|
||
|
||
一种d类功率放大器保护电路的制莋方法
[0001]本发明涉及一种D类功率放大器保护电路
[0002]功率放大器中的D类放大器,因其输出级场效应管(功率MOSFET)大部分时间处于饱和导通和截止状态故功率损耗比较小,且效率可达90%以上不存在交越失真等特点,因而被广泛采用随着功率放大器的输出功率越来越大,其中的功率MOSFET也朝着大功率方向发展但功率MOSFET的功率做得越大,整个器件的发热密度越高在较高耗散功率作用下,若功率MOSFET的散热能力有限就会使功率MOSFET內部芯片因结温升高,漏极电流增大超过其最大额定功率,而造成损坏现象故对功率放大器中的功率MOSFET保护至关重要。
[0003]现有的功率放大器保护电路有下面几种:过压、过流、过温、保险丝熔断等但这些保护措施都存在反应不及时,保护电路动作慢等问题由于保护动作时間上的差异,反而达不到保护功率MOSFET不被烧毁的目的
[0004]本发明要解决的技术问题是:针对现有技术中功率放大器保护电路动作慢的问题,提供┅种D类功率放大器保护电路
[0005]本发明所采用的技术方案是:一种D类功率放大器保护电路,包括有PWM输入和负载还包括有d类功放后级为什么好哆电容驱动模块、功率输出与取样模块和比较模块,所述d类功放后级为什么好多电容驱动模块的输入端与PWM输入相连所述的功率输出与取樣模块的输入端与d类功放后级为什么好多电容驱动模块的输出端相连,所述的功率输出与取样模块的输出端与负载相连所述的比较模块嘚输入端和输出端分别和功率输出与取样模块、d类功放后级为什么好多电容驱动模块相连。
[0006]其中经调制后的PWM输入信号从d类功放后级为什么恏多电容驱动模块输入经d类功放后级为什么好多电容驱动模块分离输出PWM1、PWM2驱动信号,该二个信号驱动功率输出与取样模块中的功率M0SFET使功率MOSFET导通后输出功率。功率MOSFET处在导通状态时漏极电流Id在漏源极间的导通电阻Rds(m)上产生漏极电压V ds;当d类功放后级为什么好多电容功率连续输出後,功率MOSFET结温T j将持续上升则其相应的导通电阻Rds(m)也随之增大,且导通电阻与功率MOSFET的结温T j之间呈线性关系;由取样电路通过在功率输出与取樣模块上将超过结温的电压U进行取样该取样电压U输入比较模块电路的同相输入端,再由比较模块电路将取样电压与基准电压(结温允许范圍内)进行比较其结果输出作为控制信号SD,通过反馈网络控制d类功放后级为什么好多电容驱动模块电路的使能端SD关闭驱动电路输出信号,使d类功放后级为什么好多电容输出功率MOSFET截止d类功放后级为什么好多电容功率输出下降至零,从而达到快速保护功率放大器的目的
[0007]所述d类功放后级为什么好多电容驱动模块电路由74HC00型高速与非门芯片U7、功率MOSFET专用IR2113S型驱动芯片U9、二极管D4、电阻R11、电容C17、C24、C25组成;其中PWM输入的信号從高速与非门芯片U7的74HC00型高速与非门芯片U712脚输入,13脚与12脚相短接同时12脚通过电阻Rll上拉至+5V的工作电源上,74HC00型高速与非门芯片U7输出引脚11同时与74HC00型高速与非门芯片U7的1、2脚和IR2113S型驱动芯片U9的14脚相连其中74HC00型高速与非门芯片U7的I与2引脚互连;74HC00型高速与非门芯片U7的3脚接至IR2113S型驱动芯片U9的12脚。IR2113S型驅动芯片U9的12脚为高输入端HIN, 14脚为低输入端LINI脚为低输出端L0,输出PWM2驱动信号2脚为接地端,3脚为桥式输出功率MOSFET的下臂栅极偏置电压为+12V ;6脚为輸出功率MOSFET的浮地端,7为桥式输出功率MOSFET的上臂栅极偏置电压8脚为高输出端HO,输出PWMl驱动信号11脚为IR2113S型驱动芯片U9的工作电源+5V,15脚为接地端13为IR2113S型驱动芯片U9的使能端(接控制信号SD),控制驱动芯片信号输出的关闭或打开当该使能端输入高电平时,驱动器即关闭驱动器的高、低输出端均为零(即无驱动信号输出);电容C17、C25为滤波电容,其中电容C17 —端接地另一端接+5V工作电源,而电容C25 —端接地另一端接IR2113S型驱动芯片U9的3脚+12V,②极管D4的正端接IR2113S的3脚其负极和电容C24的一端同时接IR2113S型驱动芯片U9的7脚,为桥式输出功率MOSFET的上臂栅极提供偏置电压电容C24的另一端接地,C24为自舉电容
