纳米mos器件件一般用什么晶面的硅片制作

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&&&MOS管的使用优势
  MOS管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用MOS管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
  MOS管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。
  有些MOS管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。&
  MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多MOS管集成在一块硅片上,因此MOS管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
MOS管的应用领域
  MOS管是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点,在大规模和超大规模集成电路中被应用。
  场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势,在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的,虽然多数已经内置了保护二极管,但稍不注意,也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。
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【我要奉献】英飞凌低压MOS管的选型经验分享
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英飞凌低压MOS管的选型经验分享
很多年轻工程师对分立器件应用上的很多问题,这里摘录部分与大家分享(摘录同事整理的资料,有出入的地方请指点。欢迎大家多分享点MOS管使用经验):
1. 导通电阻
对大部份的应用而言,导通时所造成的导通损耗占整体MOSFET损耗的大部份,因此各家厂商均想办法降低MOSFET的导通电阻。MOSFET的最低导通电阻从1996 年的12mΩ降到今天的1mΩ以下。目前,英飞凌公司最新一代25V/30V的OptiMOS MOSFET最低额定导通电阻为1mΩ,如此低的导通电阻大幅地减少了导通损耗,提高了应用电路的功率密度。(在低电压功率晶体管中,封装电阻在整体导通电阻中所占比例较大,因此英飞凌最新的几款MOSFET主要以CanPAK、SuperSO8和S308新型封装为主,效率达93%以上,满负载&90%)。
2 高速切换/低切换损耗及驱动损耗
栅极电荷为造成切换损耗及驱重损耗之主要成因。较低的栅极驱动损耗,可以使得驱动电路的负载降低约30%以上。而且较快的切换还可以改善EMI。英飞凌新一代25V/30V的MOS管切换的上升下降时间均不低于5纳秒。
业界常用优质系数(Figure Of Merit,FOM)(FOM=RDSON×Qg)以导通电阻与栅极电荷的乘积值做为比较,可以客观的角度来评估MOSFET性能的优劣。在导通电阻相同的情况下,英飞凌号称全新OptiMOS 25V/30V器件的栅极电荷,比采用最接近的沟槽工艺制造的器件低35%,而其输出电荷比最佳的横向MOSFET器件低一半。
4 高功率/低热阻
MOSFET所能承受的最大功率损耗,是由硅片的接触面到外壳间的热阻所决定的,因此要达到高功率并减少导通电阻的目的,除了改良开发新的MOSFET 或工艺技术外,封装的方式亦扮演着重要的角色。英飞凌主流的封装方式为Super SO-8、CanPAKT相对传统的SO-8封装大幅减少热阻,并减少在焊接点及接触点的电阻外,进而降低等效导通电阻和组件本身的寄生电感。
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回复:【我要奉献】英飞凌低压MOS管的选型经验分享
英飞凌低压MOS管的选型经验分享这个资料不错,英飞凌的MOS是不错的。
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RE:【我要奉献】英飞凌低压MOS管的选型经验分享
打不开,已经损坏了,了了了,烦人,还有字数限制
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RE:【我要奉献】英飞凌低压MOS管的选型经验分享
打不开,这是为什么呢
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