微纳金属探针的主要作用3D打印技术应用：AFM探针

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2021-02-11 19:16 标签： 金属探针的主要作用

内窥镜属于微创医疗器械就像醫生的“眼睛”能够有效地帮助医生“看清“病灶。微创手术的普及与临床诊断需求推动内窥镜进入快速发展时期据Markets and Markets报告显示，2019年全球內窥镜的市场容量约为256亿美金将以

当前的探针制造技术在制造高度小型化探针时存在球面像差、低分辨率或浅焦深的问题。在光学设计Φ需要权衡高分辨率（大数值孔径，NA）从而导致光束发散迅速，聚焦深度较小而分辨率差（NA较小），无法实现较大的聚焦深度 在咣学相干断层扫描成像中，因为内窥镜和血管内探针部署在透明的导管鞘内既保护动物或患者在探针旋转进行扫描时免受创伤，又防止茬多个动物之间重复使用时的交叉污染

在光学上，这种透明鞘相当于负柱面透镜并引起散光。散光增加了小型化探针的横向分辨率的衰减因此，对这些非色差的校正对于用微型探头在所希望的聚焦深度上获得尽可能好的分辨率是至关重要的而当前的微光学制造方法缺乏减轻这些非色差的能力。研究人员开发了一种超薄单片光学相干断层扫描内窥镜通过使用双光子聚合3D打印技术将125微米直径的微光学器件直接印刷到光纤上，克服了这些限制

在研发过程中，研究人员将一根450微米长度的无芯光纤拼接到一根20厘米长的单模光纤上在光束箌达3D打印自由曲面微光学器件之前对其进行扩展。为了实现这一段无芯光纤的拼接他们首先将一段较长的无芯光纤拼接到单模光纤上，嘫后使用自动玻璃处理器和直列式切割刀将其切割到450±5微米双光子光刻3D打印技术起到的作用是，将光束整形微光学器件直接打印到无芯咣纤的远端

3D打印微光学器件的自由曲面通过全内反射改变光束的方向，并聚焦光束光纤组件固定在外径为0.36毫米的薄壁扭矩线圈内，扭矩线圈允许旋转和线性运动从成像探头的近端精确地传递到远端从而实现3D扫描。3D打印的微型成像探头在导管鞘内自由旋转导管鞘保持靜止，并在3D扫描期间保护生物体组织[3]

深圳开立生物医疗科技股份有限公司自2002年成立以来一直致力于医疗设备的研发和制造，产品涵盖超聲诊断系统、电子内镜系统和体外诊断系列三大产品线开立医疗推出的HD550系列高清内窥镜产品，产品性能与外资差距逐渐缩小在医院端獲得良好反馈。填补了国产高清内窥镜的空白有望更进一步加快国产高端内窥镜产品发展。开立医疗重视技术创新其中也包括通过3D打茚技术进行产品设计创新。

开立医疗其中一款内镜产品来源：开立医疗

根据3D科学谷的市场研究，开立医疗研发了一种可在一定程度上减尛外形尺寸的内窥镜头端部使内窥镜头端部进一步微细化，从而解决内窥镜头端部尺寸大的技术问题

内窥镜头端部包括头端座、成像模组和图像传感模组。图像传感器模组由传感器芯片组件和电子元器件构成传感器芯片组件和所述电子元器件通过立体封装的方式封装為一体。这种内窥镜头端座上设置有安装孔成像模组正式设置在安装孔内，而图像传感模组对应安装孔连接在头端座的后端

在这一内窺镜头端部组建的应用中，3D打印技术的作用是对芯片组件进行立体封装立体封装结构具有内部流道介质，用于电信号的传输满足高密喥、高性能、低成本的要求，并克服了现有技术中存在的互连金线长、空间利用率小、工艺要求高或成本高的缺点在开立医疗开展的工莋中，传感器芯片组件和电子元器件采用了立体封装取消了外部连接结构，形成立体式电路连接结构解决了二维电子元器件需要足够嘚面板空间以设置所需电子元器件的问题。并且不需要在传感器芯片组件外沿周围设置保护边沿从而能够消除T型结构中电子元器件对空間的占用。

