想用三极管或场效应管保护电路弄一个电路

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-08-06 02:38 标签： 场效应管保护电路

本申请公开了一种以MOS管为高端开關的电路的输出短路保护电路,所述以MOS管为高端开关的电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管T1、稳压二极管D1和MOS管Q1；所述输出短路保护电蕗包括第三电阻R3、第四电阻R4、第二三极管T2、第三三极管T3和电容C1；C1的一端接地,另一端分别与R3和R4的一端连接；R3的另一端接于T2的基极,R4的另一端接於T1的集电极；T2的集电极接于D1的阳极,发射极接于T3的集电极；T3的基极接于Q1的漏极；T3的发射极接于Q1的源极本申请通过三极管、电阻和电容组成保护电路,当输出端短路接地时,将MOS管关闭,避免了MOS管被烧毁,解决了现有技术的问题。

1.一种以MOS管为高端开关的电路的输出短路保护电路其特征茬于，所述以MOS管为高端开关的电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管T1、稳压二极管D1和MOS管Q1；所述第一电阻R1的一端作为输入端另一端与所述第一三极管T1的基极连接；所述第一三极管T1的发射极接地，所述第一三极管T1的集电极通过所述第二电阻R2分别与所述稳压二极管D1的阳极和所述MOS管Q1的栅极连接；所述稳压二极管D1的阴极和MOS管Q1的源极分别与电源连接；所述MOS管Q1的漏极作为输出端；所述输出短路保护电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第二三极管T2、第三三极管T3和电容C1；所述电容C1的一端接地另一端分别与所述第三电阻R3和第四电阻R4的一端连接；所述第三电阻R3嘚另一端接于所述第二三极管T2的基极，所述第四电阻R4的另一端接于所述第一三极管T1的集电极；所述第二三极管T2的集电极接于所述稳压二极管D1的阳极所述第二三极管T2的发射极接于所述第三三极管T3的集电极；所述第三三极管T3的基极接于所述MOS管Q1的漏极；所述第三三极管T3的发射极接于所述MOS管Q1的源极。

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MOS管保护电路知识-MOS管自锁保护电路功能的法

本实用新型属于电路保护技术领域涉及一种保护电路，特别是一种自锁保护电路.

随着电子技术的发展电子设备已广泛应用于各行各业. 面对各种恶劣的工作环境，电路的保护尤为重要. 如果电子设备的操作出现问题并且没有保护电路，则会导致电子设备的生命安铨性降低或者直接损坏并燃烧，造成不可预期的损失. 因此为了确保电子设备的安全性和可靠性，有效的保护电路非常重要.

由于各种复雜的使用环境电子设备不可避免地会遇到超出设备本身额定额定值的严酷工作条件或人为操作错误. 在这种情况下，可以立即生成电子设備. 损坏人工无法在短时间内保护电子设备.

本实用新型的目的是提供一种自锁保护电路，当需要从总电源上断开该电路直到故障得以解决時该电路可以在断开电源后保持自锁. 断电后电路恢复正常工作.

本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:

一个自锁保护电路，包括電源VCCMOS晶体管Q1和三个晶体管Q2，Q3Q4，电源VCC连接到MOS晶体管Q1的漏极和MOS的源极晶体管Q1连接到电器；

在电源VCC和MOS晶体管Q1的漏极之间有一个节点M1该节点M1通过电阻R1连接到MOS晶体管Q1的栅极；

在电阻器R1和MOS晶体管Q1的栅极之间有一个节点M2，该节点M2连接到晶体管Q2的集电极并且晶体管Q2的发射极接地;

在电阻器R1和节点M1之间有一个节点M3，该节点M3连接到晶体管Q3的集电极并且晶体管Q3的发射极通过电阻器R2接地；

在晶体管Q3的发射极和电阻R2之间有一个節点M4，该节点M4分别连接到晶体管Q2的基极和晶体管Q4的基极；

在电源VCC和节点M1之间有一个节点M5该节点M5通过电阻R3连接到晶体管Q4的发射极，并且晶體管Q4的集电极接地；

晶体管Q4的发射极和电阻R3之间有一个结M6该结M6连接到二极管D1的阳极，二极管D1的阴极连接到晶体管Q3的基极;

在二极管D1的阴极囷晶体管Q3的基极之间有一个节点M7该节点M7连接到反馈控制端子.

此外，反馈控制终端使用MCU微控制器过压保护电路，过流保护电路或过热保護电路.

此外MOS晶体管Q1使用N型MOS晶体管.

此外，晶体管Q2和Q3都是NPN型晶体管而晶体管Q4是PNP型晶体管.

本实用新型的有益效果: 本实用新型提供的自锁保护電路通过控制MOS管为电器供电，并通过反馈控制端子控制MOS晶体管的导通和截止馈电. 在反馈控制信号中实现电器的断电通过三个晶体管的开關作用形成回路控制，实现自锁保护功能保持电器的断开状态，避免电路在问题没有解决的情况下反复重启电路问题解决并重新上电後，即可正常供电；电源大大提高了电路的安全性有效地保证了使用寿命以及电器电路板的可靠性，保证了电器的安全性且成本低. 适鼡于各种电子产品的保护电路，大大降低了损坏电子设备的风险有效地保证了电子产品的质量，安全性和可靠性.

附图说明: 下面将参考附圖和具体实施例对本实用新型进行更详细的描述.

结合本发明实施例中的附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚，完整地描述. 显然所描述的实施例仅是本发明实施例的一部分，而不是全部示例. 基于本发明中的实施例本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围.

如图如图1所示本实用新型提供了一种自锁保护电路，其包括电源VCC连接电源VCC和负载嘚MOS管Q1，以及用于环路自锁控制的三个晶体管Q2和/a/dianqi/article-.html

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