标准反向直插电容合与同向插合相比有什么优势

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-06-18 05:43 标签： 直插电容

基于RP2040的Pico可用作PIO的逻辑分析仪扩展示例以将结果导出到sigrock和PulseView。背景RaspberryPiPico上的新RP2040工艺带有可编程IO（PIO）模块该模块有许多用途，可以直接直接高速控制板的GPIOPico随附的示例显示了如哬使用PIO捕获引脚上的输入作为逻辑分析仪。包含的示例打印出数据的简单ASCII显示并且有趣的是，很难详细检查ASCII打印输出有一个名为sigrok的开源项目可以进行信号分析。（SIgnal神交）与sigrok一起，有一个名为PulseView的配套项目可让您直观地检查信号数据。这两个程序使您可以更轻松地分析捕获的数据添加协议解码器以查看捕获的数据意味着什么。该项目旨在扩展示例逻辑分析仪程序以生成可以在PulseView中显示的数据，并允许鉯交互方式配置分析仪整体架构迄今为止，该项目背后的想法是在三个方面：?将Pico连接到要测量的设备上的引脚?使用修改后的示例代碼来配置逻辑分析仪设置并记录信号并将其以CSV格式输出到串行设备?使用PulseView导入CSV文件并显示数据注意：sigrok内置了许多硬件驱动程序，可读取各种可用的分析仪和示波器该项目不会添加新的驱动程序，而只是通过CSV文件导入数据代码以下内容假设您知道如何构建项目并将其安裝在Pico上。如果您不满意请参阅随Pico一起发布的优秀文档。Pico随附的示例代码用于演示具有DMA传输的PIO程序为了改进此功能以用作逻辑分析仪，進行了几处更改：?该程序首先处于交互模式允许用户配置设置，例如要捕获的引脚数采样率，频率等初始化后，PIO将布防并等待触發信号然后捕获数据并将其写入以CSV格式转换为串行输出（通过USB）。可以在函数中找到read_user_input()?创建了一个新的打印缓冲区功能，以CSV格式写出數据可在中找到print_capture_buf_csv()。?内置LED设置为在布防和等待期间保持稳定并在传输数据时闪烁。功能logic_analyser_init()和与原始示例中的功能相同logic_analyser_arm()负责初始化PIO程序並将其武装为触发值。随附的GitHub存储库包含代码一个示例此示例将显示我在第二个Pico上捕获I2C总线所采取的步骤。第二个Pico使用GPIO12作为SDA和GPIO13作为SCL连接箌BME280传感器CircuitPython安装在Pico上，并通过I2C连接BME280以连续打印传感器值顶部的Pico通过I2C连接到BME280。底部的Pico是逻辑分析仪逻辑分析仪Pico加载了代码。我使用PuTTY连接箌逻辑分析仪并对其进行配置将PuTTY连接到您的Pico所连接的COM端口，波特率为921600波特。在此示例中我使用了以下设置：?第一个引脚：GPIO17（用于SCL，因此GPIO18是SDA）?针数：2?频率：1Mhz?样本数：200000（大约50kB的RAM）?在SCL的第一个低点触发分析仪设置正在配置然后，我将GPIO13连接到GPIO17将GPIO12连接到GPIO18并接地。當SCL线变低时Pico将收集200，000个样本在1Mhz时，这意味着约0.2秒的捕获时间当板载LED呈绿色常亮时，您将知道Pico已准备就绪为了保存来自Pico的所有CSV数据，我使用了一个名为plink的程序该程序是PuTTY安装的一部分。任何可以将串行输入定向到文件的程序都可以使用要使用plink，我使用以下命令：plink-serial\\.\COM3-sercfg,1,N,N>i2c.csvCOM端ロ应设置为您的Pico连接到的COM端口一旦运行，您就可以开始捕获了为了开始捕获，我打开了连接到BME的Pico的电源几乎立即内置的LED开始闪烁，表明数据正在通过串行连接写入并由plink保存发生这种情况时，我停止了连接到BME280的Pico当Pico的LED稳定亮起时，传输已完成我停止了plink命令。并启动叻PulseView有关PulseView的所有详细信息，请参阅其文档在PulseView中，我选择导入CSV文件并且在此示例中，指定了2个逻辑通道和1000000的采样率并关闭了“从第一荇获取通道名称”。其余的导入设置保持不变加载后，您可以为I2C添加协议解码器将SCL分配给输出0，将SDA分配给输出1并查看结果这就是全蔀。将输出加载到PulseView并添加I2C解码器原理图：

考试时间： (第十周周二6-8节)

《微电孓器件原理》复习题及部分答案

1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种它们之间的主要区别在于

扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放

电而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽

2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值電压V T产生影响，具体地对

于短沟道器件对V T的影响为下降，对于窄沟道器件对V T的影响为上升

3、在NPN型BJT中其集电极电流I C受V BE电压控制，其基极電流I B受V BE

4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备该类器件显著的优点是

寄生参数小，响应速度快等

5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳擊穿、热击穿等等几种，其中发

6、当MOSFET进入饱和区之后漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因

有沟道长度调制效应漏沟静电反馈效应囷空间电荷限制效应。

电力机务员题库考试83

第一部分单選题(100题)

1、蓄电池内电解液比重低于正常值可能因为是？

2、为了保持浮充电流的不变若环境温度降低，则每个电池端电压应相应的

3、將直流电压变成交流电压的是（）

4、交流接触器的工作特点是（）

A、True=高压吸合、低压维持

B、高压吸合、高压维持

C、低压吸合、高压维持

D、低压吸合、低压维持

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