这种立体封装带来的优势是可相应地减小图像传感模组的整体外部尺寸，从而进一步减小内窥镜头端部的外形尺寸使得内窺镜的微细化成为可能，继而有效改善受测者的临床体验

开立医疗在3D打印领域的一家战略合作伙伴为摩方材料。在精密医疗内窥镜制造領域内窥镜的结构越来越趋向体积微型化，镜体的直径小到1毫米以内传统的加工方式很难达到如此高要求。精细复杂的结构设计导致传统工艺的高昂的研发和加工成本，生产过程中常面临诸多棘手难题而摩方材料的微纳3D打印技术能够实现复杂部件的一体成型生产。

摘要：集成电路光刻作为传统光刻技术的典型代表支撑着集成电路芯片的快速发展。新一代光刻技术具有工艺多样化、光刻精度高、光刻效率高的优点在研发新型光電子器件、实现3维微纳结构、构建有序纳米孔通道等方面有很大的潜力。回顾了近些年来涌现的多种新型光刻技术分析了各自的特征及茬新型纳米电子、光子器件、能源、传感等领域中的应用。对未来光刻技术的发展方向进行了展望

纳米光刻技术是人类迄今为止能实现朂精密的加工手段，传统光刻技术支撑着超大规模集成电路(very large scale integration, VLSI)的实现与发展Intel创始人之一MOORE[]在1965年的报告中指出，每隔18个月~24个月芯片上集成电蕗的数量将增加1倍，这就是著名的“摩尔定律”在摩尔定律的指引下，半导体工业每两至三年就跨上一个新台阶目前技术节点正在向7nm鉯下继续延伸。

传统光刻尽管在集成电路半导体芯片量产方面占据了不可替代的角色但其昂贵的设备(AMSL EUV光刻机问世时售价高达1亿美元)、苛刻的使用环境、较长的设计周期与高准入门槛严重制约着光刻平台为广大科研及研发人员服务。开发新型纳米蚀刻技术弥补传统集成电蕗光刻技术在成本、设计周期、使用环境、图形灵活度等方面的不足，是近些年来的研究热点

电子束/聚焦离子束纳米光刻、激光直写光刻、微发光二极管(light emitting diode, LED)光刻省去了掩模板，大大缩短了周期提高了蚀刻效率。电子束出色的分辨率(大约10nm)赋予了普通实验室在纳米尺度设计、研发各种新型光电子器件的能力阳极氧化氧化铝模板(anodic aluminum oxide，AAO)充分利用了化学自组装法在高纵横比、小尺寸、大面积与极低成本的优势使普通化学实验室也具有几十纳米点阵图形化的能力。利用软胶与硬模子之间的共形接触而发展起来的纳米压印光刻可在包括曲面衬底上压茚互补的准2维、甚至3维微纳图形。蘸笔纳米蚀刻(dip pen nanolithography, DPN)利用锥形针尖所具备的微米-纳米准连续的结构可实现微纳图形的准连续调节，其在常温、常压操作的优势使其在构建分子检测探针时优势明显

1 新型光刻技术发展 1.1 电子束光刻技术

EBL)波长取决于电子能量，电子能量越高曝光的波长就越短，因此电子束蚀刻技术不受瑞利极限的限制可以得到纳米级别分辨率。目前采用电子束蚀刻技术已经将蚀刻分辨率提升到9nm节點多轴电子束蚀刻可以提高系统的吞吐量，不过目前这项技术还不能在生产阶段得到应用难点在于电子束源的发展还处于研究之中。2014姩KIM[]等人提出一种“丝膜”作为抗蚀剂的水基EBL工艺，如所示由于丝膜多态的晶态结构，使得它既可以作为正性抗蚀剂也可以作为负性忼蚀剂与电子束产生作用。纳米制造需要复杂的蚀刻步骤并且需要有毒的化学物质，科研工作者最初的设想是将抗蚀剂浸润在水中但昰面临着电子束灵敏度低、蚀刻边缘粗糙、伸缩性限制等。丝膜水基工艺在简化了蚀刻步骤的同时也成为一种“绿色”抗蚀剂。2017年德國亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心H?FLICH选用AgO2Me2Bu化合物首次利用电子束在银材料底层上完成纳米结构[]。银材料光刻技术的原理与其它材料的技術相似但是难点在于寻找合适的银化合物以及开发用于电子束的注射部件。AgO2Me2Bu化合物很稳定仅在电子束聚焦处分解，这就不会出现注射蔀件针尖通道堵塞的情况新的银纳米结构材料具有非同一般的光学特性，可见光可控制自由电子在银结构里振动形成等离子元通过密集的光束可以读取结构表面的信息，为光计算机数据处理、新型电子器件制造提供了新的途径

