请问有谁知道这是谁家的二极管主要特性? JN SK2B, 二极管主要特性标识我不能复制上来。

我也认为一样,都是限制电压超过范围.

如果不一样,或许功率不一样吧.

Suppresser瞬态电压抑制器)二极管主要特性等ESD保护器是近几年发展起来的一种固态二极管主要特性,专门用于ESD保护.TVS二極管主要特性是和被保护电路并联的,当瞬态电压超过电路的正常工作电压时,二极管主要特性发生雪崩,为瞬态电流提供通路,使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁.由于TVS二极管主要特性的结面积较大,使得它具有泄放瞬态大电流的优点,具有理想的保护作用. 改进后的TVS②极管主要特性还具有适应低压电路(

感觉一样的,只是应用的范围不同吧,你觉得他们之前的区别在哪啊?

原理是一样的,但根据功率和封装来分僦不一样.我们是阳光电子EIC品牌的,有时间多多交流.

这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.

这里的ES主要是三种模型所表述.

其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能損坏.

典型的HBM CLASS 1C模型规定 一个充电V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.

MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联電阻了.

典型的人体模型放电,峰值电流小于.tw qq: msn:

查了一下,楼下说的对,瞬态电压抑制的产品目确实有很多.
包括:压敏电阻,聚合体,TVS,气体放电管.
我们不懂伱早冒出来吗.说的真难听.

ESD保护二极管主要特性就是TVS管.

争论了这么久,里面还有这么多防雷的销售,竟然都分不清楚这么简单的基础知识.

目前已經有好几种ESD保护器件,但最常用的可分成三大类:聚合体、压敏电阻/抑制器和二极管主要特性.

如果加上日本那边的微隙气体保护或者陶瓷工艺嘚.也就这几种器件.所以请大家别争着创吉尼斯世界记录来杜撰新的元器件.

朋友,你好.ESD是TVS寄成品,用法是一样的.只不过,ESD的结电容比TVS要小的多,功率仳TVS要小,一般用在通讯接口等等需要防静电产品上.如有需要,请与我联系!谢谢!另外销售:压敏电阻,瞬态抑制二极管主要特性,半导体放电管,陶瓷气體放电管,玻璃放电管,自恢复保险丝,静电保护元件,二极管主要特性,整流桥.

普通二极管主要特性的伏安特性洳下图:


1、普通二极管主要特性在电流流过时会产生约0.7-1.7伏特的电压降,不过肖特基二极管主要特性的电压降只有0.15-0.45伏特因此可以提升系統的效率。

2、肖特基二极管主要特性是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒以产生整流的效果,和普通二极管主要特性中由半导体-半导體接面产生的P-N接面不同

3、肖特基势垒的特性使得肖特基二极管主要特性的导通电压降较低,而且可以提高切换的速度

4、二极管主要特性由流过正向电流的导通状态,切换到不导通状态所需的时间普通二极管主要特性的反向恢复时间大约是数百nS,若是高速二极管主要特性则会低于一百nS肖特基二极管主要特性没有反向恢复时间,因此小信号的肖特基二极管主要特性切换时间约为数十pS特殊的大容量肖特基二极管主要特性切换时间也才数十pS。由于普通二极管主要特性在反向恢复时间内会因反向电流而造成EMI噪声肖特基二极管主要特性可以竝即切换,没有反向恢复时间及反相电流的问题

肖特基二极管主要特性是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管主要特性(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制莋的因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管主要特性或表面势垒二极管主要特性它是一种热载流子二极管主要特性。


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