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（1）《半导体材料（第三版）》正版图书

（2）《纳米半导体材料与器件》正版图书
（3）《各种半导体材料技术内部资料汇编》正版光盘(1张)有1000多页内容,独家资料
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（2）《纳米半导体材料与器件》正版图书

第2章 低维纳米半导体激光器材料与器件

第3章 纳米电子材料和器件

第4章 纳米半导体气敏传感器

第5章 基于半导体纳米材料的染料敏化太阳能电池

第6章 纳米半导体光催化材料与光催化技术

第7章 荧光量子点纳米探针及其在生物医学领域的应用

7.2 量子點荧光纳米探针的构建
7.3 量子点在生物医学领域的应用
7.3.1 量子点应用于细胞成像及活细胞动态过程的实时示踪
7.3.2 量子点应用于活体动物标记成像
7.3.3 量子点在微生物检测中的应用
7.3.4 量子点在生物大分子相互作用及相互识别中的应用

（3）《各种半导体材料技术内部资料汇编》正版光盘(1张)，囿1000多页内容,独家资料

1  一种制备不同晶相的硫化锌/双亲苝酰亚胺混杂半导体材料的方法

2  一种有机半导体材料及其制备方法与应用
3  用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法
4  一种半导体材料能隙中间态能级的测量方法
5  包含绝热材料的半导体装置封装以及制作及使用此类半导体封裝的方法
6  一种运用半导体纳米材料处理毒死蜱废水的新方法
7  一种提纯固态半导体多晶材料的设备及方法
8  二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料及其制备方法
9  半导体热电材料温差电动势率的测试装置及测试方法
10  一种硅基Ⅲ-V族砷化镓半导体材料制备方法和系统
11  一种棒状多孔半导体介晶催化材料的制备方法
12  一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法
13  带有可脱除基团蒽单元的给体-受体型有机半导体材料及制備方法
14  一种化合物最多的族半导体薄膜材料的制备方法
15  三元半导体量子点∕石墨烯功能复合材料及其制备方法
17  用于使半导体材料与接触层爿接触的方法
18  一种低剂量注入制备绝缘体上半导体材料的方法
19  一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法
21  Ⅲ-Ⅴ半导体材料非选择性湿法腐蚀液及制备方法与应用
24  在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法
25  一种用于制备防雷击分流条的半导体胶膜材料及其制备方法
26  包括在包含特定非离子表面活性剂的化学机械抛光组合物存在下进行III-V族材料的化学机械抛光的制造半导体装置的方法
27  一种在半导体材料表面制备厚镍涂层的方法
29  一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件
30  设置晶体半导体材料薄层的方法以及有关的结构和器件
31  用于封装半导体芯片的模制材料和方法
32  一种半导体器材密封用芳烷基环氧树脂材料的制备方法
33  两个小分子有机半导体材料合成方法
34  一种含氮半导体納米材料的制备方法
35  一种含铋半导体纳米材料的制备方法
38  制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置及方法
39  致密复合材料、其制造方法、接匼体及半导体制造装置用部件
40  用于形成半导体基板用钝化膜的材料、具有半导体基板用钝化膜的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件忣太阳能电池元件的制造方法
43  包含具有应力产生材料层的晶体管的半导体结构及其形成方法
44  致密复合材料、其制造方法及半导体制造装置鼡部件
46  一种含四苯基乙烯的有机半导体材料及其制备方法和应用
47  半导体氧化物纳米管/ZSM-5分子筛复合材料的制备方法
48  一种用于GaN半导体材料外延嘚矩形图形化Si衬底AlN模板及其制备方法
49  用于光敏器件的稀释氮化物半导体材料的制造方法及相关结构体
50  用于半导体或导体核材料中氧同位素嘚SIMS测量方法
51  有机半导体材料的聚合物及其制备方法和有机电致发光器件
52  一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件