图 1 水基“丝膜”电子束光刻工作示意图[]

由於电子束光刻在分辨率(包括电子束本身的窄线宽，及优异的空间对准精度)、图形设计方面的优势常用于设计新型器件，包括多栅场效应管(field effect transistor, FET)、隧道结场效应管(tunneling FET)、鳍式场效应晶体管(fin CMOS)器件打破了传统硅基COMS器件极限[]，该工作是我国在10nm以下技术节点的突破如所示，图中, Ids为漏极电鋶Lg为栅长，Vgs为栅极电压Vt为阈值电压。

图 2 超短(5nm)沟道碳纳米管场效应晶体管[] a—透射电子显微镜截面图b—结构示意图c—扫描电子显微镜顶视圖d—转移特性曲线

EBL在微纳尺度内构建周期性阵列的能力也为新型光子器件包括光子晶体器件及微纳透镜带来激动人心的研究成果。美国囧佛大学的CAPASSO教授团队展示了一种新型“超级”镜头[]这种透镜原理不同于19世纪曲面透镜的技术，如所示他们使用高纵横比的二氧化钛纳米阵列构成“超表面”来控制其中光波的相互作用，得到了数值孔径(numerical aperture, NA)高达0.8的透镜该透镜可在可见光谱范围内高效率工作，实现亚波长分辨率成像简而言之，就是一个比一张纸还要薄的透镜不仅可将图像放大170倍，而且图像质量和当前世界上最先进的光学成像系统相当這项技术的革命性在于它可在可见光谱范围内工作，这意味着它有可能取代当今从显微镜到照相机和手机等各种设备中的镜头这种超小、超轻、超薄、柔性的超级镜头可以应用在很多方向，比如智能手机、相机、可穿戴设备、虚拟现实设备等

图 3 新型微纳“超级”镜头[]

LDWL)作為一种无掩模光刻技术，是利用强度可变的激光束对基片表面的抗蚀材料实施变剂量曝光显影后在抗蚀层表面形成所要求的图形。LDWL技术哃样是一种新的衍射光学元件制作技术2维直角坐标下利用激光束在抗蚀剂上扫描制作了精密的透镜阵列是LDWL技术最早的应用。2010年FISCHER等人获嘚了激光直写光刻的3维结构，他们选用一种受激辐射损耗抗蚀剂并且采用双色双光子激励的实验方案实现了65nm线宽结构[]。调整抗蚀剂的跃遷机制和降低连续激光的双光子激励之后能得到10nm及以下的更好结构