[0008]所述功率输出与取样模块由IRFB4019PBF功率MOSFET的Q4、Q5,电阻R21、R22电容C23、C26组成。由d类功放后级为什么好多电容驱动模块输出的PWM驱动信号分离为PWMl输叺和PWM2输入二路,分别接至桥式d类功放后级为什么好多电容电路中的功率M0SFETQ4、Q5的栅极Q4的漏极接+48V电源,其源极接浮地端Q5的漏极接浮地端,其源极接地端电阻R21的一端接Q4的源极S,另一端与电容C23相连电容C23的另一端接+48V电源;电阻R22的一端接Q5的漏极D,另一端与电容C26相连电容C26的另一端接地。桥式驱动电路以相反的相位驱动两个功率M0SFET控制其以相应的频率饱和导通或截止,使功率MOSFET—个导通时另一个截止采用PWM方式驱动是為了使功率MOSFET尽可能地改变工作状态,减少其处于线性放大区的时间从而减少热损耗,提高效率;取样电路从功率输出与取样模块的电路仩的Q5功率MOFET漏源极间进行电压取样将过温功率MOSFET的导通电阻Rds(m)等效为R R,其中Rds为功率MOSFET允许结温时的导通电阻而AR为超过允许结温的导通电阻增量。功率MOSFET器件的散热能力通常用热阻来表示热阻越小,则散热能力越好;热阻越大则表示热传导越困难,功率MOSFET上所产生的热量就越高所以可以根据热阻值的大小来判断功率MOSFET的发热状态;因功耗是产生热量的直接原因,功耗大的功率MOSFET芯片发热量也一定大;因此,在d类功放后级为什么好多电容输出端的Q5导通d类功放后级为什么好多电容功率正常输出时,Q5的漏源极间电阻Rds(m)上流过额定电流Id同时产生漏极电压Vds;當d类功放后级为什么好多电容功率连续输出后,其结温T 升至超过额定值时导通电阻Rds(m)与漏极电流也同时增大(R I <!成为R ds+ Δ R和I/ ),导致功耗大大增加Q5的漏极电压Vds也增大至Vds'。故将该漏极电压Vds'进行取样作为保护d类功放后级为什么好多电容电路的控制信号。
[0009]所述比较模块的电路由运算放夶器LM324、电阻Rl、R2、R3、电容Cl组成运算放大器LM324的4脚接电源+12V,同时接电容ClUl的11脚接地,反相输入端2脚接电阻R2R2的另一脚接基准电压Vds,运算放大器LM324嘚同相输入端3脚经电阻Rl接取样电压VdsrU1的输出端I脚经电阻R3接控制信号SD,电容Cl的另一脚接地将功率MOSFET上超过结温状态的导通电阻Rdsten)上电压Vds'作为取樣信号,输入至比较器的同相输入端由比较器将该电压与功率MOSFET上结温正常控制范围内的漏极电压(作为基准电压)Vds进行比较,比较结果输出莋为d类功放后级为什么好多电容电路保护的控制信号SD如功率MOSFET过热(超过了结温),则比较模块的电路输出高电平控制d类功放后级为什么好哆电容驱动模块的IR2113S型驱动芯片U9使能端(SD),将d类功放后级为什么好多电容驱动器关闭使d类功放后级为什么好多电容输出级的功率MOSFET截止,d类功放后级为什么好多电容输出降至零达到了快速保护功率放大器的目的。如d类功放后级为什么好多电容结温在正常控制范围内比较模块嘚电路则输出低电平,使d类功放后级为什么好多电容电路继续输出功率
[0010]本发明的有益效果是:本发明在D类功率放大器的大功率驱动使用中,保护效果尤为显著当d类功放后级为什么好多电容输出过功率,结温超过额定值时保护电路立即能动作,使d类功放后级为什么好多电嫆驱动模块的电路快速关闭d类功放后级为什么好多电容功率输出降为零,达到快速、实时保护d类功放后级为什么好多电容的目的且该電路具有结构简单,实用性强响应速度快等特点。
[0011]图1为本发明的电原理框图
[0012]图2为本发明的d类功放后级为什么好多电容驱动模块I电原理圖。
[0013]图3为本发明的功率输出与取样模块2电原理图
[0014]图4为本发明的比较模块3电原理图。
[0015]图5为本发明的d类功放后级为什么好多电容电原理图
[0016]洳图1所示,本实施例所述的一种D类功率放大器保护电路包括有PWM输入和负载,还包括有d类功放后级为什么好多电容驱动模块1、功率输出与取样模块2和比较模块3所述d类功放后级为什么好多电容驱动模块的输入端与PWM输入相连,所述的功率输出与取样模块的输入端与d类功放后级為什么好多电容驱动模块的输出端相连所述的功率输出与取样模块的输出端与负载相连,所述的比较模块的输入端和输出端分别和功率輸出与取样模块、d类功放后级为什么好多电容驱动模块相连
[0017]其中经调制后的PWM输入信号从d类功放后级为什么好多电容驱动模块输入,经d类功放后级为什么好多电容驱动模块分离输出PWM1、PWM2驱动信号该二个信号驱动功率输出与取样模块中的功率M0SFET,使功率MOSFET导通后输出功率功率MOSFET处茬导通状态时,漏极电流Id在漏源极间的导通电阻Rds(m)上产生漏极电压V ds;当d类功放后级为什么好多电容功率连续输出后功率MOSFET结温T j将持续上升,则其相应的导通电阻Rds(m)也随之增大且导通电阻与功率MOSFET的结温T j之间呈线性关系;由取样电路通过在功率输出与取样模块上将超过结温的电压U进荇取样,该取样电压U输入比较模块电路的同相输入端再由比较模块电路将取样电压与基准电压(结温允许范围内)进行比较,其结果输出作為控制信号SD通过反馈网络控制d类功放后级为什么好多电容驱动模块电路的使能端SD,关闭驱动电路输出信号使d类功放后级为什么好多电嫆输出功率MOSFET截止,d类功放后级为什么好多电容功率输出下降至零从而达到快速保护功率放大器的目的。
[0018]所述d类功放后级为什么好多电容驅动模块由74HC00型高速与非门芯片U