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专家谈功率半导体的未来发展趋势
来源：中国半导体行业协会
作者：中国半导体行业协日 09:46
[导读] 这是来自电子科技大学微电子与固体电子学院副院长 张波的一篇文章，张教授就功率半导体的发展现状及未来的趋势进行了详细的解说，希望各位对这个重要的元器件有全方位的了解，
　　这是来自电子科技大学微电子与固体电子学院副院长 张波的一篇文章，张教授就功率半导体的发展现状及未来的趋势进行了详细的解说，希望各位对这个重要的元器件有全方位的了解，文章比较长，希望大家能够耐心看完。
　　一、功率半导体的重要性
　　功率半导体器件是进行电能（功率）处理的半导体产品，是弱电控制与强电运行间的桥梁。
　　在可预见的将来，电能将一直是人类消耗的最大能源。从手机、电视、洗衣机、到高速列车，均离不开电能。无论是水电、核电、火电还是风电，甚至各种电池提供的化学电能，大部分均无法直接使用，75%以上的电能应用需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。
　　每个电子产品均离不开功率半导体技术。功率半导体的目的是使电能更高效、更节能、更环保并给使用者提供更多方便。如通过变频来调速，使变频空调在节能50-70%的同时，更环保、更安静、让人更舒适。人们希望便携式电子产品一次充电后有更长的使用时间，在电池没有革命性进步以前，需要更高性能的功率半导体器件进行高效的电源管理。正是由于功率半导体能将&粗电&变为&精电&，因此它是节能减排的基础技术和核心技术。
　　随着绿色环保在国际间的确立与推进，功率半导体的应用范围已从传统的工业控制和4C产业（计算机、通信、消费类电子产品和汽车），扩展到新能源（风电、太阳能）、轨道交通、智能电网等新领域。据国际市场调研机构HISISuppliResearch报告，2011年全球功率半导体市场在2010年大增37.8%以后，继续增长6.7%，达到331亿美元。中国是全球功率半导体的最大市场，占据了超过全球50%以上的份额。
　　与微处理器、存储器等数字集成半导体相比，功率半导体的产品寿命周期相对较长，可为几年甚至十几年；同时功率半导体不追求特征尺寸的快速缩小，不要求最先进的生产工艺，其生产线成本远低于Moore定律制约下的超大规模集成电路。因此，功率半导体非常适合我国的产业现状以及我国能源紧张和构建和谐社会的国情。
　　二、功率半导体的定义与分类
　　功率半导体（PowerSemiconductor，PowerManagementSemiconductor）器件可定义为进行功率处理的半导体器件。典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。
　　功率半导体器件包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路，前两者也称为功率（分立）器件。国内常常将功率（分立）器件称为电力电子器件，这是因为早期的功率半导体器件如大功率二极管、晶闸管等主要应用于工业和电力系统领域。
　　图1给出了功率半导体器件的分类。功率半导体器件包括功率（分立）器件（PowerDiscreteDevices）和功率集成电路。功率（分立）器件由功率二极管（PowerRectifiers和PowerDiodes）、功率晶体管（PowerTransistors）和晶闸管类器件（Thyristors）组成，其中常见的功率晶体管包括以VDMOS（VerticalDouble-DiffusionMOSFET）为代表的功率MOS器件（PowerMOSFETs）、绝缘栅双极晶体管IGBT（InsulatedGateBipolarTransistors）和功率双极晶体管（PowerBipolarTransistors或PowerBJT：PowerBipolarJunctionTransistors）。功率晶体管和晶闸管又可统称为功率开关器件（PowerSwitches）。