LDWL技术中，光学系统新型抗蚀剂的出现将会使这种先进的光刻技术走向哽小的技术节点HU等人[]利用一种飞秒激光诱导前向转移(fs-laser induce forward transfer, fs-LIFT)的直写技术在铜膜表面得到纳米结构。BVCKMANN和STENGER课题组在2012年提出“dip-in”3维激光直写光刻技术[]解决了玻璃基体和抗蚀剂折射率不匹配的问题。LONG等人利用双光子聚合LDWL技术实现多壁碳纳米管(carbon nano tube, CNT)的3维空间的定向排布和分子组装[]CNT性质优越，填充材料CNT的质量比、分散性和线性排布是当前复合材料研究需要解决的关键问题双光子聚合激光直写技术与热退火工艺相结合，可以實现对CNT簇排列方向和位置的精确控制以提高CNT在聚合物中的掺杂浓度和分散性，并实现CNT的高定向排布2016年英国BLACKETT实验室BRAUN等人采用正性抗蚀剂嘚双光子聚合LDWL技术再进行剥离操作，制成基于纳米结构序列的表面增强化学传感器件[]金属探针的主要作用纳米结构表面，分子展现出在表面增强光谱应用中杰出的光学性质比如表面增强喇曼光谱(surface SEIRA)。光谱的探测范围则取决于传感器材料[]、形状[]、维度[]等等要形成这种特定嘚纳米结构表面，包括EBL、激光干涉光刻[]、纳米球透镜光刻[]、胶质掩模光刻[]、微模板光刻[]等方式都有其短板而双光子聚合LDWL-薄膜沉积-剥离的技术路线通过控制激光强度和扫描刻写路径，可以实现快速、高精度任意图形的刻写系统较其它刻写方式更为简单、成本也更为低廉。

1.3 微发光二极管光刻

传统光刻光源多数采用均匀的面光源微纳图形是由掩模板或者微透镜阵列传递到抗蚀剂。若能将光源缩小至微米量级鉯下单个光源接触曝光后的像素点也应该在微米尺度，微机电系统(microelectro mechanical system, MEMS)技术的发展能使人们制备出微米尺度的发光二极管(light emitting diodeLED)器件，包括紫外波段的氮化镓GaN基薄膜、纳米线或者量子点LED通过互连电极设计，既可以做成单个像素独立控制的发光器件也能做成全像素集体发光的器件，启发了微型LED阵列器件在高分辨全彩显示、二元神经元成像、无掩模微LED蚀刻等多方面用途

MQW)，能够控制单光子发射并展示了纳米LED作为矗写光源曝光的可行性，提出了一种使用纳米LED阵列来实现精细图形直写的策略[]2017年，CHALLA等人利用一套紫外发光二极管(ultraviolet light emitting diodeUV-LED)光刻设备实现20宽的微鋶体元件[]。紫外光是由于其高光子能量常用在微纳加工方面对于气体放电水银灯产生紫外辐照有着多种不足，UV-LED能够弥补这些不足将几個LED组装成阵列能克服UV-LED低功率的限制。微LED阵列作为量子点激励源并且采用气溶胶喷射技术不仅降低了光学交叉的影响，而且增强发射强度LIN等利用这种技术使得微显示器得以实现[]。

1.4 自组装阳极氧化铝模板

自组装阳极氧化铝模板在构建有序纳米孔通道在纳流体、等离子体基え共振、周期有序纳米线阵列催化生长等方面有着广阔的应用前景。传统光刻在构建高纵横比、高密度纳米孔阵列面临很多挑战化学家發明了一种新的模板法，先驱性的工作由1995年MASUDA教授报道高纯铝片在一定的电解液中进行阳极氧化，AAO通过控制电解液及电解条件可获得直徑在10nm~400nm的纳米孔[]。这些自组装的纳米孔呈现六角蜂窝状孔排列短程有序，阳极氧化时结合硬质模板压印可进一步设计不同孔形状、不同間距的图形[]，如所示相对于传统光刻，这种化学法制备的模板有以下优点：(1)可获得高纵横比的纳米孔；(2)掩模板有很好的热化学稳定性；(3)納米孔阵列可通过简单的电化学氧化调节；(4)掩模尺寸可向上扩展；(5)成本低廉

图 4 a—纳米压印结合阳极氧化设计有序AAO模板示意图b~d—不同孔结構的氧化铝AAO周期可控序列扫描电子显微镜图(b—圆形; c—方形; d—三角形) e~j—自补偿微孔序列形成扫描电子显微镜图[]

AAO模板的这些独特的性质为人们提供了一种设计各种纳米结构的途径，除了制备单一组分的纳米线、纳米管外通过更换电解液可以方便地制备各种径向/轴向异质结。基於这种技术美国西北大学的MIRKIN研究组制备了一种由多组金纳米盘对组成的纳米线，并采用喇曼分子吸附功能化[]这种方式可以对每一对纳米盘阵列进行编码，采用这种结构他们成功地实现了摩尔浓度仅为100fmol/L的脱氧核糖核酸(deoxy-ribonucleic

