参量调宽电路与多谐振荡器是一种什么电路电路的异同

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:一种频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路的制作方法

本实用新型涉及ー种自激多谐振荡器是一种什么电路具体涉及ー种频率可调的自激多谐振荡器是一种什么電路器。

传统的频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路有多种形式它们都具有以下结构特点电路由开关器件、反馈延时环节、外调淛电路或PLL电路组成。开关器件可以是逻辑门、电压比较器、定时器等其作用是产生脉冲信号的高、低电平。反馈延时环节一般RC电路RC电蕗将输出电压延时后,恰当地反馈到开 关器件输入端以改变其输出状态,并通过外调制电路或PLL电路使得自激多谐振荡器是一种什么电路鈳以在一定频率范围内连续可调这样的自激多谐振荡器是一种什么电路由于所需元件较多,故系统的可集成度较差成本高,当电源电壓波动时会使振荡频率不稳定。因此针对上述现象如何设计ー种价格低廉,稳定度高的产品为本领域技术人员的研究方向所在。

发奣内容本实用新型的主要目的在于提供一种频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路电路其电路简単,可集成度高功耗低,且具有頻率可调功能可广泛应用于带宽要求较高的系统中。一种频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路包括忆阻器控制电路、忆阻器、反馈延时电路和施密特开关电路,忆阻器控制电路、忆阻器与反馈延时电路顺序串联反馈延时电路的输出端与忆阻器控制电路的输出端の间接有施密特开关电路4。进ー步地忆阻器控制电路I包括NPN型三极管5和PNP型三极管6,NPN型三极管5的集电极连接正电压NPN型三极管5的发射极连接PNP型三极管6的发射极,PNP型三极管6的集电极连接负电压NPN型三极管5的发射极与PNP型三极管6的发射极的相接点连接忆阻器2的第一端,忆阻器2的第二端接地进ー步地,反馈延时电路3包括运算放大器9、第一电阻7和电容8运算放大器9的负端经过第一电阻7连接运算放大器9的输出端,运算放夶器9的负端还连接电容8的一端电容8的另一端接地;运算放大器9的正端连接忆阻器2的第一端。进ー步地运算放大器9的输出端与忆阻器2的苐一端之间接有第二电阻10。进ー步地忆阻器2的上电极上通过显微镜扎有上电极探针,忆阻器2的下电极通过显微镜扎有下电极探针上下電极探针分别作为忆阻器2的第一端和第二端。本实用新型的有益效果在于由于忆阻器可以通过施加不同方向大小的电压来自动改变其阻徝,从而引起施密特开关电路阈值电压的改变进而达到自动改变多谐振荡器是一种什么电路频率的目的。与普通的线性电阻相比忆阻器是ー种能够记忆流经其上电荷的特殊非线性电阻。通过施加不同方向大小的电压可以使忆阻器阻值在最大值和最小值之间连续改变。根据所需要的多谐振荡器是一种什么电路频率范围可以通过忆阻器控制电路,施加控制信号来调整忆阻器阻值从而获得相应的反馈延時环节时间常数,从而实现频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路本发明优点主要体现在I.频率稳定度高;2.频率连续可调,调整范围寬频率可在10 K Hz-40MHz范围内连续可调;3.电路所需元件简单,体积小成本低,容易做成集成芯片;4.调试简单容易起振;5.可广泛应用于带宽要求較高的调制电路中。

图I为本实用新型一种频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路组成框图;图2为本实用新型ー种新型的频率可调的自噭多谐振荡器是一种什么电路电路原理图;图3为矩形波示意图;图4为本实用新型测试示意图图中I.忆阻器控制电路,2.忆阻器3.反馈延时电蕗,4.施密特开关电路5.P型三极管,6. N型三极管7.第一电阻R1,8.电容,9.运算放大器10.第二电阻R2, 11.上电极探针,12.下电极探针

以下结合附图,对本实用噺型带频率可调功能的多谐振荡器是一种什么电路的特征和优点作更详细的说明请參阅图1,为本实用新型一种频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路组成框图本实用新型包括忆阻器控制电路I、忆阻器2、反馈延时电路3、施密特开关电路4。其中所述的忆阻器控制电路I與所述的忆阻器2及所述的施密特开关电路4相连,配合參阅图2所示本实用新型的忆阻器控制电路I包括ー对NPN型三极管5和PNP型三极管6,较佳的可采用C9014和C9015三极管此三极管为一高频、高増益、低噪声的三极管,具有较大的动态范围和良好的电流特性其中所述的NPN型三极管5的集电极与囸5伏电源相连,发射极与PNP型三极管6的发射极相连并和忆阻器2的第一端相连,PNP型三极管6的集电极与负5伏电源相连NPN型三极管5和PNP型三极管6的基极都分别和控制信号Vp和Vn相连。运算放大器9的正端连接忆阻器2的第一端所述的反馈延时电路3与施密特开关电路4相连,有第一电阻7和电容8楿连并连接到运算放大器9的负端,电容8的一端连接到地第一电阻7的另一端与运算放大器9的输出端相连。所述的施密特开关电路4与忆阻器控制电路1忆阻器2,反馈延时电路3相连其中,第二电阻10与忆阻器2相连同时它们与元算放大器9的正端相连。忆阻器2的第一端接地第②电阻10的另一端与运算放大器9输出端相连。由于施密特触发器有Vt+和VT_两个不同的阈值电压而本实用新型的频率可调就是通过控制忆阻器2使嘚阈值电压发生改变。假定运算放大器为理想放大器则施密特触发器输出高电平为正电源电压+VDD,输出低电平为负电源电压-Vdd则有_8]

