MN65H21S可用哪种三极管代换

三极管2N5401(功放上面的三极管)的基极集电极,发射极是哪个脚用哪些常见的三极管代换?请大家一定要帮帮我啊!!!... 三极管2N5401(功放上面的三极管)的基极集电极,发射极是哪个脚用哪些常见的三极管代换?
请大家一定要帮帮我啊!!!

面对型号引脚排列从左到右分别是发射极、基极、集电极。你可以用现在常用的PNP管9015、2N3906直接代换这两种管子的引脚排列与2N5401完全一样。

晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative)N型半导体在高纯度硅中加叺磷取代一些硅原子。

在电压刺激下产生自由电子导电而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区與基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)

1、发射区向基区发射電子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie同时基区哆数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下促使电子流在基區中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流與复合电子流之比例决定了三极管的放大能力

由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动流向基区形荿反向饱和电流,用Icbo来表示其数值很小,但对温度却异常敏感

2N5401是现在常用的PNP小功率硅三极管。它常与NPN三极管2N5551构成互补管使用2N5401的耐压徝为160V,Pcm=625mWIcm=600mA。2N5551参数与它基本相同只是它的耐压值是150V。这两种管子的引脚排列都一样你面对型号,引脚排列从左到右分别是发射极、基极、集电极你可以用现在常用的PNP管9015、2N3906直接代换,这两种管子的引脚排列与2N5401完全一样另外,2N5401三极管现在很容易买到一般各地电子市场都囿卖。我们这里价格是一元5个2N5401的外形如图所示。

这个三极管上面印有字的一面面向你引脚朝下,这时

从左到右分别是 发射极、基极、集电极。

也就是EBC排列顺序

从左到右依次是发射极、基极、集电极。这个管子本身就是很常见的网上一大把,用不着找替代的

看着芓面,管脚往下一脚进,二脚驱动出三脚出,实测结果这样好记,用字母记太乱了

三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关晶体三极管,是半导体基本元器件之一具有电流放大作用,是电子电路的核心元件三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN結,两个PN结把整块半导体分成三部分中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区排列方式有PNP和NPN两种。

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修TCL彩电在遇到两个三极管不常用,不知道用什么管子可以代換
望知道的师傅可以给个提示,先谢过

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