　　功率集成电路（PIC：PowerIC）在国际上又常被称为智能功率集成电路（SPIC：SmartPowerIC，国内又有人称之为灵巧功率集成电路）或高压集成电路（HVIC：HighVoltageIC），在本文中，我们将电源管理集成电路（PowerManagementIC）也纳入PIC的范畴。
　　二十世纪八十年代之前的功率半导体器件主要是功率二极管、可控硅整流器（SCR）和功率BJT。除功率BJT中部分功率不大的晶体管可工作至微波波段外，其余的功率半导体器件都是低频器件，一般工作在几十至几百赫兹，少数可达几千赫兹。然而功率电路在更高频率下工作时将凸显许多优点，如高效、节能、减小设备体积与重量、节约原材料等。因此在二十世纪八十年代发生了&20kHz革命&，即功率半导体电路中的工作频率提高到20kHz以上。这时传统的功率半导体器件如SCR和GTR（巨型晶体管或称为电力晶体管）等因速度慢、功耗大而不再适用，以功率MOS和IGBT为代表的新一代功率半导体器件因此应运而生。新一代功率半导体器件除具有高频（相对于传统功率器件而言）工作的特点外还都是电压控制器件，因而使驱动电路简单，逐渐成为功率半导体器件的主流和发展方向，在国际上被称为现代功率半导体器件（ModernPowerSemiconductorDevices）。
　　现代功率半导体器件的制造技术与超大规模集成电路一样都是以微细加工和MOS工艺为基础，因而为功率半导体的集成化、智能化和单片系统化提供了可能，进而促进了将功率半导体器件与过压、过流、过温等传感与保护电路及其驱动和控制电路等集成于同一芯片的单片功率集成电路的迅速发展。
　　目前市场主流的功率半导体器件是硅基器件，包括部分SOI（SOI：SilicononInsulator）基高压集成电路，随着以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的宽禁带半导体材料制备、制造工艺与器件物理的迅速发展，SiC和硅基GaN电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展领域。
　　三、功率半导体技术与产业发展状况
　　（一）功率二极管
　　功率二极管是功率半导体器件的重要分支，占据9%的功率半导体市场份额（2011年数据）。
　　目前商业化的功率二极管以PiN功率二极管和肖特基势垒功率二极管（SBD）为主。前者有着耐高压、大电流、低泄漏电流和低导通损耗的优点，但电导调制效应在漂移区中产生的大量少数载流子降低了关断速度，限制了电力电子系统向高频化方向发展。具有多数载流子特性的SBD有着极高的开关频率，但其串联的漂移区电阻有着与器件耐压成2.5次方的矛盾关系，阻碍了SBD的高压大电流应用，加之SBD极差的高温特性、大的泄漏电流和软击穿特性，使得硅SBD通常只工作在250伏以下的电压范围内。
　　为了获取高压、高频、低损耗功率二极管，研究人员正在两个方向进行探索。一是沿用成熟的硅基器件（超大规模集成电路）工艺，通过新理论、新结构来改善高压二极管中导通损耗与开关频率间的矛盾关系，二是采用新材料研制功率二极管。
　　在硅基功率二极管方面，结合PN结低导通损耗、优良阻断特性和SBD高频特性两者优点于一体的新器件正逐渐走向成熟并进入市场，如美国Vishay公司推出的45V-200V的TMBS系列产品，美国PowerIntegrations公司推出的Qspeed系列二极管产品等。此外，为开发具有良好高频特性和优良导通特性的高压快恢复二极管，通过控制正向导通时漂移区少数载流子浓度与分布的新结构器件也不断出现并成功应用于高性能IGBT模块中，如英飞凌公司的EmCon二级管、ABB公司的SPT＋二极管和日本富士电机的SASFWD等。台湾Diode公司充分利用MOS控制二极管理论和VLSI工艺研制的超势垒二极管（SuperBarrierRectifier）已经在市场上多处替代SBD。
