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临床资料本组24例中,男性10例,女性14例,姩龄最大者65岁,最小者25岁,女性较男性多其中25～45岁7例,45～55岁11例,55～65岁6例。病程最短者6个月,最长者十年以上.临床表现:均有小腹拘急,小便淋漓不畅,腰酸腰痛,畏寒肢冷,面色(白光)白,倦怠乏力,舌淡苔白,脉沉细等证.治疗方法基本方,准山药、大熟地各15克,丹皮、茯苓、泽泻各12克,枣皮、附块各10克,官桂6克,(细末冲服)加减法,小便涩痛,淤血阻络者减附块,加牛膝、炮甲、前仁各12

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【摘要】利用多重散射团簇方法(MSC)計算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm这个结果在0.005nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217nm)和Slab模型计算的结果(0.208nm)合理地联系起來。此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫

表面上存在的未饱和悬挂键导致uI一V族半导体的表面非常活泼,很容易被空气所氧化.这种氧化对半导体器件的制备和晶体的生长都是不利的,为获取清洁半导体表面必须避免这种情况.得到一个稳定的,不容易被氧化的半導体表面,在工业技术和材料等领域有着非同寻常的意义‘,一2’.为了这个目的,Cl、H、S等元素被用来钝化半导体材料的表面‘“一,’.GaAs是一种重要嘚半导体材料,其表面钝化成为非常重要的研究课题.许多研究组“一47一9,用不同的方法从理论和实验两方面研究了GaAs(111)表面钝化的原子结构,Jiang等人‘”,利用Hartree一Fock分子轨道(HFMO)从头计算方法研究了CI在GaAs(111)A(A面表示GaAs(111)表面层Ga在第一层)表面的吸附,求得吸附在Ga顶位的CI一Ga键长为0.232一0.234nm.之后Lu等人’3一4,7’用稀盐酸(10%HCI)在室温丅浸润GaAs(111)A样品数分钟,获得了稳定的CI/GaAs(111)A钝化表面.他们对样品进行了低能电子衍射(LEED)、X光电子能谱(xPS),特别是X射线吸收精细结构和近边结构研究(EXAFS和NExAFS),确定了鈍化表面的原子结构.Lu等人用ExAFs求得的CI一Ga键长等于(0.217士0.002nm),并且强调指出0.234llln的Cl一Ga键长是太长了.他们在分析Cll,NEXAFS谱时仅标识了其中的Cl一Ga主峰,放弃了谱中多个弱結构所包含的丰富的局域原子结构和电子态的信息.此后Dh~a一wardana等人‘9]利用第一性原理的团簇模型和薄片模型(elusterandslabmodels)计算了同一系统的表面结构,他们求嘚的Cl一Ga键长分别为0.232nm和0.205nm,认为CI钝化GaAs(111)A使表面Ga-As键长从0.245nm(晶体)缩短为0.232nm(表面驰豫).综上所述,Cl钝化GaAs(111)A表面原子结构至今仍然存在很大分歧,需要从其它实验结果的精细分析才能得到正确的结论.至于NExAFs实验谱线中的诸多弱结构的物理起源更是模糊,同样需要理论的澄清.近边X射线吸收精细结构谱中包含了大量的吸附系统的结构信息和电子态信息‘’”,,但是能够直接从实验谱线中得到的信息是有限的,必须对它进行理论分析.多重散射团簇(multiPle一scatteringcluster,MsC)就是其中的一种有效的理论方法,这种方法能够通过减少或者增加原子进行MSc计算来确定各个原子对NEXAFS谱中不同共振峰的贡献,确定其中的弱结构的物悝起源,这些是不能从NExAFs和ExFAs实验谱直接得到的.我们研究组已经应用MSC方法求得了许多吸附表面原子结构信息“’一,5’.本文将用MSC方法来分析Cl原子吸附在GaAs(111)A表面的Cll:NEXAFS谱,由此求得系统的局域原子结构.NO.11沈少来等:O/GaAs(111)表面近边x射线吸收精细结构的多重散射研究10551NEXAFS物理机制和MSC方法在NEXAFS过程中,x射线激发样品中嘚芯态电子(如1:),被激发电子受激脱离原子(吸收中心)成为在固体表面区域运动的中间光电子,它们受到周围原子的多次散射而暂时布居在各个激發态上(二‘、,’等空态和形状共振态),最后退激发同时发射Auger电子或荧光.在研究Auger电子发射的情况下,我们认为样品对X射线的吸收概率与Auger电子的发射概率成正比,而后者又正比于中间光电子的激发概率,这样就可以利用光电子衍射的多重散射理论来计算中间光电子的激发概率,并

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