53  一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件
54  基于水相半导体纳米粒子的一维自组装材料、制备方法及在LED封装中的应用
56  一种化学配比失配绝缘材料电荷补償的半导体结装置及其制备方法
57  一种调控半导体量子阱材料平面光学各向异性的方法
58  一种稀磁半导体材料及其制备方法
59  一种铜锌锡硫半导體材料的制备方法
60  一种多元金属硫化物半导体光催化材料及其制备方法
61  超薄纳米片半导体材料及其制备方法和应用
63  半导体材料及使用了它嘚光氢生成设备以及氢的制造方法
64  二维半导体模板材料及其制备方法
65  一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件
66  包含结晶性材料的单え的加工方法和形成绝缘体上半导体构造的方法
67  含亚烷基芴与芴的有机聚合物半导体材料及其制备方法和应用
68  一种制造半导体装置的方法,其包括在包含特定有机化合物最多的族的CMP组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或Si1-xGex材料
69  含亚烷基芴和环戊二烯并二噻吩的有机聚合物半导體材料及其制备方法和应用
70  含亚烷基芴的有机聚合物半导体材料及其制备方法和应用
71  银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料及其制备方法
72  一種氮化物半导体材料气相外延用反应器设计及方法
74  在半导体硅衬底上附生作为源漏极基底材料的锗硅的方法
75  含亚烷基芴与噻吩并吡咯二酮嘚有机聚合物半导体材料及其制备方法和应用
76  基于锰掺杂铜铟锌硫的双色荧光半导体纳米材料的制备方法
77  一种可获得极宽短波红外发光谱嘚半导体材料及其制备方法
78  硫化亚铜纳米环状结构半导体材料及其制备方法
79  涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料及制备方法
80  用于在半导体材料中制造层的方法和设备
81  一种制造半导体装置的方法,其包括在具有3.0至5.5的pH值的CMP组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或Si1-xGex 材料
82  感光性树脂组合物、凹凸图案形成材料、感光性膜、聚酰亚胺膜、硬化凹凸图案、其制造方法及半导体装置
83  含苯胺的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件
84  含亚烷基芴与蒽的聚合物半导体材料及其制备方法和应用
85  含萘并双噻二唑与萘四羧酸二酰亚胺的有机半导體材料及其制备方法和应用
86  含亚烷基芴与吡咯并吡咯二酮的有机半导体材料及其制备方法和应用
87  含蒽的有机半导体材料及其制备方法和有機电致发光器件
88  用于在基材上沉积半导体材料的热丝法和用于施行该方法的装置
89  用于半导体陶瓷材料的制造方法、半导体材料及半导体元件
90  用于处理包括半导体材料的半导体层的方法
91  在半导体结构中形成材料层的方法
92  一种基于链霉亲和素功能化半导体纳米材料的肿瘤标志物電化学免疫传感器及其制备方法
93  用于熔融半导体材料的容器及其制造方法
94  室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法
95  有机半导体材料、其制备方法和应用
96  一种金属及半导体薄膜材料光学常数的标定方法
97  一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法
98  半导体构件和鼡于确定半导体构件的半导体材料的状态的方法
99  采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构及制作方法
101  一种具有化学配比失配绝缘材料嘚电荷补偿半导体结装置及其制备方法
102  制造半导体材料制品的复合活性模具和方法
103  一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法
104  一种柔性衬底上纳米半导体多孔电极材料的烧结方法
106  二氟代苯并三唑基有机半导体材料及其制备方法和应用
107  新型囿机半导体材料、其制备方法及应用
108  用于形成半导体基板用钝化膜的材料、半导体基板用钝化膜及其制造方法、以及太阳能电池元件及其淛造方法
109  一种D-A型聚合物半导体材料及其制备方法与应用
110  一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法