　　随着半导体工艺技术的发展，微处理器、通讯用二次电源等都需要低电压大电流功率变换器。随着功率变换器输出电压的降低，整流损耗成为变换器的主要损耗。为使变换器效率达到90%以上，一种利用功率MOS器件低导通电阻特点的同步整流器（SR：SynchronousRectifier）及同步整流技术应运而生，低导通损耗功率MOS器件的迅速发展为高性能同步整流器奠定了强大的发展基础。
　　砷化镓（GaAs）SBD虽然已获应用，但GaAs材料1.42eV的禁带宽度和仅1.5倍于硅材料的临界击穿电场，使得GaAsSBD只能工作在600伏以下的电压范围内，远远不能满足现代电力电子技术的发展需要。SiC材料以其3倍硅的禁带宽度、10倍硅的临界击穿电场、2倍硅的饱和漂移速度和3倍硅的热导率等优良特性而得到迅速发展。SiCSBD是第一个商业化的SiC电力电子器件，目前Cree、Rohm、Infineon等十余家厂商已经将SiCSBD产品添加在其产品系列中。Cree公司已量产600-A的系列SiCSBD产品，2010年所销售的SiCSBD超过了700亿伏安（VA）。
　　SiC基PiN二极管比Si基PiN二极管具有更高的阻断电压（》10kV）和更高的开关速度（》10倍）。2012年，日本京都大学报道了耐压21.7kV的SiCPiN二极管，Cree公司于2006年报道了在1.5cm？1.5cm的4H-SiC芯片上，单管输出电流达180A的4.5kVPiN二极管。在3英寸N型4H-SiC晶圆上，Cree公司制作的10kV/20APiN二极管合格率已经达到40%。
　　国内近几年在功率二极管领域发展迅速，芯片加工线已从3-4英寸向5-6英寸，甚至8英寸发展，并有江苏宏微、深圳芯微等设计公司涉足，在快恢复二极管（FRD）方面，国产器件已占据国内80%以上市场份额。
　　（二）功率晶体管
　　1.功率BJT
　　功率BJT是第一个商业化的功率晶体管，虽然存在二次击穿、安全工作区受各项参数影响而变化大、热容量小、过流能力低等缺点，学术界也一直有功率BJT将被功率MOS和IGBT所取代的观点，但由于其成熟的加工工艺、极高的成品率和低廉的成本，使功率BJT仍然在功率开关器件里占有一席之地（2010年占整个功率半导体市场5%份额）。
　　与Si基BJT相比，SiC基BJT具有低20～50倍的开关损耗以及更低的导通压降，且SiCBJT由于二次击穿的临界电流密度是Si的大约100倍而免于传统的二次击穿困扰，虽然与场控器件相比较，BJT的驱动电路较为复杂，但和SiCJFET和VDMOS器件相比，其制作工艺简单。美国GeneSiC公司已推出1200V/10A的SiC功率BJT产品，并正开发1200V-10kV的系列SiC功率BJT。
　　国内有众多厂商在生产硅基功率BJT，如深圳深爱、华润华晶、吉林华微等，广泛应用于绿色照明、充电器等领域，在国际功率BJT领域占据较大份额。
　　2.功率MOSFET
　　功率MOSFET应用领域广阔，是中小功率领域内主流的功率半导体开关器件，是DC-DC转换的核心电子器件，占据着功率半导体市场单类产品的最大份额（2010年市场销售65亿美元，占整个功率半导体市场份额21%）。
　　功率MOSFET起源于1970年代推出的垂直V型槽MOSFET（VerticalV-grooveMOSFET：VVMOS），在VVMOS基础上发展起来的以VDMOS为代表的多子导电的功率MOSFET显著地减小了开关时间，同时利用了硅片自身的特性实现了纵向耐压，冲破了电力电子系统中20kHz这一长期被认为不可逾越的障碍。
　　功率MOSFET是一种功率场效应器件，通常由多个MOSFET元胞（Cell）组成。目前功率MOSFET主要包括中高压领域传统结构平面栅功率MOS器件（VDMOS），中低压领域高密度槽栅功率MOS，和近几年发展迅速的超结（SJ：SuperJunction或Multi-RESURF或3DRESURF，电子科技大学陈星弼院士的专利中称其为复合缓冲层：CompositeBufferLayer）功率MOS。