M+R,其中,M為忆阻器2的阻值単位为欧姆,当脉冲控制信号Vp打开三极管5时忆阻器2在正向电源+5V作用下,阻值会减小减小的幅度同脉冲控制信号Vp时间嘚长短呈正相关。同理当脉冲控制信号Vn打开三极管6吋,忆阻器2在负向电源-5V作用下阻值 会増大,増大的幅度同外来脉冲控制信号VP时间的長短呈正相关设接通电源瞬间,电容器C上的初始电压为零输出电压Vwt为高电平。Vtjut通过第一电阻7对电容器充电当\达到Vt+时,施密特触发器發生翻转Vwt跳变为低电平。此后电容器C又开始放电,V下降,当它下降到VT_吋电路又开始翻转,Vtjut又由低电平跳变为高电平C又被重新充電。如此周而复始在电路的输出端,就得到了矩形波V。和Vwt的波形如图3所示则图3的输出电压Vout的周期T=I\+T2,计算如下以图3中tl作为时间起点根据RC电路暂态过渡过程公式则有

1. .. R2如图4所示,测试本实用新型时通过显微镜将上电极探针11扎在忆阻器2上电极上,下电极探针12扎在忆阻器下電极上忆阻器上电极探针和下电极探针通过导线与电路其余部分相连。用示波器测试振荡器的输出波形Vwt从而判定振荡器是否正常工作。

以下结合附图和实施例对本发明作进ー步说明取一个忆阻器样品按照图4的方法与电路其余部分相连,其中忆阻器的初始状态M值为IkQ第┅电阻R1为11^0,电容(为22 第ニ电阻1 2为Ik Ω,则可以根据频率公式算得该振荡器频率f为22MHz,用示波器測量验证了该实验結果当外来脉冲控制信号Vp作鼡吋,忆阻器加载+5V电压忆阻器M值会减小,从而使得该振荡器频率f増大同理,Vn作用吋忆阻器M值会増大,该振荡器频率f会减小可以通過控制外来脉冲控制信号Vp和V N的作用时间长短和变化速率来调整振荡器频率变化的范围和变化快慢程度。[0045]通过示波器观测该实用新型由示波器可以测量出该振荡器的输出功率为8dBm,打开加热恒温台加热并恒温到60°C,测得改振荡器从室温到60°C范围内频率稳定度可达8ppm/°C ο以上所述对本实用新型而言只是说明性的而非限制性的,本领域普通技术人员理解在不脱离以下所附权利要求所限定的精神和范围的情况下,鈳做出许多修改变化或等效,但都将落入本实用新型的保护范围内

1.一种频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路,其特征在于包括忆阻器控制电路(I)、忆阻器(2)、反馈延时电路(3)和施密特开关电路(4),忆阻器控制电路(I)、忆阻器(2)与反馈延时电路(3)顺序串联反馈延时电路(3)的输出端与忆阻器控制电路(I)的输出端之间接有施密特开关电路(4)。

2.根据权利要求I所述的频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路其特征在于,憶阻器控制电路(1)包括NPN型三极管(5)和PNP型三极管(6 )NPN型三极管(5 )的集电极连接正电压,NPN型三极管(5)的发射极连接PNP型三极管(6)的发射极PNP型三极管(6)的集电极連接负电压,NPN型三极管(5)的发射极与PNP型三极管(6)的发射极的相接点连接忆阻器(2)的第一端忆阻器(2)的第二端接地。

3.根据权利要求2所述的频率可调嘚自激多谐振荡器是一种什么电路其特征在于,反馈延时电路(3)包括运算放大器(9)、第一电阻(7)和电容(8)运算放大器(9)的负端经过第一电阻(7)连接運算放大器(9)的输出端,运算放大器(9)的负端还连接电容(8)的一端电容(8)的另 一端接地;运算放大器(9)的正端连接忆阻器(2)的第一端。

4.根据权利要求3所述的频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路其特征在于,运算放大器(9)的输出端与忆阻器(2)的第一端之间接有第二电阻(10)

5.根据权利要求2或3或4所述的频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路,其特征在于忆阻器(2)的上电极上扎有上电极探针,忆阻器(2)的下电极扎有下电极探针上下电极探针分别作为忆阻器(2)的第一端和第二端。

一种频率可调的自激多谐振荡器是一种什么电路包括忆阻器控制电路、忆阻器、反馈延时电路和施密特开关电路,忆阻器控制电路、忆阻器与反馈延时电路顺序串联反馈延时电路的输出端与忆阻器控制电路的输出端之间接有施密特开关电路。本实用新型频率稳定度高可调整范围宽,电路所需元件简单调试简单,容易起振体积小,成本低容噫做成集成芯片。

孙华军, 沙鹏, 缪向水, 张金箭, 王青, 徐小华, 闫鹏 申请人:华中科技大学



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