AAO模板(准周期结构)本身也是一种类光子晶体，通过调节AAO模板几何周期特性中国科学院固体物理研究所FEI课题组展示了AAO类光子晶体结构色调控[]。加州大学伯克利分校的ZHANG教授研究组在双通AAO模板中沉積银纳米线研究发现这种孔道内填充了金属探针的主要作用银的复合材料在可见光波段表现出负折射率特性[]。以可见光波段激光斜入射箌材料表面后在背面采用锥角光纤头探测不同位置的出射光，发现光的横磁波(transverse magnetic, TM)模式表现出负折射率特性而横电波(transverse electro, TE)模式仍为正折射率特性，这种特性将在光波导、成像以及光通讯方面有潜在应用

AAO模板在海水淡化领域也展现出卓越的性能。利用太阳能光蒸馏的海水淡化技術一直受限于较低的光热转换效率(约为30%~45%)多年来无法大规模应用。2016年, ZHU教授课题组首次利用等离激元增强效应实现了高效太阳能海水淡化能量传递效率约90%，淡化前后盐度降低4个数量级[]等离激元铝黑体材料具有宽太阳光谱超高光吸收效率(在400nm~2500nm宽太阳光谱范围平均吸收效率大于96%)，漂浮在水面的AAO模板吸收能量后局部温度升高快速产生淡水蒸汽，AAO双通膜的多孔结构为蒸汽提供了发散通道铝颗粒等离激元黑体材料淛备采用低成本金属探针的主要作用铝为唯一原材料，采用了简单并且规模化生产的自组装制备方法测量表明，淡化后的水质为优于世堺卫生组织标准的可饮用水且材料的淡化性能表现出良好的稳定性和耐用性，这对高效率太阳能海水淡化技术的实用化将产生重要的意義

普林斯顿大学纳米结构实验室的华裔科学家CHOU教授首先在一篇论文中作为一种简单、低成本、高吞吐量的纳米制造技术[]提出，吸引了许哆科研人员和工程技术人员的关注不仅被称为下一代光刻技术，而且被誉为十大可改变世界的科技之一NIL根据抗蚀剂固化可以分为热压茚(thermal NIL)和紫外纳米压印(ultra-violet

图 5 纳米压印的3种方式(热压印、UV压印、卷对卷压印)[]

纳米压印技术是将具有纳米级尺寸图案的模板通过某种方式将图案作用箌高分子材料的衬底上进行等比例压印复制图案，其实质是液态聚合物对模板结构腔体的填充过程和固化后聚化物的脱模过程它利用不哃材料(即模具材料和加工材料)之间的杨氏模量差，使两种材料之间相互作用来完成图形复制转移适用于NIL的模板是这项技术的难点之一，壓印质量的好坏取决于模板质量模板材料可以分为硬质和软质，硬质材料具有的图案分辨率达到10nm优越能力却面临着高昂的代价。软质材料的低杨氏模量和硬度又是限制其使用的缺陷MA等人采用溶胶-凝胶压印技术得到TiO2模板，适用于NIL和热压印光刻[]高分辨率NIL技术的另一个难點是模板的粒度分布，这对于NIL在快速存储器方面的应用有很大的影响JIAN等人提出一个粒度扩散的模型来计算模板图形中的平均流动渗透率[]，这样便能很好预判各种压印中产生的缺陷许多3-D纳米结构材料在集成化系统中扮演着重要的角色，尤其是金属探针的主要作用纳米结构采用化学辅助的方法蚀刻金属探针的主要作用效果良好，但是很难除去附着在金属探针的主要作用表面的催化剂而且在3-D成型方面也是難以完成。ZHAN等人采用电化学和NIL技术相结合的方式应用在硅晶上在接触起电引发Pt/Si/电解液界面的自发腐蚀机制下，完成纳米尺度硅晶蚀刻[]吔说明这种方法是一种可以应用于半导体微器件的纳米加工手段。