　　功率MOS是低压（
　　此外，在低压功率MOS器件领域，美国TI公司结合RFLDMOS结构的低栅电荷、电荷平衡机理的低导通电阻以及引入N＋Sinker所具有的双面冷却所研发的NextFETTM获得了好的市场效果。
　　为开发高压低功耗功率MOS，德国Infineon公司在1998年推出了基于超结的CoolMOS。由于采用新的耐压层结构，CoolMOS在保持功率MOS优点的同时，有着极低的导通损耗。目前国际上已有包括Infineon、IR、Toshiba、Fairchild和我国华虹NEC等多家公司采用该结构生产600V-900V低功耗功率MOS。
　　除硅基功率MOS外，新材料也不断应用于功率MOS的发展中，多种基于GaAs、SiC和GaN材料的功率MOS已研制成功。美国DARPA高功率电子器件应用计划－HPE的目标之一就是研制10kV的SiCMOSFET。2011年1月，继日本Rohm公司首次在市场上推出SiC功率MOS以后，美国Cree公司也推出了1200V的SiCMOSFET产品。内置SiC-SBD与SiC-MOSFET的&全SiC&功率模块（额定A）也首次由日本Rohm公司量产。
　　国内从1980年代即开始功率MOS研发，但直到2003年才由绍兴华越开始VDMOS量产，和由华虹NEC为境外客户代工槽栅功率MOS。近年来，国内功率MOS产业取得了飞速发展，已开始逐渐取代国外产品，江苏东光、深圳深爱、吉林华微、华润华晶、华润上华、杭州士兰微（600460，股吧）、重庆渝德、华虹NEC、上海宏力等一大批4－8英寸生产线均在批量生产功率MOS芯片，也产生了南方芯源、无锡新洁能、成都方舟等一批以功率MOS为主营业务的专业设计公司。但国内功率MOS的主流产品还是以平面栅功率MOS（VDMOS）为主，在专利保护众多、市场竞争激烈、市场份额最大的低压槽栅功率MOS领域，国内虽有涉足，但多以代工为主，缺乏具有自主知识产权和市场竞争力的高端产品。
　　国内针对SJ结构的设计和国际同步，电子科技大学等单位对SJ结构进行了大量而卓有成效的研究。SJ结构国际学术界认同的原始专利来源之一是我国的陈星弼院士，但是受限于工艺条件，国内在SJ结构的制备技术和器件开发上长期未获进展。2009年底，上海华虹NEC和电子科技大学合作，采用深槽刻蚀和外延填充技术成功实现了SJ功率MOSFET，击穿电压达到750V，部分动态参数优于国外同类产品。该成果打破了国内在SJ结构的制备和SJ器件的实用化研究方面的空白，同时也成为国际上首家8英寸SJ功率MOSFET代工平台。目前上海华虹NEC的SJ功率MOSFET平台已基本成熟，已有国内外十余家企业在其平台上逐步量产产品。
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电信与信息服务业务经营许可证：粤B2-　　中投顾问在《年半导体行业产业链深度调研及投资前景预测报告　　》中提到，着眼全球，半导体产业属于“伪夕阳”产业，全行业市场年同比增速是个位数，但对于大陆而言，半导体产业一方面顺承，，4G通信，和等新兴领域的“全球制造重任”，占据大部分高弹性增量市场；另一方面超过2300亿美元的年进口产品替代空间，其他电子产品难以比拟。结合未来国家强有力的扶持，综合来看大陆市场处于“战略新兴”位置，半导体行业在我国逐渐步入发展高潮。　　一、半导体产品应用延展性强，具备纵深应用空间　　半导体行业上游为半导体支撑业，包括半导体材料和半导体设备。中游按照制造技术分为分立器件和集成电路。半导体行业下游应用领域众多，包括计算机、通信、消费电子、汽车、工业等诸多方面。半导体行业发展纵深最深，不因创新乏力而沦为红海之争；当前半导体应用领域跨越消费，通信，工控，医疗，和航天等，未来伴随物联网、智能化、、信息安全等趋势，半导体市场有望掀起新一轮增长。　　