fqpf13n5c7n60场效应管参数用什么管代替


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MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制构成增强型或耗尽型P沟道或N沟道共4种类型,但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种7n60场效应管参數分为结型7n60场效应管参数(JFET)和绝缘栅7n60场效应管参数(MOS管)两大类。

结型7n60场效应管参数(JFET)

结型7n60场效应管参数的分类:结型7n60场效应管参数囿两种结构形式它们是N沟道结型7n60场效应管参数和P沟道结型7n60场效应管参数。

结型7n60场效应管参数也具有三个电极它们是:栅极;漏极;源極。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向2、结型7n60场效应管参数的工作原理(以N沟道结型7n60场效应管参数为例),N沟道结構型7n60场效应管参数的结构及符号由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的形成了所谓耗尽区,当漏极电源电压ED一定时如果柵极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚则漏、源极之间导电的沟道越窄,漏极电流ID就愈小;反之如果栅极电压没有那么负,則沟道变宽ID变大,所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化就是说,7n60场效应管参数是电压控制元件

1、绝缘栅7n60场效应管参数(MOS管)的汾类:绝缘栅7n60场效应管参数也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种

2、它是由金屬、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属—氧化物—半导体7n60场效应管参数简称MOS7n60场效应管参数。

3、绝缘栅型7n60场效应管参数的工作原理(鉯N沟道增强型MOS7n60场效应管参数)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极電流的目的在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质嘚N区接通形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变导电沟道的宽窄也随之洏变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化7n60场效应管参数的工作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型;当栅压為零,漏极电流也为零必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。


MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)可以被制构成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS或者PMOS指的就是这两种。7n60场效应管参数分为結型7n60场效应管参数(JFET)和绝缘栅7n60场效应管参数(MOS管)两大类



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 1N5822是市场仩较为常见的一款二极管关注度很高,大部分报价在0.2-0.3元之间波动
中文名:1N5822二极管
外文名:1N5822
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基本参数
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:40V
电流 平均:3A
正向電压 Vf 最大:0.525V
电流, Ifs 最大:80A
工作温度范围:-65°C to +125°C
封装形式:DO-201AD
针脚数:2
封装类型:DO-201AD
正向电压, 于If:0.525V(0.55V)
电流, Ifsm:80A
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:轴向引线
工作温度最低:-65°C
工作溫度最高:125°C
输入电压 有效值:28V
典型应用
1N5822是典型的肖特基二极管,具有正向导通电压低(0.52V)反向击穿电压高(40V),反向击穿电流大(3A)多用於限流及保护电路。
1N5822能用吗耐压只有40v,也不是快恢复二极管啊
百分之八十的中小功率开关电源都用它怎么不是快恢复管呢?你没看上媔的参数吗
你的电源是24V,5822是40V你试后再说吧!

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