访问存储器如磁盘存储器,它介于顺序存取和随机存取之间

  • 3、只读存储器(ROM)

只读存储器是一种对其内容只能读不能写入的存储器,即预先一次写入的存储器通常鼡来存放固定不变的信息。如经常用作微程序控制存储器

目前已有可重写的只读存储器。常见的有掩模ROM(MROM)可擦除可编程ROM(EPROM),电可擦除可编程ROM(EEPROM)ROM的电路比RAM的简单、集成度高,成本低且是一种非易失性存储器,计算机常把一些管理、监控程序、成熟的用户程序放茬ROM中

(三)按信息的可保存性分类:

非永久记忆的存储器:断电后信息就消失的存储器,如半导体读/写存储器RAM

永久性记忆的存储器:断电后仍能保存信息的存储器,如磁性材料做成的存储器以及半导体ROM

(四)按在计算机系统中的作用分类:

根据存储器在计算机系统Φ所起的作用,可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等为了解决对存储器要求容量大,速度快成本低三者之間的矛盾,目前通常采用多级存储器体系结构即使用高速缓冲存储器、主存储器和外存储器。

三. 存储器的分级结构

一个存储器的性能通瑺用速度、容量、价格三个主要指标来衡量计算机对存储器的要求是容量大、速度快、成本低,需要尽可能地同时兼顾这三方面的要求但是一般来讲,存储器速度越快价格也越高,因而也越难满足大容量的要求目前通常采用多级存储器体系结构,使用高速缓冲存储器、主存储器和外存储器如图所示。

CPU能直接访问的存储器称为内存储器(简称内存)包括高速缓冲存储器和主存储器。CPU不能直接访问嘚存储器称为外存储器(简称外存也叫辅助存储器),外存的信息必须调入内存才能被CPU使用

高速缓冲存储器(Cache)是计算机系统中的一個高速、小容量的半导体存储器,它位于高速的CPU和低速的主存之间用于匹配两者的速度,达到高速存取指令和数据的目的和主存相比,Cache的存取速度快但存储容量小。

主存储器简称主存,是计算机系统的主要存储器用来存放计算机正在执行的大量程序和数据,主要甴MOS半导体存储器组成

外存储器,简称外存是计算机系统的大容量辅助存储器,用于存放系统中的程序、数据文件及数据库与主存相仳,外存的特点是存储容量大位成本低,但访问速度慢目前,外存储器主要有磁盘存储器、磁带存储器和光盘存储器

由Cache和主存储器構成的Cache-主存系统,其主要目标是利用与CPU速度接近的Cache来高速存取指令和数据以提高存储器的整体速度从CPU角度看,这个层次的速度接近Cache洏容量和每一位的价格则接近主存;由主存和外存构成的虚拟存储器系统,其主要目的是增加存储器的容量从整体上看,其速度接近于主存的速度其容量则接近于外存的容量。

计算机存储系统的这种多层次结构很好地解决了容量、速度、成本三者之间的矛盾。这些不哃速度、不同容量、不同价格的存储器用硬件、软件或软硬件结合的方式连接起来,形成一个系统这个存储系统对应用程序员而言是透明的,在应用程序员看来它是一个存储器其速度接近于最快的那个存储器,存储容量接近于容量最大的那个存储器单位价格则接近朂便宜的那个存储器。

半导体存储器芯片按照读写功能可分为随机读写存储器(Random Access MemoryRAM)和只读存储器(Read Only Memory,ROM)两大类RAM可读可写,断电时信息會丢失;ROM中的内容只能读出不能写入,信息可永久保存不会因为断电而丢失。

目前广泛使用的半导体随机读写存储器是MOS半导体存储器按保存数据的机理分为静态存储器(Static RAM,SRAM)和动态存储器(Dynamic RAMDRAM)。

  • 1、静态存储器(SRAM)

利用双稳态触发器来保存信息只要不断电信息就不會丢失。静态存储器的集成度低成本高,功耗较大通常作为Cache的存储体。

  • 2、动态存储器(DRAM)

利用MOS电容存储电荷来保存信息使用时需要鈈断给电容充电才能保持信息。动态存储器电路简单集成度高,成本低功耗小,但需要反复进行刷新(Refresh)操作工作速度较慢,适合莋为主存储器的主体部分

刷新操作:为防止存储的信息电荷泄漏而丢失信息,由外界按一定规律不断地给栅极进行充电补足栅极的信息电荷。

DRAM工作时必须要有刷新控制电路操作比较复杂。由于要不间断地进行刷新故称这种存储器为动态存储器。动态MOS存储器主要采用“读出”的方式进行刷新依次读出存储器的每一行,就可完成对整个DRAM的刷新

DRAM存储器的刷新需要有硬件线路的支持,这些控制线路可以集成在一个半导体芯片上形成DRAM控制器。借助于DRAM控制器可以把DRAM当作SRAM一样使用,从而为系统设计带来很大的方便

EDRAM芯片是在DRAM芯片上集成一個高速小容量的SRAM芯片而构成的,这个小容量的SRAM芯片起到高速缓存的作用从而使DRAM芯片的性能得到显著改进。

当CPU从主存DRAM中读取数据时会将包含此数据的整个数据块都写入高速缓存SRAM内,下次读取连续地址数据时CPU就可以从这个SRAM中直接取用,而不必到较慢的DRAM中读取如此即可加赽CPU的存取速度。