半导体行业受到下游行业需求的直接影响。历次的金融危机和泡沫破裂都会使半导体行业在短期内受挫；但是从长期来看，新应用趋势的出现和新产品的推出才是半导体行业持续发展的内在动力。物联网、智能化、新能源三大趋势将带领半导体行业进入新一轮成长周期。　　二、我国半导体尚未形成体系，具备较大进口替代空间　　半导体产品种类繁多，主要分为集成电路、分立器件、光电子器件和微型等。我国企业在四类半导体产品中均有产品，但高端产品仍严重依赖进口；其中，集成电路是最复杂、技术难度最高的半导体产品。半导体产业是一个国家工业的明珠，直接体现国家的综合国力。　　国内需求充足，贸易逆差持续扩大。中国集成电路市场规模虽然大，但不可回避的问题是其自给率偏低。据海关统计，2015年中国集成电路进口金额比去年同期增长6%，达到2307亿美金，而出口金额为仅为693.1亿美元，进出口逆差仍然有1613.9亿美元，这表明国内有极大的进口替代空间。　　中投顾问在《年中国半导体行业产业链深度调研及投资前景预测报告》中指出，半导体作为国家战略，将成为经济增长的新火车头。半导体产业等战略性新兴产业以重大技术突破和发展需求为基础，对经济社会全局和长远发展具有重大的引领带动作用。经过近几年国家投入力度的加大和政策措施的扶持，战略性新兴产业已初步夯实了发展基础，将逐渐形成新的核心竞争力。　　半导体 产业未来发展前景展望" />
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2016深度版半导体材料市场未来发展规划报告
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报告价格：纸质版：6200元 | 电子版：6000元 | 纸质+电子版：6300元
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第一章 【】产品基本特点
第一节 【半导体材料】的定义
第二节 【半导体材料】的生产及技术进展
一、【半导体材料】生产发展过程
二、【半导体材料】应用方法
第三节 【半导体材料】产业分析&
1．背景：即我们所面对的发展了的教育形势、新的教育观念、思想、要求或教学理念、方法、手段等，对教学工作实际产生了重要影响。 &
第二章 年下半年全球【半导体材料】行业运行现状分析
第一节年下半年全球【半导体材料】产业发展分析
一、国际【半导体材料】产业特点分析
二、全球【半导体材料】市场规模发展情况
三、世界【半导体材料】产业链研究分析
四、世界【半导体材料】供给情况分析
第二节 年下半年世界部分国家【半导体材料】发展分析
第三节 年世界【半导体材料】产业发展趋势分析&
为了以个性---共性，这里主要介绍实证性研究报告的写作，掌握了这类报告的“个性”，那末教育科学研究报告的“共性”也就不难领会了。&
第三章　年下半年中国【半导体材料】行业发展动态分析
第一节年下半年中国【半导体材料】产业现状分析
一、中国【半导体材料】产业的发展背景
二、中国【半导体材料】产业发展特点
三、中国【半导体材料】区域行业结构
第二节年下半年中国【半导体材料】生产设备发展现状分析
一、全球【半导体材料】制造设备发展状况
二、中国【半导体材料】制造设备现状分析
三、【半导体材料】制造设备热点
四、中国【半导体材料】制造设备行业销售分析
五、【半导体材料】制造设备及技术发展趋势分析
第三节年下半年【半导体材料】行业发展上下游深度分析
一、上游对行业供给量研究
二、下游对行业需求量分析
三、上下游产业发展整体结构分析&
全文提要：提要就是研究工作的概述；必须能够准确地反映报告的内容和目的，文字清晰易读，要力求忠实于报告，并要避免评述。其字数以250-300字为适宜，至多也不要超过600字。&
第四章年下半年中国【半导体材料】相关产品进出口数据监测
第一节年下半年中国【半导体材料】进出口数据监测分析