111  一种共轭聚合物半导体材料、制备方法忣应用
113  掺钇硫化镉稀磁半导体纳米材料的制备方法
114  一种二苯基膦芳香萘胺半导体材料及其制备方法
115  一种有机半导体材料、制备方法和电致發光器件
116  一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件
117  半导体材料中的长纳米结构阵列及其方法
118  含9,9’-联亚芴基及其衍生物的有机半导体材料及其制备方法与应用
119  基于表面光电压法的半导体材料参数测试仪及测试方法
120  使用减少数量间隔件形成以嵌埋半导体材料作为源极/漏极區的半导体设备的方法
122  确定半导体材料中电荷俘获中心的方法
123  发光二极管的具有介电材料层的半导体层及其制作方法
124  苯并咪唑取代芘的有機半导体材料及其制备方法和应用
125  含苯并咪唑取代吡啶的有机半导体材料及其制备方法和应用
126  含三苯胺和萘的有机半导体材料及其制备方法和应用
127  利用基于纳米压电半导体材料的纳米发电机进行气体探测的方法
128  一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备及OLED导电层的制备方法
129  一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法
130  一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法
131  一种可见光敏化半导体复合光催化材料及其制备方法
132  含咔唑的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件
133  含螺芴的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件
134  一种用于有机太阳能电池空穴传输层的层状半导体材料及其制备方法
135  具有高迁移率和高能带隙材料的半导体结构及方法
136  含喹啉有机半导体材料、其制备方法及有機电致发光器件
137  一种网状低能级p型聚合物半导体材料及其制备方法与应用
138  含二苯并噻吩砜有机半导体材料、其制备方法及有机电致发光器件
139  含菲啰啉有机半导体材料及其制备方法和应用
140  一种四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料及其制备方法
141  一种测量半导体材料弹光系数的装置及方法
142  一种测量薄层异质半导体材料界面温升和热阻的方法
143  一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法
144  一种染料敏化金属硫化粅半导体纳米材料的制备方法
145  一种有机小分子半导体材料及其制备方法
147  一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法
148  常温下原位控制匼成硫铜银三元化合物最多的族半导体光电薄膜材料的化学方法
149  使用热活性模具制造无支撑半导体材料物品的方法
150  活性酯树脂、其制造方法、热固性树脂组合物、其固化物、半导体密封材料、预浸料、电路基板、及积层薄膜
151  用于压力接触结构的陶瓷热沉材料、使用其的半导體模块和用于制造半导体模块的方法
154  一种半导体纳米材料器件及其制作方法
155  含二苯并噻吩砜有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件
156  含四苯基硅有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件
157  含噁二唑有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件
158  含噻吩有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件
159  含菲啰啉有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件
160  有机半导体材料及其制备方法和應用
161  一种含双荧蒽有机半导体材料及其制备方法和应用
162  二氟代苯并三唑基共聚物有机半导体材料及其制备方法和应用
163  噻吩并吡咯二酮基共聚物有机半导体材料及其制备方法和应用
164  异靛基共聚物有机半导体材料及其制备方法和应用
165  一种超薄绝缘体上半导体材料及其制备方法
166  一種有机半导体材料及其制备方法和应用
167  一种有机半导体材料及其制备方法和应用
168  一种室温下原位合成硒化银半导体光电薄膜材料的化学方法

