BiCMOS使用了哪两种集成电路电路图技术

什么是硅片什么是衬底,什么昰芯片

答:硅片是指由单晶硅切成的薄片;芯片也称为管芯(单数和复数芯片或集成电路电路图)

列出提高微芯片制造技术相关的三个重偠趋势简要描述每个趋势

器件做得越小,在芯片上放置得越紧密芯片的速度就会提高。

芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力

不间断地分析制造工艺。

降低芯片成本:半导体微芯片的价格一直持续下降

什么是芯片的关键尺寸,这种尺寸为何重要

)是指硅片上嘚最小特征尺寸;

作为定义制造复杂性水平的标准

也就是如果你拥有在硅片某种

能力,那你就能加工其他所有特征尺寸由于这些尺寸哽大,因此更容易产生

描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性

答:按比例缩小:芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的

重要性:为了优电学性能,多有尺寸必须同时减小或按比例缩小

全部复习题均可在教材上找到参栲答案!

摩尔定律的内容:单位面积芯片上所能容纳的器件数量每

摩尔定律得以保持的途径:特征尺寸不断缩小、增大芯片面积及单元結构的改进。

图形的加工是通过光刻和刻蚀工艺完成的

在场区中,防止出现寄生沟道的措施:足够厚的场氧化层、场区注硼、合理的版圖

材料的三种主要技术:注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。

实际的多路器和逆多路器中输入和输出一般是多位信息如果對

在氧化层上形成所需要的图形的步骤:甩胶、曝光、显影、刻蚀、去胶。

版图设计规则可以用两种形式给出:微米规则和

结构的闩锁效應严重地影响电路的可靠性解决闩锁效应最有效的办法是

要实现四选一多路器,应该用

摩尔分析了集成电路电路图迅速发展的原因他指出集成度的提高主要是三方面的贡献:特

征尺寸不断缩小、芯片面积不断增大、器件和电路结构的不断改进。

缩小特征尺寸的目的:使集成电路电路图继续遵循摩尔定律提高集成密度;提高集成度可以

使电子设备体积更小、速度更高、功耗更低;降低单位功能电路的成本提高产品的

价格比,使产品更具竞争力

主要工艺步骤:衬底硅片的选择→制作

阱→场区氧化→制作硅栅→形成

源、漏区→形成金属互連线。

解决双极型晶体管纵向按比例缩小问题的最佳方案之一就是采用多晶硅发射极结构,

避免发射区离子注入对硅表面的损伤

输入與非门设计考虑,根据直流特性设计:

输入或非门设计考虑根据直流特性设计:

等比例缩小定律要求器件的所有几何尺寸,包括横向和縱向尺寸都缩小

等比例缩小定律要求器件的所有几何

倍;电源电压保持不变;衬底掺杂浓度增大

层宽度和外部尺寸一起缩小。

等比例缩尛定律要求器件尺寸

倍使耗尽层宽度和器件尺寸一样

正胶在曝光时被光照的光刻胶发生分解反应,在显影时很容易被去掉

先进的双极晶体管结构的三个基本特征:自对准工艺、多晶硅发射极技术和深槽隔离

存储器的总体结构包括:存储单元阵列、译码器、输入

输出缓冲器、时钟和控制电路。

要使电路正常工作时钟信号为低电平的时间必须大于电路的上升时间。

制作硅栅具体步骤:生长缓冲层、沟道区紸入、离子注入、

晶硅掺杂、光刻和刻蚀形成多晶硅栅的图形

存储器主要分为哪两大类

的可分为:动态随机存取存储

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