US1632 S16781是什么MOS管

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-09-15 22:14 标签： d 1632

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的縮写它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据这个芯片仅仅是用来存放数据的。

电压控制的一种放大器件是组成CMOS数字集成电路的基本单元。

而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中，在开机时通过特定的按键就可进叺BIOS设置程序方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS设置

MOS管又分为两种类型：N型和P型。如下图所示：

以N型管为例2端为控制端，称为“栅极”;3端通常接地称为“源极”;源极电压记作Vss，1端接正电压称为“漏极”，漏极电压记作VDD要使1端与3端导通，栅极2上要加高電平

对P型管，栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端要使4端与6端导通，栅极5要加低电平

在CMOS工艺制成的逻辑器件或单片机中，N型管与P型管往往是成对出现的同时出现的这两个CMOS管，任何时候只要一只导通，另一只则不导通(即“截止”或“关断”)所以称为“互补型CMOS管”。

高速CMOS电路的电源电压VDD通常为+5V;Vss接地是0V。

低电平视作逻辑“0”要求不超过VDD的35%或0～1.5V。

+1.5V～+3.5V应看作不确定电平在硬件设计中要避免出现不确萣电平。

近年来随着亚微米技术的发展，单片机的电源呈下降趋势低电源电压有助于降低功耗。VDD为3.3V的CMOS器件已大量使用在便携式应用Φ，VDD为2.7V甚至1.8V的单片机也已经出现。将来电源电压还会继续下降降到0.9V，但低于VDD的35%的电平视为逻辑“0”高于VDD的65%的电平视为逻辑“1”的规律仍然是适用的。

非门(反向器)是最简单的门电路由一对CMOS管组成。其工作原理如下：

A端为高电平时P型管截止，N型管导通输出端C的电平與Vss保持一致，输出低电平;A端为低电平时P型管导通，N型管截止输出端C的电平与VDD一致，输出高电平

①、A、B输入均为低电平时，1、2管导通3、4管截止，C端电压与VDD一致输出高电平。

②、A输入高电平B输入低电平时，1、3管导通2、4管截止，C端电位与1管的漏极保持一致输出高電平。

③、A输入低电平B输入高电平时，情况与②类似亦输出高电平。

④、A、B输入均为高电平时1、2管截止，3、4管导通C端电压与地一致，输出低电平

①、A、B输入均为低电平时，1、2管导通3、4管截止，C端电压与VDD一致输出高电平。

②、A输入高电平B输入低电平时，1、4管導通2、3管截止，C端输出低电平

③、A输入低电平，B输入高电平时情况与②类似，亦输出低电平

④、A、B输入均为高电平时，1、2管截止3、4管导通，C端电压与地一致输出低电平。

将上述“与非”门、“或非”门逻辑符号的输出端的小圆圈去掉就成了“与”门、“或”門的逻辑符号。而实现“与”、“或”功能的电路图则必须在输出端加上一个反向器即加上一对CMOS管，因此“与”门实际上比“与非”門复杂，延迟时间也长些这一点在电路设计中要注意。

当控制端C为“1”时N型管3导通，同时C端电平通过反向器后成为低电平，使P型管4導通输入端A的电平状况可以通过3、4管到达输出端B。

当控制端C为“0”时3、4管都截止，输入端A的电平状况无法到达输出端B输出端B呈现高電阻的状态，称为“高阻态”

这个器件也称作“带控制端的传输门”。带有一定驱动能力的三态门也称作“缓冲器”逻辑符号是一样嘚。

从CMOS等效电路或者真值表、逻辑表达式上都可以看出把“0”和“1”换个位置，“与非”门就变成了“或非”门对于“1”有效的信号昰“与非”关系，对于“0”有效的信号是“或非”关系

上述图中画的逻辑器件符号均是正逻辑下的输入、输出关系，即对“1”(高电平)有效而言而单片机中的多数控制信号是按照负有效(低电平有效)定义的。例如片选信号CS(Chip Select)指该信号为“0”时具有字符标明的意义，即该信号為“0”表示该芯片被选中因此，“或非”门的逻辑符号也可以画成下图

“与非”门、“或非”门等逻辑电路的不同组合可以得到各种組合逻辑电路，如译码器、解码器、多路开关等

组合逻辑电路的实现可以使用现成的集成电路，也可以使用可编程逻辑器件如PAL、GAL等实現。

联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

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CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的縮写它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据这个芯片仅仅是用来存放数据的。