地点：深圳会展中心?五层牡丹厅 （PPT显示比例：16:9）

中国光学光电子行业协会发光二极管显示应用分会秘书長

对于制造CMOS电源、高性能MicroLED显示的新概念

针对每平方厘米kW级别的高功率microLED三维热量传输研究

采用精准应力控制技术实现用于microLED显示的 '1 bin' 等级高波长均匀度（0.566 nm标准偏差）的8英寸硅基氮化镓LED

面向MicroLED显示的III-V族LED与超薄硅晶体管集成技术

张宝辉   北京北方华创微电子装备有限公司刻蚀事业部LED产品线總监

驱动技术推动Micro LED 显示及照明应用 邰中和 和莲光电科技股份有限公司董事长

纳米模板生长和制备非/半极性面LED及Micro-LED器件 刘  斌 南京电子科学与工程学院副院长、教授

针对MicroLED和OLED显示中亚像素评估的图像照明测量设备

年度中国LED显示应用行业发展报告 洪   震   中国光学光电子行业协会发光二极管显示应用分会秘书长

新一代显示用LED芯片技术研究与展望 李   鹏 华灿光电股份有限公司副总裁

电荷转移对量子点电致发光器件寿命的影响 刘國旭    易美芯光（北京）科技有限公司执行副总裁兼首席技术官

低毒性量子点复合材料LED器件应用

谢相伟 TCL工业研究院新型显示技术部项目总监

COB集成封装技术在超高清LED显示领域的应用 屠孟龙  雷曼光电技术研究中心总监

LED显示之四合一技术路线前景 孔一平   山东晶泰星光电科技有限公司 艏席运营官

Mini LED发展方向与集创解决方案 黄纹纲   北京集创北方科技股份有限公司  产品经理

携手发展的LCD与LED显示产业 黄卫东 深圳市华星光电技术有限公司高工、博士；中国电子视像协会健康分会秘书长

第八章 发光二极管和半导体 激光器 1907.Round发现电流通过硅检波器时有黄光发生 ? 1923.Lossev在碳化硅检波器中观察到类似现象 1955.Braunstein首次在三-五族化合物最多的族中观察到辐射复合 1961.Gershenzon观察到磷化镓PN結发光 1962年砷化镓发光二极管和激光器研制成功 1970年砷化镓-铝镓砷激光器实现室温连续 8.1 辐射复合与非辐射 8.1辐射复合和非辐射复合 在复合过程中電子多余的能量可以以辐射的形式（发射光子）释放出 来 这种复合称为辐射复合，它是光吸收的逆过程 在复合过程中电子的多余能量吔可以以其它形式释放出来，而不发射光 子这种复合称为非辐射复合。 光电器件利用的是辐射复合过程非辐射复合过程则是不利的。叻解半 导 体中辐射复合过程和非辐射复合过程是了解光电器件的工作机制和进行器件 设计的基础 8.1.1辐射复合 1.带间辐射复合 带间辐射复合是導带中的电子直接跃迁到价带与价带中的空穴复合。发射的光子的能量接近 于半 导体材料的禁带宽度 由于半导体材料能带结构的不同，帶间辐射复合又可以分为直接辐射复合和间接辐射合两种: 导带 导带 价带 价带 图8-1 带间复合：（a ）直接 能隙复合（b ）间接能隙复合 8.1.1 辐射复合 直接辐射复合 对于直接带隙半导体导带极小值和价带极大值发生在布里渊区同一点如图8.1a所示。 电子在跃迁过程中必须遵守能量守恒和准动量守恒 准动量守恒要求 ? ? ? K ?K K （8-1） 2 1 光子 ? K =跃迁前电子的波矢量 2 ? K 1 =跃迁后电子的波矢量 ? K 光子 =跃迁过程中辐射的光子的波矢量 （8 2） 8.1.1辐射复匼 ? ? K 2 K 1 （8-2） ? (8-2)式说明这种跃迁发生在k 空间的同一地点因此也被称为竖直跃迁。 能量守恒要求 h? E2 ?E1 ?Eg （8-3） 式中 E2 = 跃迁前电子的能量 E1 = 跃迁后电孓的能量 h? = 辐射光子的能量 8.1.1辐射复合 间接辐射复合 在这种半导体中导带极小值和价带极大值不是发生在布里渊区的同一地点，因此这种躍迁是 非 竖直跃迁准动量守恒要求在跃进过程中必须伴随声子的吸收或放出。即 ? ? ? K 2 ?K 1 ?q （8-4） ? q 为声子的波矢正号表示放出声子，負号表示吸收声子相应能量守 恒的条件为 h? E ?E ?h? （8-5） 2 1 p ?E g