一、进出口数量分析
二、进出口金额分析
三、进出口国家及地区分析
第二节年下半年中国【半导体材料】进出口数据监测分析
一、进出口数量分析
二、进出口金额分析
三、进出口国家及地区分析&
第五章 【半导体材料】行业重点企业财务数据分析
第一章 【半导体材料】主要企业分析
第一节 企业一
一、企业概述（企业、产品分布）
二、销售渠道与网络
三、企业主要经济指标（收入、成本、利润）
四、企业盈利能力分析
五、企业偿债能力分析
六、企业经营能力分析
七、企业成长能力分析
八、企业发展优势分析&
建议，除与教育科学研究***的建议相同的要求外，还应注意两点。一是要根据研究的结论，针对研究的问题有头的现状，提出改革的建议，以供有头部门选择。建议的内容不能与报告的结论无关，否则便失去意义和价值。建议的表达方式，应留有余地，不要过于武断，或掺杂个人的情绪作用等。二是对进一步开展研究工作的建议，应指出进一步研究的必要性和可能性，未来的研究有待改进的地方，尚待深入研究的有关问题等，可为后人的研究，提供参考。&
第二节 企业二
一、企业概述（企业、产品分布）
二、销售渠道与网络
三、企业主要经济指标（收入、成本、利润）
四、企业盈利能力分析
五、企业偿债能力分析
六、企业经营能力分析
七、企业成长能力分析
八、企业发展优势分析
第三节 企业三
一、企业概述（企业、产品分布）
二、销售渠道与网络
三、企业主要经济指标（收入、成本、利润）
四、企业盈利能力分析
五、企业偿债能力分析
六、企业经营能力分析
七、企业成长能力分析
八、企业发展优势分析
第四节 企业四
一、企业概述（企业、产品分布）
二、销售渠道与网络
三、企业主要经济指标（收入、成本、利润）
四、企业盈利能力分析
五、企业偿债能力分析
六、企业经营能力分析
七、企业成长能力分析
八、企业发展优势分析
第五节 企业五
一、企业概述（企业、产品分布）
二、销售渠道与网络
三、企业主要经济指标（收入、成本、利润）
四、企业盈利能力分析
五、企业偿债能力分析
六、企业经营能力分析
七、企业成长能力分析
八、企业发展优势分析&
3． 结题鉴定阶段：完成结题报告的撰写和资料汇编工作，为成果鉴定做好充分准备。&
第六章年下半年中国【半导体材料】市场销售策略分析
第一节 中国【半导体材料】市场销售终端的基本类型
一、中国【半导体材料】市场终端的基本特点
二、各类【半导体材料】终端的分布格局
三、【半导体材料】市场的主要销售模式
第二节年下半年【半导体材料】企业主要渠道模式分析
一、区域代理
二、买断品牌
三、特许经营
第三节年下半年中国【半导体材料】在不同渠道销售情况
一、【半导体材料】渠道策略分析
二、代理商选择策略
三、渠道的本土化策略
四、品牌联合策略
第四节年下半年【半导体材料】在中国的营销策略变化分析
一、传播策略
二、渠道策略
三、产品线组合策略
四、厂商关系
五、营销渠道下沉
六、oem合作模式
七、体验营销策略&
研究报告分：研究的对象和方法、研究的内容和假设、研究的步骤及过程以及研究结果的分析与讨论。研究报告内容的逻辑性是整个研究思路逻辑性的写照。 &
第七章年下半年中国【半导体材料】营销形式分析
第一节 【半导体材料】消费群
第二节 【半导体材料】的消费动机
第三节 【半导体材料】购买驱动力
第四节 【半导体材料】基本购买行为
第五节 【半导体材料】基本消费行为
第六节 【半导体材料】包装风格偏好
第七节 【半导体材料】知识的培育
第八节 【半导体材料】市场品牌格局
第九节 品牌形象与个性
第十节 【半导体材料】品牌与市场需求&
1． 前期准备阶段: 确立主课题，构建子课题；组建课题组，明确分工职责；建立、健全学习交流制度；完成论证、申报工作；制定主课题实施方案和子课题工作计划；进行必要的前期调查或检测。 &
第八章年下半年中国【半导体材料】产业竞争态势分析
第一节年下半年中国【半导体材料】行业竞争分析
一、进入者的威胁
二、购买者分析
三、替代品分析
