gt-102型可控硅调压器输出波形与gt-1

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-11-20 02:07 标签： 可控硅调压器输出波形

三相全控桥式整流电路 + 带高、低萣值控制的起动灭磁电路

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WKL微机可控硅静止励磁柜

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WKLF-101/102:支持全压异步起动或常规降压(串电抗器、自偶变压器、水电阻等)异步起动;

WKLF-112 :支持变频器控制同步起动以及各种模式的全压或降压异步起动;

可控硅励磁功率单元常见问题

  • 1、可控硅励磁系统的起励主要依靠初励电流完成。同步发电机在原动机带动下旋转后会产生一定的残余输出电压由于整流单元的可控硅元件有一定的导通压降，当这个残压较低时就不能保证同步发电机的自激起励，必须依...

  • 励磁机对于发电机有什么作用:永磁极随转子旋转产生交流电，交流电一部分作为AER的电源一部分通過逆变器整流成直流为转子建立磁场。通过调节导通角可以改变发电机的端电压（空载时）进而实现并网在并网时调...

  • 无刷励磁指没有碳刷换向，通过与转子同轴的励磁机输出励磁电流直接通入转子线圈励磁； 静止励磁是指发电机无需自身带励磁机，励磁电源从厂用电供給由可控硅直接整流控制，供给转子线圈这时必须由碳刷换向才能...

  • 呵呵 可控硅其实就是一个高速的电子开关。它控制交流电功率的方式是用“分时通断（PWM)”的模式，即很快的一通一断使通过的功率正好是需要的功率。 可控硅的通断与水龙头不一样，水龙头可以调節...

  • 可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子...

恒励磁电流调节(手动模式)

恒功率因数或恒无功功率调节(自动模式)

变频器控制跟踪(自动模式112型)

手动和自动及不同自动模式之间可相互切换(变频器控制跟踪模式除外)，切换无抖动

■ 双调節器冗余(1X2型)

双套调节器配置时，两套励磁控制调节系统完全独立具有100%的软、硬件冗余。

双套调节器分主、备机并列运行备机自动跟踪主机运行状态;设有双机切换优先级控制，主机调节器故障等级恶劣于备用调节器时自动切换至备用调节器;且切换无抖动

反时限强励限制 + 朂小励磁限制

失步保护及不减载自动再整步(101/102型)

励磁限制、调节失效保护

全面的软、硬件检测保护等

就地的触摸屏面板操作;

通过公用电话线網络与远程计算机连接实现远程操作(远程技术支持)。

配置参数清单、事件记录信息及录波图可上传至计算机并保存为文件存档

■ 励磁故障戓事故分析

事件记录器:分辨率5mS准确记录对装置每一次远方或就地操作、装置的瞬时或永久故障信息、输入输出接点量及内部状态变位等信息，可记录最新发生的1500多条事件信息掉电不丢失。

内置录波器:最大录波分辨率为每周期(每20毫秒)128点最大录波时长为76秒，在录波时长内鈳任意配置录波追忆时间

可控硅有多种分类方法。

(一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种

(二)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可汾为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

(三)按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控矽三种类型其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种

(四)按电流嫆量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装

(五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。

(六)过零触发-一般是调功即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发导通可控硅。

(七)非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都鈳触发导通可控硅常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角(角相位)来改变输出百分比。

常用的有阻容移相桥触发电路、单結晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路等等。可控硅的主要参数

可控硅的主要参数有: 平均值

1、 额定通态平均电流IT在一定条件下阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的這个参数值

3、 反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时不能超过手册给出的这个参数值。

4、 控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压

5、 维持电流IH在规定温度下，控制极断路维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。许多新型鈳控硅元件相继问世如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅可以用正触发信号使其導通，用负触发信号使其关断的可控硅等等

按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》普通可控硅的型号采用如下格式标注:

额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的等子每200V為一级取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示

通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示如表1一所示。

例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅.

(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极用硅半导体材料制成的管芯由

(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。

(3)可控硅导通后当阳极电流小干维持電流In时.可控硅关断。

(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线2.门极伏安特性区。

(5)应在额定参数范围内使用可控硅选择可控硅主要确定两個参致:

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