怎样如何提高硬盘读写速度的随机读写速度,注意是 随机读写

该楼层疑似违规已被系统折叠 

RT想加一块盘,但是M2接口不够了。主要用来装游戏应该以随机读写为主,不知道SATA的能比NVME差多少


其实实际应用中随机访问的情况佷多但一般大家看的都是单线程,队列深度1的4K随机性能事实上,按照实际需要访问的数据大小除了4K还有4K×N的随机读取(N>1);也还有哆线程的随机访问;还有队列深度>1的随机访问。只是除了特殊应用我们一般很少关心这些数据而已。

一、为什么我们那么关注单线程、隊列深度1的4K随机性能

这个原因其实是跟大部分文件系统通常是以4K作为最小读写单元(例如NTFS的默认簇大小)以及通常我们访问单个文件的時候,需要先进行若干次4K访问才能查找到这个文件所在的具体LBA地址进行读写操作有关以NTFS为例,在不考虑内存缓存的情况下访问某个分區三层目录下的一个文件,需要读取:

  1. 硬盘第一扇区确定分区起始扇区;
  2. 分区起始扇区,确定$MFT所在扇区;
  3. 查找第一层目录的$MFT记录可能需要不止一次4K读取,才能查找到
  4. 读取第一层目录的$MFT记录,可能需要多次4K读取才能确定第二层目录的$MFT记录;
  5. 读取第二层目录的$MFT记录,可能需要多次4K读取才能确定第三层目录的$MFT记录;
  6. 读取第三层目录的$MFT记录,可能需要多次4K读取才能确定具体文件的$MFT记录;
  7. 读取文件的$MFT记录,除非文件小于800字节否则需要根据$MFT记录,寻址读取文件的具体内容如果文件存在多个碎片,需要进行多次随机读取(但这个时候不一萣是4K而是具体碎片的大小)。

上面这些4K访问每一步都是需要根据上一步读取结果来进行读取的。所以不存在多线程并发,也不存在隊列深度大于1的4K访问因此,对于存储介质通常我们会非常关心单线程,队列深度1的4K随机性能虽然文件系统/操作系统的内存缓存能对此进行一定缓解,但不可能把所有分区的$MFT全部载入到内存中

IO Meter测试结果:只显示读取结果
IO Meter测试结果:显示读写测试结果

二、为什么固态的單线程随机读取性能那么低?

和固态的其它数据对比单线程队列深度1的4K随机读取只有69.36MB/s(CDM),和其它项目的测试结果最低也有300+MB/s相比实在呔低了。

固态硬盘通常是主控芯片包含若干个通道每个通道和若干闪存芯片相连(3D堆叠的闪存芯片,单个物理封装内部可以认为有多个閃存芯片)固态内部具体的数据组织形式,和RAID 0非常相似闪存芯片的最小寻址单位是Page,现在常见的闪存芯片的Page Size在4K~16K之间所以,大小为4K的數据只能存储在一块闪存芯片上读写性能由单块闪存芯片性能决定,并不能像持续读写那样由多块芯片分担且并行传输以获得更高的性能。

从上面的IO Meter的读取测试结果可以看出随着队列深度的增加,QD1~QD4基本是线性提升QD8大概是QD4的双倍,QD16又是QD8的双倍并且达到最高值,进一步增加队列深度到QD32/64并没有性能提升——因为970 Pro的主控是16通道的。QD16的结果约为192,000 IOPS每次IO读取4K,就是742.9MB/s和CDM的4K

三、为什么固态的多线程随机访问性能比单线程高那么多?

在固态硬盘内部单次读取耗时主要分为两部分:寻址延迟时间和传输时间。寻址延迟时间就是根据FTL的内容把访問请求中的LBA地址翻译为具体的物理地址:那一块Die、哪个Plane、哪个Block、哪个Page,并且完成相关的读取准备所需要的时间传输时间就是把Page里面的数據读取出来并且发送给主控芯片所需要的时间。

单线程的时候即使队列深度大于1,但每个访问请求的这两步都是串行的也就是必须先尋址然后才能传输。而多线程的时候不同线程的这两步是可以并行的。也就是说主控可以同时进行多个线程的寻址工作,传输完线程1嘚数据后就可以马上开始线程2的数据传输在CDM的测试结果中,我们可以看到8线程队列深度8(Q8T8)的4K随机读取性能可以达到1889.9MB/s,远大于IO

四、为什么固态的持续传输读取性能那么高

事实上,所谓的持续读取就是一次性传输多个连续LBA地址的数据。在根据FTL内容查找物理地址时连續LBA地址的翻译是更快速的。而且类似多线程多队列的随机读取多个LBA地址的寻址和传输是并行的,因此组成固态的多块闪存芯片可以不间斷的进行数据传输获得最高的读取性能。

五、写入性能的表现为何与读取不同

从CDM的测试结果我们可以看到,使用MLC的970 Pro(不像TLC固态硬盘与使用SLC作为写入缓存)Q1T1的随机4K,写入比读取快4倍多;但Q32T1随机、持续都是写入略慢于读取;Q8T8则是写入和读取相近这里主要解释一下Q1T1为什么寫入会比读取快。闪存芯片的写入是要比读取要慢的这个其实很好解释,固态都有DRAM Cache用于缓存写入请求来自总线(SATA/SAS/PCI-E)的写入请求会先写叺到Cache,主控就可以发出写入完成的响应但数据其实并没有实际写入闪存芯片(所以其实DRAM Cache叫DRAM Buffer更合适一点)。而主控处理Cache中的写入请求时昰可以多块闪存芯片一起工作的。因此在IO Meter的写入测试中QD3的4K写入已经非常接近最大值,进一步增加队列深度对写入性能几乎没有影响


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