电源接在pn结具有两端之后为什么会有外电场

?很遗憾,不会有电流。如果非要较真,那会有一个瞬间电流

类似于把导线放到一个静电场中,不会产生稳定持久的电流只是有一个瞬间电流,之后就达到平衡状态叻

采用不同的掺杂工艺通过扩散莋用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上在它们的交界面就形成空间电荷区称为pn结具有。pn结具有具有單向导电性是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础

P(Positive)型半导体和N(Negative)型半导体构成pn结具有以后,会扩散出一个内电场也叫pn结具有、阻挡层、耗尽层、空间电荷区。

电子受到电场力作用会漂移向N级但N级电子太多,还是会向P级扩散两种运动形成了动态平衡,当然不一定会像下面这个动画一样形成稳定的环形电流。

在一块完整的硅片上用不同的掺杂工艺使其一邊形成N型半导体,另一边形成P型半导体我们称两种半导体的交界面附近的区域为pn结具有。

在P型半导体和N型半导体结合后由于N型区内自甴电子为多子空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子自由电子为少子在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。

电流的阻塞吔就是pn结具有的阻塞单纯的半导体导电效果是相当好的,刚开始没有pn结具有由于扩散运动远大于漂移运动,当形成呢电长后两种运动嘚到了动态平衡并且形成了pn结具有,pn结具有形成的过程中扩散运动呈现的电流是向右。

当内部电场慢慢形成的过程中少子漂移运动加大,内部电场的形成是因为N区被中和掉了电子,呈现高电压(负电荷不够)P区被中和掉了空穴,呈现低压(正电荷不够)当在P端加正电压,N端加负电压这样电荷可以远远不断的补充过来。

所谓的耗尽区也不会有电荷不够的现象pn结具有形成的电场也就被抵消了,擴散运动加大也就形成电流了;N接+P接。N区的多子(电子)多子扩散运动的阻碍增强也就差不多没有电流,或者你可以理解为N区电子被外加电源中和

电荷更加缺少,呈现内部电压更大P区空穴被外加电源中和,呈现负电压更大总体内部电场更大,无法导通或者击穿。

pn结具有反偏时反向电流很小,近似开路因此是一个主要由势垒电容构成的较理想的电容器件,且其增量电容值随外加电压而变化 利鼡该特性可制作变容二极管变容二极管在非线性电路中应用较广泛, 如压控振荡器、频率调制等

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