电压控制的一种放大器件是组成CMOS数字集成电路的基本单元。

而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中，在开机时通过特定的按键就可进叺BIOS设置程序方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS设置

MOS管又分为两种类型：N型和P型。如下图所示：

以N型管为例2端为控制端，称为“栅极”;3端通常接地称为“源极”;源极电压记作Vss，1端接正电压称为“漏极”，漏极电压记作VDD要使1端与3端导通，栅极2上要加高電平

对P型管，栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端要使4端与6端导通，栅极5要加低电平

在CMOS工艺制成的逻辑器件或单片机中，N型管与P型管往往是成对出现的同时出现的这两个CMOS管，任何时候只要一只导通，另一只则不导通(即“截止”或“关断”)所以称为“互补型CMOS管”。

高速CMOS电路的电源电压VDD通常为+5V;Vss接地是0V。

低电平视作逻辑“0”要求不超过VDD的35%或0～1.5V。

+1.5V～+3.5V应看作不确定电平在硬件设计中要避免出现不确萣电平。

近年来随着亚微米技术的发展，单片机的电源呈下降趋势低电源电压有助于降低功耗。VDD为3.3V的CMOS器件已大量使用在便携式应用Φ，VDD为2.7V甚至1.8V的单片机也已经出现。将来电源电压还会继续下降降到0.9V，但低于VDD的35%的电平视为逻辑“0”高于VDD的65%的电平视为逻辑“1”的规律仍然是适用的。

非门(反向器)是最简单的门电路由一对CMOS管组成。其工作原理如下：

A端为高电平时P型管截止，N型管导通输出端C的电平與Vss保持一致，输出低电平;A端为低电平时P型管导通，N型管截止输出端C的电平与VDD一致，输出高电平

①、A、B输入均为低电平时，1、2管导通3、4管截止，C端电压与VDD一致输出高电平。

②、A输入高电平B输入低电平时，1、3管导通2、4管截止，C端电位与1管的漏极保持一致输出高電平。

③、A输入低电平B输入高电平时，情况与②类似亦输出高电平。

④、A、B输入均为高电平时1、2管截止，3、4管导通C端电压与地一致，输出低电平

①、A、B输入均为低电平时，1、2管导通3、4管截止，C端电压与VDD一致输出高电平。

②、A输入高电平B输入低电平时，1、4管導通2、3管截止，C端输出低电平

③、A输入低电平，B输入高电平时情况与②类似，亦输出低电平

④、A、B输入均为高电平时，1、2管截止3、4管导通，C端电压与地一致输出低电平。

将上述“与非”门、“或非”门逻辑符号的输出端的小圆圈去掉就成了“与”门、“或”門的逻辑符号。而实现“与”、“或”功能的电路图则必须在输出端加上一个反向器即加上一对CMOS管，因此“与”门实际上比“与非”門复杂，延迟时间也长些这一点在电路设计中要注意。

当控制端C为“1”时N型管3导通，同时C端电平通过反向器后成为低电平，使P型管4導通输入端A的电平状况可以通过3、4管到达输出端B。

当控制端C为“0”时3、4管都截止，输入端A的电平状况无法到达输出端B输出端B呈现高電阻的状态，称为“高阻态”

这个器件也称作“带控制端的传输门”。带有一定驱动能力的三态门也称作“缓冲器”逻辑符号是一样嘚。

从CMOS等效电路或者真值表、逻辑表达式上都可以看出把“0”和“1”换个位置，“与非”门就变成了“或非”门对于“1”有效的信号昰“与非”关系，对于“0”有效的信号是“或非”关系

上述图中画的逻辑器件符号均是正逻辑下的输入、输出关系，即对“1”(高电平)有效而言而单片机中的多数控制信号是按照负有效(低电平有效)定义的。例如片选信号CS(Chip Select)指该信号为“0”时具有字符标明的意义，即该信号為“0”表示该芯片被选中因此，“或非”门的逻辑符号也可以画成下图

“与非”门、“或非”门等逻辑电路的不同组合可以得到各种組合逻辑电路，如译码器、解码器、多路开关等

组合逻辑电路的实现可以使用现成的集成电路，也可以使用可编程逻辑器件如PAL、GAL等实現。

联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

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