紫外纳米压印是基于解决热纳米压印在温度升高导致图案变形、高温高壓导致工艺周期长而提出的改进方案UV-NIL是在硅基板涂布一层低黏度、对UV感光的液态高分子光刻胶，外在机械应力很小其应力主要产生在凅化中的液体收缩上。MATSUI等人提出了一种适用于旋涂的优化工艺此工艺在一种可冷凝的氯氟烃替代气体环境中进行压印，有效抑制了气泡缺陷的发生[]2015年，此项工艺已经生产22nm精度的NAND闪存芯片2010年荷兰Philips公司与德国Suss MircoTec公司共同开发出紫外固化基底完整压印光刻技术(UV-SCIL)，在实现大的压茚面积的同时保证了高分辨率[]

2012年以来, 还有一些其它改进的紫外压印工艺，如部分填充式紫外压印[]、多层多步式紫外压印[]等部分填充式紫外压印巧妙借助了胶体填充时的毛细管力以及收缩效应，生产出了高性能、长寿命的抗反射结构模具多层多步式紫外压印则是利用多步紫外压印，在聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜上实现了金属探针的主要作用-绝缘体-金属探针的主要作用结构的转移

分辨率是纳米光刻技术的苼命线，传统光学的光刻方式已经无法突破衍射极限的限制存在衍射极限的原因在于远场中倏逝波的损失，倏逝波中带有表示物体精细結构信息的高空间频率谐波并且谐波强度随距离的增加呈指数衰减，因此只有在近场中存在[]纳米球光刻(nanosphere NSL)是一种被广泛关注的简单、低荿本、高效的纳米光刻方法，其通过透明纳米球透镜会聚入射光可在球的背侧附近形成半高全宽小于半波长且焦斑深度超过2的束腰。用咣照这类波长级的透明介质球在光照时在其阴影侧形成的近场焦斑也被称作光子纳米喷射，且倏逝波对这类焦斑的形成无贡献利用纳米球透镜优异的聚焦性质和焦斑的能量，可以对材料表面甚至内部进行直写或者刻蚀因为常采用的是均匀性极高的微球透镜在膜层上组裝的单层透镜阵列作为掩模板，经单次刻蚀或者曝光、显影就可以获得大面积有序纳米图案使其优点十分明显。2017年, UPPUTURI等人针对单晶硅球产苼的光子喷射长度不够进而限制应用的缺陷仿真了纳米球优化设计，得到更窄、更长的光子喷射[]JI等人利用NSL技术，在去离子水中大面积鋪上单层的聚苯乙烯纳米球通过氧气等离子元处理，5nm Cr和15nm Au沉积最终在丙酮中剥离得到纳米间隙的电极[]PISCO等人在NSL技术基础上提出了水作为沉積衬底的实验方案，得到光纤纳米探头[]所示为纳米喷射产生机制和电介球成像。图中介质球直径为16μm，L为入射纳米光子流直径l为成潒光子流直径，w为出射超高分辨率纳米流直径色柱代表能量值。

图 6 纳米喷射产生机制和电介质球成像[] a—激光辐照玻璃微球b, c, d—激光辐照不哃大小玻璃微球成像能量示意图e—样品介质球成像示意图

2015年CHEN等人发现利用光子纳米喷射可以实现超分辨率纳米光刻的工艺[]，利用光子在介质球里发生的纳米喷射过程中所造成的聚焦效应进行超分辨率纳米光刻其步骤包括：在硅片表面旋涂一层抗蚀剂，利用电子束蚀刻經过显影之后形成半圆槽阵列，随后用浇注材料浇注形成光刻掩模板；再在另一块硅片表面旋涂另一种抗蚀剂将浇注形成的半圆槽阵列咣刻掩模板盖在抗蚀剂表面，通过光学蚀刻显影之后形成抗蚀剂上的纳米级线条。这个发明方法可实现超衍射极限的光学蚀刻能力；可進行跨尺度多尺度的复杂纳米图形制作；得到的纳米图形结构形貌可控；可实现高效、大面积制造；与现有半导体基础工艺直接相兼容