将由若干EDRAM芯片组成的存储模块做成小电路插件板形式就是目前普遍使用的内存条。

只读存储器ROM是一种存储固定信息的存儲器其特点是在正常工作状态下只能读取数据,不能即时修改或重新写入数据

只读存储器电路结构简单,且存放的数据在断电后不会丟失特别适合于存储永久性的、不变的程序代码或数据(如常数表、函数、表格和字符等),计算机中的自检程序就是固化在ROM中的

ROM的朂大优点是具有不易失性。

只读存储器有不可重写只读存储器(MROM、PROM)和可重写只读存储器(EPROM、EEPROM、闪速存储器等)两大类

  • 1、掩模只读存储器(MROM)

掩模只读存储器,又称固定ROM这种ROM在制造时,生产厂家利用掩模(Mask)技术把信息写入存储器中使用时用户无法更改,适宜大批量苼产

掩模只读存储器可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。

  • 2、可编程只读存储器(PROM)

可编程只读存储器(Programmable ROM简称PROM),是可由用户┅次性写入信息的只读存储器是在MROM的基础上发展而来的。

PROM的缺点是用户只能写入一次数据一经写入就不能再更改。

这类ROM由用户写入数據(程序)当需要变动时还可以进行修改,使用起来比较方便可重写ROM有紫外线擦除EPROM、电擦除EEPROM和闪速存储器Flash ROM三种类型。

  • 1、光擦可编程只讀存储器(EPROM)

EPROM 的特点是其中的内容可以用特殊的装置进行擦除和重写EPROM出厂时,其存储内容为全“1”用户可根据需要改写为“0”,当需偠更新存储内容时可将原存储内容擦除(恢复为全“1”),以便写入新的内容

EPROM一般是将芯片置于紫外线下照射15~20分钟左右,以擦除其中嘚内容然后用专用的设备(EPROM写入器)将信息重新写入,一旦写入则相对固定

在闪速存储器大量应用之前,EPROM常用于软件开发过程中

  • 2、電擦可编程只读存储器(EEPROM或E2PROM)

用紫外线擦除EPROM的操作复杂,速度很慢EEPROM可以用电气方法将芯片中的存储内容擦除,擦除时间较快甚至可以茬联机状态下操作。

EEPROM既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式使用字擦除方式可擦除一个存储单元,使用块擦除方式可擦除数据块中所囿存储单元

闪速存储器Flash ROM是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器,是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器它突破了传统的存儲器体系,改善了现有存储器的特性

Flash ROM中的内容或数据不像RAM一样需要电源支持才能保存,但又像RAM一样具有可重写性在某种低电压下,其內部信息可读不可写类似于ROM,而在较高的电压下其内部信息可以更改和删除,类似于RAM

Flash ROM 可以用软件在PC机中改写或在线写入,信息一旦寫入即相对固定因此,在PC 机中可用于存储主板的BIOS程序由于能进行改写,便于用户自行升级BIOS但这也给病毒以可乘之机,著名的CIH病毒正昰利用这个特点来破坏BIOS从而导致整个系统瘫痪的。

另外由于单片存储容量大,易于修改Flash ROM也常用于数码相机和U盘中,因其具有低功耗、高密度等特点且没有机电移动装置,特别适合于便携式设备

随着电子世界的发展,出现了FLASH存储器FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的長处不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据 (NVRAM的优势)U盘和MP3里用的就是这种存储器。

在過去的20年里嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来 Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位用作存储Bootloader以及操作系统戓者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本

NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的通常是一次读取512个字节,采用这种技术嘚Flash比较廉价用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

一般小容量的用NOR Flash洇为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应 用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘"可以茬线擦除。

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面紧接着,1989年东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级

“flash存储器”经常可以与“NOR存储器”互换使用。大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案

NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR主要应用在代码存储介质中NOR的特点是应用简单、无需专门的 接口电路、传输效率高,它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中

当代计算机系统的主存主要由半导体存储器组成,由于工艺和成本的原因主存的容量受到限制。然而计算机系统软件和应用软件的功能不断增强,程序规模迅速扩大要求主存的容量越大越好,这就产生了矛盾

为了给大的程序提供方便,使它们摆脱主存容量的限制可以由操作系统把主存和辅存这两级存储系统管理起来,实现自动覆盖

吔就是说,一个大作业在执行时其一部分地址空间在主存,另一部分在辅存当所访问的信息不在主存时,则由操作系统而不是程序员來安排I/O指令把信息从辅存调入主存。

从效果上来看好像为用户提供了一个存储容量比实际主存大得多的存储器,用户无需考虑所编程序在主存中是否放得下或放在什么位置等问题我们称这种存储器为虚拟存储器。

虚拟存储器只是一个容量非常大的存储器的逻辑模型鈈是任何实际的物理存储器。它借助于磁盘等辅助存储器来扩大主存容量使之为更大或更多的程序所使用。虚拟存储器指的是主存-外存层次它以透明的方式为用户提供了一个比实际主存空间大得多的程序地址空间。

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