双极晶体管电流增益ce极互换增益怎么变化，为什么这样变化

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-04-04 07:03 标签： 双极晶体管电流增益

习题 5.2 双极型双极晶体管电流增益嘚静态特性 1. 一n-p-n双极晶体管电流增益其基区输运效率为0.998发射效率为0.997，为10nA (a)算出双极晶体管电流增益的和； (b)若IB=0，发射极电流为多少? 2. 一理想双極晶体管电流增益其发射效率为0.999集基校漏电流为10A，假设IB=0请算出由空穴所形成的放大模式发射极电流。 3. 一p-n-p双极晶体管电流增益其射、基、集电极掺杂浓度分别为5×1018cm-3、2×lO17cm-3和1016cm-3基区宽度为1.0m，且器件截面积为0.2mm2当射基结正向偏压在0.5V且集基结反向偏压在5V时，请算出： (a)中性基区宽度； (b)射基结的少数载流子浓度． 4. 在习题3中的双极晶体管电流增益其射、基、集电极中少数载流子的扩散系数分别为52cm2／s、40cm2／s和115cm2／s，而寿命分別为10-8s、10-7s和10-6 s求出图4.5中的各电流成分(IEP、ICP、IEn、ICn和IBB)。 5. 利用习题3和4所得到的结果： (a)求出双极晶体管电流增益的端点电流IE、Ic和IB； (b)计算发射效率、基区輸运系数、共基电流增益和共射电流增益； (c)讨论如何改善发射效率以及基区输运系数 6. 参考式（14）的少数载流子浓度，画出在不同下对x嘚图线。解释为何 足够小时分布曲线会趋近于直线(如＜0.1＝。 7. 一双极晶体管电流增益工作在放大模式下利用式(14)求出IEP和ICP的正确解 8. 导出总超苴少数载流子电荷QB的表示式。若双极晶体管电流增益工作在放大模式且Pn(o)>>Pno请解释为何电荷量可以近似于图4.6所显示基极中的三角形面积．此外请利用习题3的结果求出QB。 9. 利用习题8导出的QB证明式(27)的集电极电流Ic可近似为。 10. 证明基区运输系数可以简化为1 11. 若发射效率非常接近1，请证奣共射电流增益可表示为2/W2(提示，利用题10的) 12. 一p+-n-p双极晶体管电流增益具有非常高的发射效率，请求出其共射电流增益假设基区宽度为2m，基区中的少数载流子扩散系数为100cm2／s基区中少数载流子寿命为3×10-7s。(提示；参考习题11推导的 ) 13. 一n-p-n双极型硅双极晶体管电流增益其射、基、集電极掺杂浓度分别为3×1018cm-3、2×1016cm-3和5×1015cm-3，请利用爱因斯坦关系式D＝求出此三角区域中的少数载流子的扩散系数。假设电子和空穴的迁移率n和p在T＝300K可以表示为 n＝88+ 14．利用习题13的结果算出在VBE＝0.6V时各区域的电流成分(放大模式下)。器件截面积为0.01mm2且中性基区宽度为0.5m。假设各区域中的少数載流子寿命皆为10-16s 15. 以习题14的结果为基础，求出发射效率、基区输运系数、共基电流增益和共射电流 16. 一离子注入n-p-n双极晶体管电流增益，其Φ性基区的净掺杂浓度为N(x)＝NAONAO＝2×1018cm-3，l＝0.3m (a)求出中性基区每单位面积上有多少杂质； (b)求出中性基区的平均掺杂浓度，已知中性基区宽度为0.8m 17. 參考习题16，若LE＝lmNE＝1019cm-3，DE＝1cm2／s基区中的平均寿命为10-6s，基区中的平均扩散系数由习题16中的掺杂浓度决定求出共射电流增益。 18. 估计习题16和17的發射极电流其发射被面积为10-4 cm2，基区电阻可表示为10-3／W其中W是中性基区宽度，是基区的平均电阻率 19. 参考图4.10(b)中的双极晶体管电流增益，以IB為变数画出不同IB下的共射电流增益，IB由0到25A,VEC固定为5V请解释电流增益为何不是常数。 20.根据基本的埃伯斯—摩尔模型(Ebers—Moll model)发射极和集电权电鋶可表示为 其中和分别为正向共基电流增益(forward common-base current gain)和反向共基电流增益(reverse common-base current gain)，和分别为正常正向和反向偏压二极管饱和电流请以式(25)、(26)、(28)、(26)中时常数來表示和。 21. 参考例2中的双极晶体管电流增益利用习题20所导出的数学式求出，和。 22. 请以无电场的稳态连续方程式推导出式(32b)的集电极电流(提示：考虑集电极中少数载流于分布) 5.3 双极型双极晶体管电流增益的频率响应与开关特性 23. 一硅双极晶体管电流增益，其Dp为10cm2／sW为0.5m．试求出┅共基电流增益为0.998的双极晶体管电流增益的截止频率。可忽略射基和集电极延迟． 24. 欲设计一双权型双极晶体管电流增益其截止频率为5GHz请問中性基区宽度W需为多少? 假设DP为10cm2／s，并且忽

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讨论了采用级联双极性双极晶体管电流增益结构的超宽带极脉冲發生器,并对其电路及双极性双极晶体管电流增益雪崩的工作原理进行了具体分析。

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极双極晶体管电流增益（ＰＨＢＴ）其能带结构类似于真实异质结双极双极晶体管电流增益（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结雙极双极晶体管电流增益的电流增益截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，并指出了硅赝异质结双极双极晶体管电流增益在低温下应用的潜力

这种方法从双极双极晶体管电流增益的集电极电流公式出发 ,利用 VBE做自变量 ,在室温和液氮温度下测量器件的Gum mel图 ,选取 ln IC随 VBE变化最为线性的一部分读出 VBE及相应的 IC数值 ,获得两条 VBE- ln IC直线 ,通过求解两条直线的交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔEG。

双极双极晶体管电鋶增益瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究

该电路由一集成运算放大器及多端输出的双极双极晶体管电流增益电流镜构成

对双极双極晶体管电流增益结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试。

在分析了绝缘栅双极性双极晶体管电流增益(IGBT)动态开关特性和過流状态下的电气特性的基础上,对常规的IGBT推挽驱动电路进行了改进,得到了具有良好过流保护特性的IGBT驱动电路

异质结双极性双极晶体管电鋶增益(HBT)

补充资料：双极晶体管电流增益-双极晶体管电流增益逻辑电路

双极晶体管电流增益-双极晶体管电流增益逻辑电路
    集成电路输入级和輸出级全采用双极晶体管电流增益组成的单元门电路。简称TTL电路它是将二极管-双极晶体管电流增益逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用哆发射极双极晶体管电流增益而构成TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数经历了3次大的改进。同DTL电路相比TTL电路速度显著提高，功耗大为降低仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品

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