2o3o高端功放芯片电路芯片可以换2oo3吗

(1)按图6电路双T网络进行粗调信号源选频率100赫,输入电压大于2伏然后反复调电位器R’2和R’3务必使输出电压最小,对于定点频率的双T网络使Fmin=0.002是不因难的(即衰减54分贝)注意在图5电路中,对双T网络来说右边为输入端,左边为输出端另外,信号源的非线性失真要小否则很难使Fmin=0.002.

(2)调放大器的直流工作点,

由于基本放大电路是直接耦合放大器各级工作点彼此有牵连,所以只要调节偏置Rb1、Rb2使Ue3为6-7伏即可

(3)调放大器的无反馈(开环)增益,从BG1基极输入信号(f=100和赫)调节输入幅度使输出波形不失真,并求K=UO/Ui=70若K>70,则减小Re2;反之若K2,直至K=70为止

拉入双T电桥,因双T已调准于f=100赫及Fmin≈0的又因双T的输入阻抗比放大器的输出阻抗大很多,所以接入双T电桥后对谐振点来说,负反馈为零因此,应该不影响放大器的增益根据这个道理,若接入双T网络后K略小于70(因双T总有点负载效应),则说明电路是正常工作的;若接入双T网络后K大于70,则说明双T在谐振点处引入正反馈这时应调大R’3,使K减小至70;反之当接入双T网络后K减小较大,则说明了双T在谐振处Fmin≠O故引入负反馈,致使K减小此時可适当调小R’3,务使K增大到70为止

在调试过程中,如果发现自激现象则应首先把自激消除后,再进行调试有三类自激振荡1、谐振点附近的自激,因为在fo附近双T电桥产生正反馈可调节R3使自激消除,2、在极低频率附近(约几赫)时是由于双T网络的幅频相频特性不对称,加上极低频率时放大器的耦合电容或旁路电容会引入附加相移,从而构成了正反馈因此,消除这类自激振蒎可以改用直耦放电路戓将耦合电容、旁路电容的数值减少,尤其要注意双T网络与放大器的耦合电容C4的影响;3、高频自激振荡(约几十千赫)消除方法是收缩放夶器的通频带使高端增益讯速地衰减,例如图5电路中接入Cm使BG2的负载变为R2与Cm并联,选取Cm的数值使其在低频时,Cm不起作用而在自激频率附近,造成了BG2的阻抗突然急剧地减小从而使自激消除。

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