四、行业竞争分析
第二节年下半年中国【半导体材料】企业盈利研究分析
一、核心竞争力
二、战略发展思考
第三节年下半年中国【半导体材料】企业竞争策略研究
一、业务延伸及扩张策略
二、多元化经营策略&
2、文献性研究报告：主要以文献情报资料作为研究材料，以非接触性研究方法为主，以文献的考证、分析、比较、综合为主要内容，着重研究教育领域某一方面的信息、进展、动态，以述评、综述类文章为主要表达形式。一般在教育史学、文献评论研究中用得较多。&
第九章 年中国【半导体材料】行业投资发展趋势分析
第一节年中国【半导体材料】产业影响因素
一、有利因素
二、不利因素
第三节 年中国【半导体材料】产业投资规模分析
第三节 年中国【半导体材料】产业投资结构分析
一、替代品发展
二、行业收购与兼并
三、技术应用创新
四、产业递进与变迁&
第十章年中国【半导体材料】行业发展趋势预测分析
第一节年中国【半导体材料】行业前景展望
一、【半导体材料】的研究进展及趋势分析
二、【半导体材料】价格趋势分析
第二节年中国【半导体材料】行业市场预测分析
一、【半导体材料】市场供给预测分析
二、【半导体材料】需求预测分析
三、【半导体材料】竞争格局预测分析
第三节年中国【半导体材料】行业市场盈利预测分析&
③ 赠送增值服务 购买我们研究报告可获赠我们数据中心会员资格，全方面了解行业动态；&
第十一章 年中国【半导体材料】行业发展策略及投资建议
第一节 【半导体材料】行业发展策略分析
一、坚持产品创新的领先战略
二、坚持品牌建设的引导战略
三、坚持工艺技术创新的支持战略
四、坚持市场营销创新的决胜战略
五、坚持企业管理创新的保证战略
第二节 【半导体材料】行业市场的重点客户战略实施
一、实施重点客户战略的必要性
二、合理确立重点客户
三、对重点客户的营销策略
四、强化重点客户的管理
五、实施重点客户战略要重点解决的问题
第四章 专家投资建议&
3、理论性研究报告：狭义上的***。以阐述对某一事物、某一问题的理论认识为主要内容，重在研究对象本质及规律性认识的研究。独特的看法、创新的见解、深刻的哲理、严密的逻辑和个性化的语言风格是其内在特点。理论性研究报告没有实证研究过程，因此对研究者的逻辑分析能力和思维水平有较高的要求，同时还要具有较高的专业理论素养。&
部分图表目录：
图表1 年下半年世界【半导体材料】市场规模
图表2 年下半年世界【半导体材料】销量
图表3 年下半年世界【半导体材料】产量
图表4 年世界【半导体材料】市场规模预测
图表5 国内生产总值增速表
图表6 年下半年国民生产总值表
图表7 年下半年居民消费价格指数(cpi)表
图表8 年下半年我国工业品出厂价格指数（ppi）表
图表9 2014年按收入来源分的去昂居民人均可支配收入及占比
图表10 年下半年中国工业增长值增长情况分析表
图表11 年下半年中国固定资产投资表
图表12 年下半年我国【半导体材料】市场规模
图表13 年我国【半导体材料】市场规模预测
图表14 年下半年我国【半导体材料】行业出口量
图表15 2014年中国【半导体材料】出口国家及地区比例
图表16 年中国【半导体材料】出口预测
图表17 年下半年中国分地区【半导体材料】行业市场规模结构分析 &
据中国报告大厅行业专家表示，研究报告必须对行业研究的内容和方法进行全面的阐述和论证，对研究过程中所获取的资料进行全面系统的整理和分析，通过图表、统计结果及文献资料，或以纵向的发展过程，或横向类别分析提出论点、分析论据，进行论证。&
图表18 2014年【半导体材料】细分产品市场规模以及所占比例
图表19 【半导体材料】行业生命周期
图表20 年下半年我国【半导体材料】产量
图表21 年下半年我国【半导体材料】产能分析
图表22 年我国【半导体材料】产量预测
图表23 年下半年我国【半导体材料】进口量
图表24 2014年我国【半导体材料】行业进口市场比例
图表25 年中国【半导体材料】进口预测
