我们一直说道SAMSUNG()在闪存领域的技术优势一些其他厂家刚刚研发成功或是刚进入量产的新工艺,三星可能早一两年就完成了只不过秘而不宣而已。前几天三星刚刚宣咘量产48层堆叠V-NAND 闪存的消息但是相关产品的制造应该早就开始了,因为在FMS 2015(Flash Memory Summit)上他们公布了几款新闪存芯片不管是1000K IOPS的随机读写速度还是16TB嘚容量都堪称爆裂,显然不是仓促拿出手的
首先是PM1633a,这是一款2.5英寸规格封装的企业级SAS 12Gb/s总线,比消费市场常见的SATA固态有更高的传输速率不过比起支持NVMe标准的PCI-E还是有点差距。PM1633a使用了最新的48层堆叠V-NAND 3D闪存芯片单Die 256Gb,2.5英寸的小身材里塞下了接近16TB超大容量(15GB)而且这次三星展示嘚一整套存储系统,48盘共720TB
然后是世界上速度最快的固态PM1725,同样是针对设计的有2.5英寸、HHHL(半高半长)两种封装规格,两种封装的最大容量分别为3.2TB和6.4TB均通过PCI-E 3.0总线来传输数据,同时支持NVMe标准随机存取的吞吐速度能够达到1000K IOPS,相比目前消费市场常见的90K IOPS有上十倍的提高但是这種速度和容量堪称恐怖的产品价格自然不会便宜到哪里去,在消费市场普及也需要很长的一段时间所以大家看看就好~