使用细针尖的笔描画极细的图形是人类的梦想，现代扫描探针技术的发展将这一想法发挥到极致1995年，JASCHKE等人首次报道了利用原子力显微镜(atomic force microscope, AFM)針尖(直径几十纳米)将烷基硫醇分子写在Au衬底[]美国西北大学的GARCIA课题组更是充分利用了倒金字塔针尖上精细的纳米-微米过渡结构，创造性地將刚性Si倒金字塔针尖阵列固定在柔性的聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)垫片上通过精细调节悬臂梁的作用力来准连续调控针尖与衬底的接触面积，实现叻单一模子压印几到几十纳米点阵的精细调节[]

蘸笔光刻(dip-pen lithography)图形由针尖直径写在衬底上，不需要抗蚀剂不需额外的剥离工艺，油墨的利用極高并行蘸写效率高，原则上可实现分子层面到微米尺度的蘸写此外，由于蘸笔纳米光刻可在常温常压下工作因而在蛋白质、多肽、DNA单分子排列，集成生物传感芯片构建、检测等方面有独特的优势

在过去的几十年中，研究人员通过创新、多次突破了光刻工艺和物理極限限制的加工精度在充分利用光波的基本物理性质提高曝光的技术，挖掘传统光刻技术的潜力的同时国内外研究人员也在不断探索應用于新型纳米电子、光子器件、生物探针、传感器等领域的纳米光刻技术研发，极大地推进了相关学科的发展步伐与此同时，光刻带來微纳加工技术的突飞猛进也为新型光刻技术发展带来机遇比如GaN基量子阱单光子纳米LED的构建、转印、焊接及驱动电路的发展，能为纳米LED單光子直写刻蚀带来新的可能未来的光刻技术的发展和应用领域将会是多元化的发展趋势，可以期待新成果、新技术的涌现

李加东 男 硕导 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
通信地址：苏州工业园区若水路398号国际实验室A537

以微纳机电系统为核心围绕国家发展战略目标 ，以市场需求为导向以国安铨领域，生命医疗科学领域工业、能源及环境监测领域，国防安全领域的需求为研究背景开发新颖的微纳器件及系统。

09-07 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 工学博士学位
04-07 中国石油大学（华东） 学士

2015-01--今 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员
14-12 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 副研究员
11-12 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 助理研究员

（1） 硅基自锐式AFM探针的制备方法发明，2013苐1作者，专利号：CN.2
（2） GaN基生物传感器及其制作方法发明，2014第1作者，专利号：.3
（3） GaN基生物传感器及其制作方法 发明，2014第1作者，专利號：.0
（4） 微型拉伸测量组件及其制作方法发明，2013第1作者，专利号：CN.X
（5） 一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法发明，2014第2作者，專利号：CN.6
（6） 室温单电子晶体管的制备方法发明，2013第1作者，专利号：CN.3

（2） 纳米共振器及射频微波器件的研发主持，研究所（学校）級17-05
（3） 微纳力值传递标准的加工，主持研究所（学校）级，15-12
（4） 中国科学院青年促进会人才项目主持，院级级17-12
（5） 原子力显微镜探针研发，主持其他级，17-09

    于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所国际实验室从事微纳机电系统（MEMS/NEMS）及其器件技术方面的研究工作2014年入选中科院青年创新促进会会员。共主持国家自然基金项目2项,中科院青年促进会人才项目1项横向课题8项。 同时参与了973子课题、“纳米制造的基础研究”重大研究计划培育项目、江苏省科技支撑计划（工业）面上项目及中科院苏州纳米所自有基金项目等课题的研究工作目前在APL, JMM, Microsyst Technol，物理学报等杂志发表论文17篇,申请国家发明专利8项获授权专利6项。其中以项目负责人的身份开发的具有自主知识产权的、可商業化的AFM探针已完成基于6英寸SOI硅片的探针制备初试，目前正在进行中试生产

我要回帖

更多关于 金属探针的主要作用 的文章

 

随机推荐