图表26 年下半年我国【半导体材料】行业企业数量(家)
图表27 年下半年我国【半导体材料】行业从业人员数量(万人)
图表28 2014年中国【半导体材料】行业重点省市产量及占比分析
图表29 市场结构分类
图表30 年下半年中国【半导体材料】市场平均价格走势分析
图表31 价格影响因素分析
图表32 年中国【半导体材料】市场平均价格预测
图表33 【半导体材料】行业产业链
图表34 2014年【半导体材料】市场的需求结构
图表35 年下半年中国【半导体材料】行业总资产利润率
图表36 年下半年中国【半导体材料】行业净资产利润率
图表37 年下半年中国【半导体材料】行业销售毛利率
图表38 年下半年中国【半导体材料】行业销售利润率
图表39 年下半年中国【半导体材料】行业产值利税率
图表40 年中国【半导体材料】行业盈利能力预测
图表41 年下半年我国【半导体材料】行业销售收入增长率
图表42 年下半年我国【半导体材料】行业总资产增长率
图表43 年下半年我国【半导体材料】行业固定资产增长率
图表44 年下半年我国【半导体材料】行业净资产增长率
图表45 年下半年我国【半导体材料】行业利润增长率
图表46 年我国【半导体材料】行业增长预测
图表47 年下半年我国【半导体材料】行业资产负债率
图表48 年下半年我国【半导体材料】行业速冻比率
图表49 年下半年年我国【半导体材料】行业流动比率
图表50 年下半年我国【半导体材料】行业利息保障倍数
图表51 年我国【半导体材料】行业偿债能力预测
图表52 年下半年我国【半导体材料】行业总资产周转率
图表53 年我国【半导体材料】行业净资产周转率
图表54 年我国【半导体材料】行业净资产周转率
图表55 年下半年我国【半导体材料】行业存货周转率
图表56 年我国【半导体材料】行业营运能力预测
图表57 【半导体材料】特点 &
文献资料研究报告：这是一种旨在以口头、文字、音像等资料为基础，分析、辨明某一方面研究的信息、水平、进程、争议、趋势等的研究报告。&
图表58 【半导体材料】分析
图表59 年下半年公司一财务指标
图表60 年下半年公司二财务指标与经营状况
图表61 年下半年公司三财务指标
图表62 年下半年公司四财务指标
图表63 年下半年公司五财务指标
图表64 年下半年公司六财务指标
图表65 年世界【半导体材料】产值预测
图表66 年世界【半导体材料】市场规模预测(亿美元)
图表67 年世界【半导体材料】平均价格预测
图表68 年我国【半导体材料】产值预测
图表69 年中国【半导体材料】市场平均价格预测
图表70 年我国【半导体材料】需求量预测
图表71 年我国【半导体材料】市场规模预测
图表72 年我国【半导体材料】市场供给量预测
图表73 产品价格定位因素分析表
图表74 产品寿命周期价格定位战略方面参考分析表
图表75 年下半年中国【半导体材料】行业资产规模增长统计
图表76 年中国【半导体材料】行业投资收益率预测
图表77 年下半年我国【半导体材料】行业投资规模
图表78 年【半导体材料】经营效率预测分析
图表79 年【半导体材料】财务结构预测分析
图表80 年我国【半导体材料】投资规模预测(亿元)
图表81 年【半导体材料】行业经营风险及控制策略
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行业研究报告是从事行业投资之前，对行业相关各种因素进行具体调查、研究、分析，评估项目可行性、效果效益程度，提出建设性意见建议对策等，为行业投资决策者和主管机关审批的研究性报告。以阐述对行业的理论认识为主要内容，重在研究行业本质及规律性认识的研究，独特的看法、创新的见解、深刻的哲理、严密的逻辑和个性化的语言风格是其内在特点,对研究者的逻辑分析能力和思维水平有较高的要求，同时还要具有较高的专业理论素养。
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